Arbeitspunktabhängigkeit des 1[eins]/f-Rauschens integrierter MOS-Transistoren:
Gespeichert in:
| 1. Verfasser: | |
|---|---|
| Format: | Buch |
| Sprache: | German |
| Veröffentlicht: |
1984
|
| Schlagworte: | |
| Beschreibung: | München, Techn. Univ., Diss. |
| Beschreibung: | VI, 83 S. Ill. |
Internformat
MARC
| LEADER | 00000nam a2200000 c 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | BV000226983 | ||
| 003 | DE-604 | ||
| 005 | 00000000000000.0 | ||
| 007 | t | ||
| 008 | 870612s1984 a||| m||| 00||| ger d | ||
| 035 | |a (OCoLC)52094485 | ||
| 035 | |a (DE-599)BVBBV000226983 | ||
| 040 | |a DE-604 |b ger |e rakddb | ||
| 041 | 0 | |a ger | |
| 049 | |a DE-12 | ||
| 100 | 1 | |a Stegherr, Michael |e Verfasser |4 aut | |
| 245 | 1 | 0 | |a Arbeitspunktabhängigkeit des 1[eins]/f-Rauschens integrierter MOS-Transistoren |
| 264 | 1 | |c 1984 | |
| 300 | |a VI, 83 S. |b Ill. | ||
| 336 | |b txt |2 rdacontent | ||
| 337 | |b n |2 rdamedia | ||
| 338 | |b nc |2 rdacarrier | ||
| 500 | |a München, Techn. Univ., Diss. | ||
| 650 | 7 | |a Elektronisches Rauschen |2 swd | |
| 650 | 7 | |a MOS |2 swd | |
| 650 | 7 | |a Transistor |2 swd | |
| 650 | 0 | 7 | |a Elektronisches Rauschen |0 (DE-588)4151926-7 |2 gnd |9 rswk-swf |
| 650 | 0 | 7 | |a Transistor |0 (DE-588)4060646-6 |2 gnd |9 rswk-swf |
| 650 | 0 | 7 | |a MOS |0 (DE-588)4130209-6 |2 gnd |9 rswk-swf |
| 655 | 7 | |0 (DE-588)4113937-9 |a Hochschulschrift |2 gnd-content | |
| 689 | 0 | 0 | |a Transistor |0 (DE-588)4060646-6 |D s |
| 689 | 0 | 1 | |a MOS |0 (DE-588)4130209-6 |D s |
| 689 | 0 | 2 | |a Elektronisches Rauschen |0 (DE-588)4151926-7 |D s |
| 689 | 0 | |5 DE-604 | |
| 999 | |a oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-000135752 | ||
Datensatz im Suchindex
| _version_ | 1804114690233597952 |
|---|---|
| any_adam_object | |
| author | Stegherr, Michael |
| author_facet | Stegherr, Michael |
| author_role | aut |
| author_sort | Stegherr, Michael |
| author_variant | m s ms |
| building | Verbundindex |
| bvnumber | BV000226983 |
| ctrlnum | (OCoLC)52094485 (DE-599)BVBBV000226983 |
| format | Book |
| fullrecord | <?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?><collection xmlns="http://www.loc.gov/MARC21/slim"><record><leader>01239nam a2200385 c 4500</leader><controlfield tag="001">BV000226983</controlfield><controlfield tag="003">DE-604</controlfield><controlfield tag="005">00000000000000.0</controlfield><controlfield tag="007">t</controlfield><controlfield tag="008">870612s1984 a||| m||| 00||| ger d</controlfield><datafield tag="035" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">(OCoLC)52094485</subfield></datafield><datafield tag="035" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">(DE-599)BVBBV000226983</subfield></datafield><datafield tag="040" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">DE-604</subfield><subfield code="b">ger</subfield><subfield code="e">rakddb</subfield></datafield><datafield tag="041" ind1="0" ind2=" "><subfield code="a">ger</subfield></datafield><datafield tag="049" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">DE-12</subfield></datafield><datafield tag="100" ind1="1" ind2=" "><subfield code="a">Stegherr, Michael</subfield><subfield code="e">Verfasser</subfield><subfield code="4">aut</subfield></datafield><datafield tag="245" ind1="1" ind2="0"><subfield code="a">Arbeitspunktabhängigkeit des 1[eins]/f-Rauschens integrierter MOS-Transistoren</subfield></datafield><datafield tag="264" ind1=" " ind2="1"><subfield code="c">1984</subfield></datafield><datafield tag="300" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">VI, 83 S.</subfield><subfield code="b">Ill.</subfield></datafield><datafield tag="336" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">txt</subfield><subfield code="2">rdacontent</subfield></datafield><datafield tag="337" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">n</subfield><subfield code="2">rdamedia</subfield></datafield><datafield tag="338" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">nc</subfield><subfield code="2">rdacarrier</subfield></datafield><datafield tag="500" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">München, Techn. Univ., Diss.</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1=" " ind2="7"><subfield code="a">Elektronisches Rauschen</subfield><subfield code="2">swd</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1=" " ind2="7"><subfield code="a">MOS</subfield><subfield code="2">swd</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1=" " ind2="7"><subfield code="a">Transistor</subfield><subfield code="2">swd</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Elektronisches Rauschen</subfield><subfield code="0">(DE-588)4151926-7</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Transistor</subfield><subfield code="0">(DE-588)4060646-6</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">MOS</subfield><subfield code="0">(DE-588)4130209-6</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="655" ind1=" " ind2="7"><subfield code="0">(DE-588)4113937-9</subfield><subfield code="a">Hochschulschrift</subfield><subfield code="2">gnd-content</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="0"><subfield code="a">Transistor</subfield><subfield code="0">(DE-588)4060646-6</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="1"><subfield code="a">MOS</subfield><subfield code="0">(DE-588)4130209-6</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="2"><subfield code="a">Elektronisches Rauschen</subfield><subfield code="0">(DE-588)4151926-7</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2=" "><subfield code="5">DE-604</subfield></datafield><datafield tag="999" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-000135752</subfield></datafield></record></collection> |
| genre | (DE-588)4113937-9 Hochschulschrift gnd-content |
| genre_facet | Hochschulschrift |
| id | DE-604.BV000226983 |
| illustrated | Illustrated |
| indexdate | 2024-07-09T15:10:43Z |
| institution | BVB |
| language | German |
| oai_aleph_id | oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-000135752 |
| oclc_num | 52094485 |
| open_access_boolean | |
| owner | DE-12 |
| owner_facet | DE-12 |
| physical | VI, 83 S. Ill. |
| publishDate | 1984 |
| publishDateSearch | 1984 |
| publishDateSort | 1984 |
| record_format | marc |
| spelling | Stegherr, Michael Verfasser aut Arbeitspunktabhängigkeit des 1[eins]/f-Rauschens integrierter MOS-Transistoren 1984 VI, 83 S. Ill. txt rdacontent n rdamedia nc rdacarrier München, Techn. Univ., Diss. Elektronisches Rauschen swd MOS swd Transistor swd Elektronisches Rauschen (DE-588)4151926-7 gnd rswk-swf Transistor (DE-588)4060646-6 gnd rswk-swf MOS (DE-588)4130209-6 gnd rswk-swf (DE-588)4113937-9 Hochschulschrift gnd-content Transistor (DE-588)4060646-6 s MOS (DE-588)4130209-6 s Elektronisches Rauschen (DE-588)4151926-7 s DE-604 |
| spellingShingle | Stegherr, Michael Arbeitspunktabhängigkeit des 1[eins]/f-Rauschens integrierter MOS-Transistoren Elektronisches Rauschen swd MOS swd Transistor swd Elektronisches Rauschen (DE-588)4151926-7 gnd Transistor (DE-588)4060646-6 gnd MOS (DE-588)4130209-6 gnd |
| subject_GND | (DE-588)4151926-7 (DE-588)4060646-6 (DE-588)4130209-6 (DE-588)4113937-9 |
| title | Arbeitspunktabhängigkeit des 1[eins]/f-Rauschens integrierter MOS-Transistoren |
| title_auth | Arbeitspunktabhängigkeit des 1[eins]/f-Rauschens integrierter MOS-Transistoren |
| title_exact_search | Arbeitspunktabhängigkeit des 1[eins]/f-Rauschens integrierter MOS-Transistoren |
| title_full | Arbeitspunktabhängigkeit des 1[eins]/f-Rauschens integrierter MOS-Transistoren |
| title_fullStr | Arbeitspunktabhängigkeit des 1[eins]/f-Rauschens integrierter MOS-Transistoren |
| title_full_unstemmed | Arbeitspunktabhängigkeit des 1[eins]/f-Rauschens integrierter MOS-Transistoren |
| title_short | Arbeitspunktabhängigkeit des 1[eins]/f-Rauschens integrierter MOS-Transistoren |
| title_sort | arbeitspunktabhangigkeit des 1 eins f rauschens integrierter mos transistoren |
| topic | Elektronisches Rauschen swd MOS swd Transistor swd Elektronisches Rauschen (DE-588)4151926-7 gnd Transistor (DE-588)4060646-6 gnd MOS (DE-588)4130209-6 gnd |
| topic_facet | Elektronisches Rauschen MOS Transistor Hochschulschrift |
| work_keys_str_mv | AT stegherrmichael arbeitspunktabhangigkeitdes1einsfrauschensintegriertermostransistoren |