Entwicklung einer 2m-Silicon-Gate-CMOS-Technologie zur Herstellung von mikroprozessororientierten VLSI-Schaltkreisen mit einem Versorgungsspannungsbereich von 1,5 bis 5 Volt:
Gespeichert in:
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| Veröffentlicht: |
Karlsruhe
Fachinformationszentrum
1984
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| Schriftenreihe: | Deutschland <Bundesrepublik> / Bundesminister für Forschung und Technologie: Forschungsbericht / T
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