Aslam, M. (1983). Temperverhalten von Elektronen- und Löcherfangstellen in SiO2-Schichten von MOS-Strukturen.
Chicago-Zitierstil (17. Ausg.)Aslam, Muhammad. Temperverhalten Von Elektronen- Und Löcherfangstellen in SiO2-Schichten Von MOS-Strukturen. 1983.
MLA-Zitierstil (9. Ausg.)Aslam, Muhammad. Temperverhalten Von Elektronen- Und Löcherfangstellen in SiO2-Schichten Von MOS-Strukturen. 1983.
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