Temperverhalten von Elektronen- und Löcherfangstellen in SiO2-Schichten von MOS-Strukturen:
Gespeichert in:
| 1. Verfasser: | |
|---|---|
| Format: | Buch |
| Sprache: | German |
| Veröffentlicht: |
1983
|
| Schlagworte: | |
| Beschreibung: | Aachen, Tech. Hochsch., Diss. |
| Beschreibung: | 119 S. |
Internformat
MARC
| LEADER | 00000nam a2200000 c 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | BV000190721 | ||
| 003 | DE-604 | ||
| 005 | 00000000000000.0 | ||
| 007 | t | ||
| 008 | 870612s1983 m||| 00||| ger d | ||
| 035 | |a (OCoLC)643922753 | ||
| 035 | |a (DE-599)BVBBV000190721 | ||
| 040 | |a DE-604 |b ger |e rakddb | ||
| 041 | 0 | |a ger | |
| 049 | |a DE-12 |a DE-83 |a DE-11 | ||
| 100 | 1 | |a Aslam, Muhammad |e Verfasser |4 aut | |
| 245 | 1 | 0 | |a Temperverhalten von Elektronen- und Löcherfangstellen in SiO2-Schichten von MOS-Strukturen |c von Mohammad Aslam |
| 246 | 1 | 3 | |a Fangstellen in MOS-Strukturen |
| 264 | 1 | |c 1983 | |
| 300 | |a 119 S. | ||
| 336 | |b txt |2 rdacontent | ||
| 337 | |b n |2 rdamedia | ||
| 338 | |b nc |2 rdacarrier | ||
| 500 | |a Aachen, Tech. Hochsch., Diss. | ||
| 655 | 7 | |0 (DE-588)4113937-9 |a Hochschulschrift |2 gnd-content | |
| 940 | 1 | |q TUB-nvmb | |
| 999 | |a oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-000110804 | ||
Datensatz im Suchindex
| _version_ | 1804114651204550656 |
|---|---|
| any_adam_object | |
| author | Aslam, Muhammad |
| author_facet | Aslam, Muhammad |
| author_role | aut |
| author_sort | Aslam, Muhammad |
| author_variant | m a ma |
| building | Verbundindex |
| bvnumber | BV000190721 |
| ctrlnum | (OCoLC)643922753 (DE-599)BVBBV000190721 |
| format | Book |
| fullrecord | <?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?><collection xmlns="http://www.loc.gov/MARC21/slim"><record><leader>00875nam a2200289 c 4500</leader><controlfield tag="001">BV000190721</controlfield><controlfield tag="003">DE-604</controlfield><controlfield tag="005">00000000000000.0</controlfield><controlfield tag="007">t</controlfield><controlfield tag="008">870612s1983 m||| 00||| ger d</controlfield><datafield tag="035" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">(OCoLC)643922753</subfield></datafield><datafield tag="035" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">(DE-599)BVBBV000190721</subfield></datafield><datafield tag="040" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">DE-604</subfield><subfield code="b">ger</subfield><subfield code="e">rakddb</subfield></datafield><datafield tag="041" ind1="0" ind2=" "><subfield code="a">ger</subfield></datafield><datafield tag="049" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">DE-12</subfield><subfield code="a">DE-83</subfield><subfield code="a">DE-11</subfield></datafield><datafield tag="100" ind1="1" ind2=" "><subfield code="a">Aslam, Muhammad</subfield><subfield code="e">Verfasser</subfield><subfield code="4">aut</subfield></datafield><datafield tag="245" ind1="1" ind2="0"><subfield code="a">Temperverhalten von Elektronen- und Löcherfangstellen in SiO2-Schichten von MOS-Strukturen</subfield><subfield code="c">von Mohammad Aslam</subfield></datafield><datafield tag="246" ind1="1" ind2="3"><subfield code="a">Fangstellen in MOS-Strukturen</subfield></datafield><datafield tag="264" ind1=" " ind2="1"><subfield code="c">1983</subfield></datafield><datafield tag="300" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">119 S.</subfield></datafield><datafield tag="336" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">txt</subfield><subfield code="2">rdacontent</subfield></datafield><datafield tag="337" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">n</subfield><subfield code="2">rdamedia</subfield></datafield><datafield tag="338" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">nc</subfield><subfield code="2">rdacarrier</subfield></datafield><datafield tag="500" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">Aachen, Tech. Hochsch., Diss.</subfield></datafield><datafield tag="655" ind1=" " ind2="7"><subfield code="0">(DE-588)4113937-9</subfield><subfield code="a">Hochschulschrift</subfield><subfield code="2">gnd-content</subfield></datafield><datafield tag="940" ind1="1" ind2=" "><subfield code="q">TUB-nvmb</subfield></datafield><datafield tag="999" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-000110804</subfield></datafield></record></collection> |
| genre | (DE-588)4113937-9 Hochschulschrift gnd-content |
| genre_facet | Hochschulschrift |
| id | DE-604.BV000190721 |
| illustrated | Not Illustrated |
| indexdate | 2024-07-09T15:10:06Z |
| institution | BVB |
| language | German |
| oai_aleph_id | oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-000110804 |
| oclc_num | 643922753 |
| open_access_boolean | |
| owner | DE-12 DE-83 DE-11 |
| owner_facet | DE-12 DE-83 DE-11 |
| physical | 119 S. |
| psigel | TUB-nvmb |
| publishDate | 1983 |
| publishDateSearch | 1983 |
| publishDateSort | 1983 |
| record_format | marc |
| spelling | Aslam, Muhammad Verfasser aut Temperverhalten von Elektronen- und Löcherfangstellen in SiO2-Schichten von MOS-Strukturen von Mohammad Aslam Fangstellen in MOS-Strukturen 1983 119 S. txt rdacontent n rdamedia nc rdacarrier Aachen, Tech. Hochsch., Diss. (DE-588)4113937-9 Hochschulschrift gnd-content |
| spellingShingle | Aslam, Muhammad Temperverhalten von Elektronen- und Löcherfangstellen in SiO2-Schichten von MOS-Strukturen |
| subject_GND | (DE-588)4113937-9 |
| title | Temperverhalten von Elektronen- und Löcherfangstellen in SiO2-Schichten von MOS-Strukturen |
| title_alt | Fangstellen in MOS-Strukturen |
| title_auth | Temperverhalten von Elektronen- und Löcherfangstellen in SiO2-Schichten von MOS-Strukturen |
| title_exact_search | Temperverhalten von Elektronen- und Löcherfangstellen in SiO2-Schichten von MOS-Strukturen |
| title_full | Temperverhalten von Elektronen- und Löcherfangstellen in SiO2-Schichten von MOS-Strukturen von Mohammad Aslam |
| title_fullStr | Temperverhalten von Elektronen- und Löcherfangstellen in SiO2-Schichten von MOS-Strukturen von Mohammad Aslam |
| title_full_unstemmed | Temperverhalten von Elektronen- und Löcherfangstellen in SiO2-Schichten von MOS-Strukturen von Mohammad Aslam |
| title_short | Temperverhalten von Elektronen- und Löcherfangstellen in SiO2-Schichten von MOS-Strukturen |
| title_sort | temperverhalten von elektronen und locherfangstellen in sio2 schichten von mos strukturen |
| topic_facet | Hochschulschrift |
| work_keys_str_mv | AT aslammuhammad temperverhaltenvonelektronenundlocherfangstelleninsio2schichtenvonmosstrukturen AT aslammuhammad fangstelleninmosstrukturen |