Verfügbarkeit: Charakterisierung der Schaltverluste diskreter Wide Band Gap Leistungshalbleiter und Entwärmung kompakter Bauteile

Charakterisierung der Schaltverluste diskreter Wide Band Gap Leistungshalbleiter und Entwärmung kompakter Bauteile:

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser:	Sprunck, Sebastian (VerfasserIn)
Format:	Buch
Sprache:	German
Veröffentlicht:	Kassel, Hess Kassel University Press [2021]
Schriftenreihe:	Elektrische Energiesysteme 19
Schlagworte:	Wide-bandgap Halbleiter Strommessung Verlustleistung kompakte Bauteile Wide Band Gap Schaltverluste Stromsensor GaN Schaltgeschwindigkeit Miniaturisierung Kommutierungsinduktivität TIM Grenzfrequenz Kühlung Kommutierungsmasche Wärmeleitfähigkeit thermisches Interface-Material Hochfrequenz-Strommessung SiC thermischer Widerstand Hochschulschrift
Online-Zugang:	Inhaltsverzeichnis
Beschreibung:	249 Seiten 21 cm x 14.8 cm, 330 g
ISBN:	9783737609432 3737609438

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adam_text	INHALTSVERZEICHNIS 1 EINLEITUNG 13 1.1 AUSWIRKUNGEN DER MINIATURISIERUNG ........................................... 14 1.2 FRAGESTELLUNG ................................................................................ 15 1.3 GLIEDERUNG DER VORLIEGENDEN ARBEIT ........................................... 16 2 STAND DER TECHNIK 17 2.1 SILIZIUMCARBID (SIC) .................................................................... 19 2.1.1 AUFBAU UND EIGENSCHAFTEN .............................................. 19 2.1.2 VERFUEGBARE BAUTEILE ....................................................... 20 2.1.3 FUNKTIONSWEISE VON SIC-MOSFETS ............................... 22 2.1.4 SCHALTFREQUENZEN .............................................................. 25 2.1.5 VARIANTEN .......................................................................... 26 2.2 GALLIUMNITRID (GAN) .................................................................... 26 2.2.1 AUFBAU UND EIGENSCHAFTEN .............................................. 27 2.2.2 FUNKTIONSWEISE ................................................................. 31 2.2.3 BAUTEILARTEN ....................................................................... 33 2.2.4 SCHALT FREQUENZEN .............................................................. 38 2.3 AUSWIRKUNGEN VON WBG-BAUELEMENTEN AUF DIE LEISTUNGSELEK TRONIK .................................................................................... 39 2.3.1 SCHALTZELLE .......................................................................... 39 2.3.2 TREIBER ............................................................................. 40 2.3.3 MAGNETISCHE KOMPONENTEN ........................................... 41 2.3.4 KUEHLUNG ............................................................................. 42 2.3.5 ELEKTROMAGNETISCHE VERTRAEGLICHKEIT ............................... 44 9 2.4 ZUSAMMENFASSUNG ....................................................................... 45 3 MESSUNG VON HALBLEITERVERLUSTEN 47 3.1 METHODEN ZUR MESSUNG VON HALBLEITERVERLUSTEN ...................... 49 3.1.1 KALORIMETRISCHE VERLUSTMESSUNG .................................. 49 3.1.2 DOPPELPULSTEST ................................................................. 51 3.2 EINFLUSS VON STROMSENSOREN AUF EINE MESSSCHALTUNG ............... 56 3.2.1 ANNAHMEN UND NAEHERUNGEN ........................................... 57 3.2.2 VERAENDERUNG DES STROMES DURCH DEN SENSOR ............... 60 3.2.3 SENSOR-MESSFEHLER .............................................................. 62 3.2.4 MESSDATEN-AUFZEICHNUNG ................................................. 71 3.2.5 BERECHNUNG DES GESAMTEN FEHLERS .................................. 74 3.3 STROMSENSOREN FUER DEN DOPPELPULSTEST ..................................... 75 3.3.1 INDUKTIVE SENSOREN ........................................................... 79 3.3.2 STROMMESSWIDERSTAENDE .................................................... 87 3.4 EINSATZBEREICHE FUER STROMSENSOREN .............................................. 116 3.5 ZUSAMMENFASSUNG .......................................................................... 123 4 ENTWAERMUNG DISKRETER WIDE BAND GAP HALBLEITER 125 4.1 BESTANDTEILE EINES KUEHLSYSTEMS .................................................... 126 4.1.1 WAERMESTROM IM HALBLEITER .............................................. 126 4.1.2 THERMISCH-MECHANISCHE ANBINDUNG DISKRETER HALBLEITER 127 4.1.3 THERMISCH-ELEKTRISCHE ANBINDUNG DISKRETER HALBLEITER 128 4.1.4 KUEHLKOERPER .......................................................................... 134 4.2 ENTWAERMUNG KOMPAKTER BAUTEILE ................................................. 135 4.3 VERMESSUNG THERMISCHER INTERFACE-MATERIALIEN ............................ 136 4.3.1 MESSPRINZIP OHNE KOMPENSATIONSHEIZUNG ...................... 138 4.3.2 MESSPRINZIP MIT KOMPENSATIONSHEIZUNG ......................... 148 4.3.3 KALIBRIERUNG DES PRUEFSTANDS .............................................. 154 4.4 ZUSAMMENFASSUNG .......................................................................... 162 5 MINIATURISIERUNG LEISTUNGSELEKTRONISCHER SCHALTZELLEN 163 5.1 RAHMENBEDINGUNGEN FUER DIE MINIATURISIERUNG VON SCHALTZELLEN 164 5.1.1 KATEGORISIERUNG VON SIC UND GAN-HALBLEITERN ENT SPRECHEND IHRER SPERRSPANNUNGEN ........................ 165 10 5.2 METHODIK ZUR ABSCHAETZUNG DER AUSWIRKUNGEN DER BISHERIGEN ERGEBNISSE ......................................................................................... 166 5.2.1 BERECHNUNG DER MAXIMALEN SCHALTFREQUENZ ..................... 167 5.2.2 ANNAHMEN FUER DEN VERGLEICH VON BAUTEILEN VERSCHIE DENER TECHNOLOGIEN ................................................. 175 5.3 GAN-SCHALTZELLEN BIS 100 V .......................................................... 180 5.3.1 DIREKTVERGLEICH EINES 100 V SI-MOSFET MIT EINEM GAN E-HEMT BEI NENNSTROEMEN VON 0,5A ............................... 181 5.3.2 DIREKTVERGLEICH EINES 100 V SI-MOSFET MIT EINEM GAN E-HEMT BEI NENNSTROEMEN VON 90 A ............................... 183 5.4 GAN UND SIC-SCHALTZELLEN UM 650 V ........................................... 188 5.4.1 DIREKTVERGLEICH VON 650 V SI-, SIC UND GAN-HALBLEITERN FUER NENNSTROEME VON 20 A ................................................. 189 5.4.2 DIREKTVERGLEICH VON 650 V SI-, SIC UND GAN-HALBLEITERN FUER NENNSTROEME UM 60 A .................................................... 191 5.5 SIC-SCHALTZELLEN BIS 1700 V .......................................................... 196 5.5.1 DIREKTVERGLEICH EINES 1700 V SI-IGBT MIT EINEM SI UND EINEM SIC-MOSFET FUER NENNSTROEME UM 6 A . . . 197 5.5.2 DIREKTVERGLEICH EINES 1700 V SI-IGBT MIT EINEM SIC MOSFET FUER NENNSTROEME UM 70 A .................................. 198 5.6 ZUSAMMENFASSUNG .......................................................................... 198 6 ZUSAMMENFASSUNG UND AUSBLICK 205 6.1 ZUSAMMENFASSUNG DER ERGEBNISSE ................................................. 205 6.2 BEDEUTUNG FUER DIE MINIATURISIERUNG .............................................. 207 6.3 SCHLUSSFOLGERUNGEN UND AUSBLICK ................................................. 207 ANHANG 211 A BERECHNUNG DER INNEREN INDUKTIVITAET EINES KOAXIALSHUNTS . . . 211 B BERECHNUNG DES SYSTEMATISCHEN MESSFEHLERS DES ENTWICKELTEN TIM-PRUEFSTANDS ............................................................................... 225 QUELLENVERZEICHNIS 229 LITERATUR .................................................................................................. 229 ONLINEQUELLEN ............................................................................................ 236 11 DATENBLAETTER ............................................................................................ 237 ABKUERZUNGEN 243 ABBILDUNGSVERZEICHNIS 245 TABELLENVERZEICHNIS 248 12
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Bestandesangaben von THWS Schweinfurt Zentralbibliothek Lesesaal
Signatur:	2000 ZN 8340 S771
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