Rautschke, F. (2019). Schaltungsentwurf und Aufbautechnologie hocheffizienter GaN-HEMT Leistungsverstärker in MIC-Technologie. https://doi.org/10.14279/depositonce-9113
Chicago-Zitierstil (17. Ausg.)Rautschke, Felix. Schaltungsentwurf Und Aufbautechnologie Hocheffizienter GaN-HEMT Leistungsverstärker in MIC-Technologie. Berlin, 2019. https://doi.org/10.14279/depositonce-9113.
MLA-Zitierstil (9. Ausg.)Rautschke, Felix. Schaltungsentwurf Und Aufbautechnologie Hocheffizienter GaN-HEMT Leistungsverstärker in MIC-Technologie. 2019. https://doi.org/10.14279/depositonce-9113.
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