Holdings: Aktive elektronische Bauelemente

Aktive elektronische Bauelemente: Aufbau, Struktur, Wirkungsweise, Eigenschaften und praktischer Einsatz diskreter und integrierter Halbleiter-Bauteile

Saved in:

Bibliographic Details
Main Author:	Stiny, Leonhard (Author)
Format:	Book
Language:	German
Published:	Wiesbaden Springer Vieweg [2019]
Edition:	4., durchgesehene Auflage
Subjects:	Halbleiterschaltung Aktives Bauelement Elektronisches Bauelement Halbleiterbauelement Lehrbuch
Online Access:	Inhaltsverzeichnis
Physical Description:	XXIII, 718 Seiten Illustrationen, Diagramme
ISBN:	9783658247515 3658247517

Staff View

MARC


LEADER	00000nam a2200000 c 4500
001	BV045566922
003	DE-604
005	20201005
007	t
008	190424s2019 a\|\|\| \|\|\|\| 00\|\|\| ger d
020			\|a 9783658247515 \|c kart. : EUR 79,99 \|9 978-3-658-24751-5
020			\|a 3658247517 \|9 3-658-24751-7
035			\|a (OCoLC)1099848786
035			\|a (DE-599)BVBBV045566922
040			\|a DE-604 \|b ger \|e rda
041	0		\|a ger
049			\|a DE-B768 \|a DE-92 \|a DE-523 \|a DE-Aug4 \|a DE-29T \|a DE-703 \|a DE-634 \|a DE-860 \|a DE-12
084			\|a ZN 4600 \|0 (DE-625)157403: \|2 rvk
100	1		\|a Stiny, Leonhard \|e Verfasser \|0 (DE-588)121846377 \|4 aut
240	1	0	\|a Handbuch aktiver elektronischer Bauelemente (2009)
245	1	0	\|a Aktive elektronische Bauelemente \|b Aufbau, Struktur, Wirkungsweise, Eigenschaften und praktischer Einsatz diskreter und integrierter Halbleiter-Bauteile \|c Leonhard Stiny
250			\|a 4., durchgesehene Auflage
264		1	\|a Wiesbaden \|b Springer Vieweg \|c [2019]
300			\|a XXIII, 718 Seiten \|b Illustrationen, Diagramme
336			\|b txt \|2 rdacontent
337			\|b n \|2 rdamedia
338			\|b nc \|2 rdacarrier
650	0	7	\|a Halbleiterschaltung \|0 (DE-588)4158811-3 \|2 gnd \|9 rswk-swf
650	0	7	\|a Aktives Bauelement \|0 (DE-588)4141755-0 \|2 gnd \|9 rswk-swf
650	0	7	\|a Elektronisches Bauelement \|0 (DE-588)4014360-0 \|2 gnd \|9 rswk-swf
650	0	7	\|a Halbleiterbauelement \|0 (DE-588)4113826-0 \|2 gnd \|9 rswk-swf
655		7	\|8 1\p \|0 (DE-588)4123623-3 \|a Lehrbuch \|2 gnd-content
689	0	0	\|a Halbleiterbauelement \|0 (DE-588)4113826-0 \|D s
689	0	1	\|a Aktives Bauelement \|0 (DE-588)4141755-0 \|D s
689	0	2	\|a Halbleiterschaltung \|0 (DE-588)4158811-3 \|D s
689	0		\|5 DE-604
689	1	0	\|a Elektronisches Bauelement \|0 (DE-588)4014360-0 \|D s
689	1	1	\|a Aktives Bauelement \|0 (DE-588)4141755-0 \|D s
689	1		\|8 2\p \|5 DE-604
776	0	8	\|i Erscheint auch als \|n Online-Ausgabe, ebk. \|z 978-3-658-24752-2
856	4	2	\|m HEBIS Datenaustausch \|q application/pdf \|u http://bvbr.bib-bvb.de:8991/F?func=service&doc_library=BVB01&local_base=BVB01&doc_number=030950570&sequence=000001&line_number=0001&func_code=DB_RECORDS&service_type=MEDIA \|3 Inhaltsverzeichnis
999			\|a oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-030950570
883	1		\|8 1\p \|a cgwrk \|d 20201028 \|q DE-101 \|u https://d-nb.info/provenance/plan#cgwrk
883	1		\|8 2\p \|a cgwrk \|d 20201028 \|q DE-101 \|u https://d-nb.info/provenance/plan#cgwrk

Record in the Search Index

_version_	1804179553744060416
adam_text	Inhaltsverzeichnis 1 Einleitung I 2 Grundlagen der Halbleiter 5 2 1 Halbleiter im Periodensystem der Elemente 5 2 2 Halbleiter zwischen Nichtleiter und Leiter 7 2 3 Aulbau der Atome 8 231 Bohr’sches Atommodell 8 232 Elektronenpaarbindung, Kristallgitter 11 233 Schalenmodell und Wechselwirkung 13 234 Bändermodcll und Fermi-Slatistik 15 2 4 Direkte und indirekte Halbleiter 22 241 Quanten und Wellen 22 242 Direkte Rekombination 24 243 Indirekte Rekombination 25 2 5 Eigenleitung 26 251 Eigenleitungsdichte 27 252 Ladungsträgerlebensdauer 30 253 Beweglichkeit 31 2 6 Slörstellenlcitung 32 261 Dotieren 32 262 Slörslellenleitung im Bändermodell 34 263 Allgemeines zu dotierten Halbleitern 35 264 Einfluss der Temperatur auf dotierte Halbleiter 36 265 Auswirkung der Temperatur auf Halbleiterbauelemente 38 3 Der pn-Übergang 39 3 1 Der pn-Übergang ohne äußere Spannung 39 311 Der ideale abrupte pn-Übergang 39 312 Diffusion und Rekombination im pn-Grenzgebiet 41 313 Ladungsträgerdichte 42 314 Raumladungsdichte 44 VII X Inhaltsverzeichnis 4 11 4 Suppressordiode 20 4 11 5 Temperatursensoren 24 4 11 6 124 4 11 6 1 Dreischichtdiode 25 4 11 6 2 Fünfschichtdiode 25 4 11 6 3 Vierschichtdiode 26 4 11 6 4 Anwendungen der Mehrschichtdioden 128 4 11 6 5 Kennwerte von Mehrschichtdioden 28 4 11 7 Zenerdiode, Z-Diode 28 4 11 8 Avalanchediode 50 4 11 9 Stromregeldiode 50 4 11 10 Leuchtdiode (Lumineszenzdiode LED) 5 4 11 10 1 Grundsätzliches 5 4 11 10 2 Funktionsprinzip 52 4 11 10 3 Herstellung 132 4 11 10 4 Material und Farben Spektrum 133 4 11 10 5 Technische Ausführung Aufbau 136 4 11 10 6 Flächen-und Kantenstrahler 136 4 11 10 7 Wirkungsgrad 139 4 11 10 8 Eigenschaften 139 4 11 10 9 Kennwerte und Grenzwerte 142 4 11 10 10 Anwendungen und Einsalzbereiche 143 4 11 11 Organische Leuchtdiode (OLED) 144 4 11 11 1 Vorteile 144 4 11 11 2 Nachteile 145 4 11 11 3 Organische Materialien 145 4 11 11 4 Aufbau 146 4 11 11 5 Funktionsweise 147 4 11 11 6 Aktivmatrix- und Passivmalrix-Displays 148 4 11 12 Laserdiode (LD) 149 4 11 12 1 Grundlagen 149 4 11 12 2 Realisierungsbedingungen für die Funktion der Laserdiode 152 4 11 12 3 Aufbau der Materialschichten 156 4 11 12 4 Aufbau des Laserresonators DFB-, DBR-Laser 157 4 11 12 5 Kenngrößen 159 = 4 11 12 6 Eigenschaften und Besonderheiten 161 j 4 11 12 7 Anwendungen 163 ; 4 11 12 8 Beispiel für Datenblattangaben einer Laserdiode 163 ( 4 11 13 Fotodiode 163 I 4 11 13 1 Funktionsweise 164 j 4 11 13 2 Betriebsarten 168 Inhaltsverzeichnis XI 4 11 13 3 Aufbau 170 4 11 13 4 Eigenschaften 171 4 11 13 5 Ausführungsformen 172 4 11 13 6 Anwendungen 173 4 11 14 Solarzelle 173 4 11 14 1 Aufbau einer Silizium-Solarzelle 174 4 11 14 2 Solarzellentypen 175 4 11 14 3 Verluste in Solarzellen 176 4 11 14 4 Eigenschaften von Solarzellen 177 4 11 14 5 Kenndaten der Solarzelle 179 4 11 14 6 Ersatzschaltbild der Solarzelle 182 4 11 14 7 Bypass-Diode 183 4 11 15 Kapazitätsdiode (Varaktor-Diode) 183 4 11 15 1 Allgemeines 184 4 11 15 2 Funktionsweise und Eigenschaften 184 4 11 15 3 Ersatzschallung, Güte 184 4 11 15 4 Grenzfrequenz/c (cut-off-frequency) 186 4 II 15 5 Temperalurabhängigkeit 186 4 11 15 6 Anwendungen 187 4 11 16 pin-Diode 189 4 11 16 1 Funktion 190 4 11 16 2 Anwendungen der pin-Diode 191 4 11 17 Tunneldiode (Esaki-Diode) 192 4 II 17 1 Grundlegendes zur Quantenphysik 193 4 11 17 2 Tunneleffekt 193 4 11 17 3 Aufbau und Funktion der Tunneldiode 195 4 11 17 4 Ersatzschaltung 197 4 11 17 5 Anwendungen der Tunneldiode 199 4 11 18 Rückwärtsdiode (Backwarddiode) 199 4 11 19 Gunndiode 200 4 11 19 1 Gunn-Effekt 200 4 11 19 2 Aufbau der Gunndiode 201 4 11 19 3 Funktionsweise der Gunndiode 201 4 11 19 4 Anwendungen der Gunndiode 206 4 11 20 IMPATT-Diode 207 4 11 20 1 Funktionsweise der IMPATT-Diode 207 4 11 20 2 Anwendungen der IMPATT-Diode 210 4 11 21 TRAPATT-Diode 210 4 11 22 BARITT-Diode 211 4 11 23 DOVETT-Diode 212 4 11 24 Ladungsspeicherungsdiode 213 XII Inhaltsverzeichnis 4 11 25 Speicherschalldiode (Step-Recovery-Diode) 213 4 11 26 Magnetdiode 215 4 11 26 1 Aufbau 215 4 11 26 2 Funktionsweise 215 4 11 26 3 Eigenschaften und Anwendungen 216 5 Bipolare Transistoren 217 5 1 Definition und Klassifizierung von Transistoren 217 5 2 Grundsätzlicher Aufbau des Transistors 220 5 3 Richtungen von Strömen und Spannungen 221 5 4 Betriebszustände (Arbeitsbereiche) 222 541 Aktiver Zustand (Normalbetrieb Vorwärtsbelrieb) 222 542 Gesättigter Zustand (Sättigungsbetrieb) 223 543 Gesperrter Zustand (Sperrbelrieb) 223 544 Inverser Zustand (Inversbetrieb Rückwärtsbelrieb) 224 5 5 Signaldynamik und Signalgröße 224 5 6 Funktionsweise 225 5 7 Die drei Grundschaltungen des Bipolartransistors 230 5 8 Einsatz als Verstärker oder Schalter 231 581 Verstärkerbetrieb 231 582 Schalterbetrieb 233 5 9 Kennlinien des Transistors 234 591 Eingangskennlinie 234 5911 Verlauf der Eingangskennlinie 234 5912 Differenzieller Eingangswidersland 237 592 Ausgangskennlinie 238 5921 Ausgangskennlinienfeld für Spannungs- und Stromsteuerung 238 5922 Aktiver Bereich 239 5923 Übersteuerungsbereich 240 5924 Sperrbereich 241 5925 Differenzieller Ausgangswiderstand 244 593 Steuerkennlinien 245 5931 Strom-Steucrkennlinie 245 5932 Spannungs-Steuerkennlinie 246 594 Rückwirkungskennlinie 247 595 Vierquadranten-Kennlinienfeld 248 5 10 Durchbruchspannungen und Grenzströme 250 5 10 1 Durchbruch 1 Art 250 5 10 1 1 Basis-Emitter-Diode 250 5 10 1 2 Basis-Kollektor-Diode 250 5 10 1 3 Kollektor-Emitler-Slrecke 251 Inhaltsverzeichnis XIII 5 10 2 Durchbruch 2 Art 252 5 10 3 Grenzslröme 252 5 11 Maximale Verlustleistung 252 5 11 1 Statischer Betrieb 252 5 11 2 Pulsbetrieb 255 5 12 Erlaubter Arbeitsbereich 257 5 13 Rauschen beim Bipolartransistor 258 5 13 1 Allgemeines zum Rauschen 258 5 13 2 Beschreibung stochastischer Signale 260 5 13 3 Rauschquellen beim Bipolartransistor 269 5 13 3 1 Thermisches Rauschen (Widerstandsrauschen) 269 5 13 3 2 Schrotrauschen (Scholtky-Rauschen) 270 5 13 3 3 I// -Rauschen 271 5 13 3 4 Popcorn-Rauschen 271 5 13 3 5 Generalions-Rekombinations-Rauschen 272 5 13 3 6 Stromverteilungsrauschen 272 5 13 3 7 Avalanche-Rauschen 272 5 13 4 Rauschzahl 272 5 13 4 1 Definition und Eigenschaften 272 5 13 4 2 Bereich weißes Rauschen 274 5 13 4 3 Bereich 1//-Rauschen 275 5 13 4 4 Bereich hoher Frequenzen 276 5 14 Beschreibung durch Gleichungen 276 5 15 Abhängigkeiten der Stromverstärkung 277 5 15 1 Abhängigkeit der Stromverstärkung vom Arbeitspunkt 277 5 15 2 Abhängigkeit der Stromverstärkung von der Grundschallung 278 5 15 2 1 Stromverstärkung der Basisschaltung 278 5 15 2 2 Stromverstärkung der Emitterschaltung 280 5 15 2 3 Stromverstärkung der Kollektorschaltung 280 5 15 2 4 Umrechnung der Stromverstärkungen 281 5 15 3 Stromverstärkung in Abhängigkeit der Frequenz, Grenzfrequenzen 281 5 15 3 1 /i-Grenzfrequenz 281 5 15 3 2 Transitfrequenz 282 5 15 3 3 Maximale Schwingfrequenz 283 5 16 Dynamisches Schaltverhalten des Bipolartransistors 284 5 16 1 Schaltzeiten 285 5 16 1 1 Einschaltverzögerung/d 285 5 16 1 2 Anstiegszeit t, 285 5 16 1 3 Speicherzeil/s 286 5 16 1 4 Abfallzeit tf 287 5 16 1 5 Verkürzung der Schaltzeilen 287 XIV Inhaltsverzeichnis 5 17 Modelle und Ersatzschaltungen des Bipolartransistors 288 5 17 1 Die physikalische Ersatzschaltung 289 5 17 1 1 Das Ebers-Mol 1-Modell 290 5 17 1 2 Transportmodell 293 5 17 1 3 Gummel-Poon-Modell 294 5 17 1 4 Gleichstrom-Kleinsignalersatzschaltbild 295 5 17 2 Die formale Ersalzschaltung 301 5 17 2 1 Allgemeines zum Vierpol 301 5 17 2 2 /t-Paramcter 203 5 17 2 3 Bestimmung der /i-Parameter aus den Kennlinien 304 5 17 2 4 Umrechnung der /i-Parameter zwischen Grundschaltungen 306 5 17 2 5 Umrechnung von /i-Paramelcm lur andere Arbeitspunkle 207 5 17 2 6 y-Parameter 309 5 17 2 7 Umrechnung zwischen v-und/t-Parametem 310 5 17 2 8 s-Parameler -211 5 17 2 9 Vierpolparameter und physikalisches Ersatzschaltbild 314 5 17 2 10 Berechnung des Belriebsverhaltens 314 5 17 3 Wechselslrom-Kleinsignalersatzschallbild 317 5 18 Aufbau und Herstellungsverfahren von Bipolartransistoren 318 5 18 1 Spitzentransistor 318 5 18 2 Legierungstransislor 319 5 18 3 Mesatransislor 319 5 18 4 Planartransistor 320 5 18 4 1 Herstellung von Einzeltransistoren, innerer Aufbau 321 5 18 4 2 Bauformen, Gehäuse von Einzcltransistoren 321 5 18 4 3 Integrierte Transistoren, Herstellung und innerer Aufbau 323 5 18 4 4 Herstellungsprozess am Beispiel eines npn-Transistors 324 5 18 4 5 Emilterrandverdrängung 326 5 19 Hetero-Bipolartransistor (HBT) 327 5 20 Darlington-Transistor 3 30 5 20 1 Verlauf der Stromverstärkung 332 5 20 1 1 Stromverstärkung im Bereich 1 332 5 20 1 2 Stromverstärkung im Bereich 2 und 3 333 5 20 2 Schaltverhallen 3 34 5 20 3 Kleinsignalverhalten 335 5 20 4 Weitere Besonderheiten des Darlinglon-Transislors 336 Inhaltsverzeichnis XV 6 Feldeffekttransistoren 337 6 1 Allgemeine Eigenschaften 337 6 2 Funktionsprinzip und Klassifikation 339 621 Praxis mit Feldeffekttransistoren 341 622 Unterschiede zwischen unipolaren und bipolaren Transistoren 343 6 3 Die drei Grundschallungen des Feldeffekttransistors 344 6 4 Prinzipieller Aufbau und Wirkungsweise des Sperrschicht-FET 345 641 JFET ohne äußere Spannung 345 642 Uos variabel, UDs klein und konstant 346 643 Uos variabel, Uqs = 0 348 644 Uqs und Uqs variabel 349 645 Kennlinien des JFET, Beschreibung durch Gleichungen 351 6451 Begriffe 351 Ö 452 Kennlinienarten 352 6453 Übertragungskennlinie 352 Ö 454 Ausgangskennlinienfeld 353 646 Temperaturabhängigkeit der JFET-Parameter 355 6 5 Prinzipieller Aufbau und Wirkungsweise des MOSFETs 357 651 MOS-Kondensator, Grundlagen des MOSFETs 357 652 Aufbau eines n-Kanal MOSFET 359 6521 Anreicherungstyp 359 6522 Verarmungstyp 360 653 Wirkungsweise des n-Kanal MOSFET, Anreicherungslyp 362 654 Wirkungsweise des n-Kanal MOSFET, Verarmungstyp 366 655 Kennlinien des MOSFETs, Beschreibung durch Gleichungen 368 6551 n-Kanal MOSFET, Anreicherungstyp 368 6552 n-Kanal MOSFET, Verarmungstyp 372 656 MOSFET als steuerbarer Widerstand 373 657 Temperaturabhängigkeit der MOSFET-Parameter 375 6 6 Modelle und Ersalzschallungen des Feldeffekttransistors 377 661 Statisches Verhallen 377 662 Dynamisches Verhalten 378 663 Klcinsignalmodell 379 6631 Gleichslrom-Kleinsignalersatzschaltbild 379 6 Ö 3 2 Wcchselstrom-Kleinsignalersatzschaltbild 381 6 Ö 3 3 Grenzfrequenzen bei Kleinsignalbetrieb 383 6 7 Grenzdaten und Sperrströme 384 671 Durchbruchspannungen 385 6711 Gate-Durchbruch 385 6712 Drain-Source-Durchbruch 385 XVI Inhaltsverzeichnis 672 Grenzströme 386 6721 Drainstrom 386 Ö 722 Rückwärtsdiode 386 Ö 723 Gatestrom 386 673 Sperrströme 387 674 Maximale Verlustleistung 387 675 Erlaubter Arbeitsbereich 387 6 8 Der FET als Schalter 388 681 Schaltstufen mit FET 388 682 Dynamisches Verhalten von FET-Schaltstufen 390 6 9 Rauschen beim Feldeffekttransistor 391 6 10 Spezielle Bauformen von Feldeffekttransistoren 392 6 10 1 Leistungs-MOSFETs 392 6 10 1 1 Allgemeines Vorteile Einsatzgebiete 392 6 10 1 2 FET mit DMOS-Struktur 393 6 10 1 3 FET mil VMOS-Slruktur 394 6 10 1 4 HEXFET 396 6 10 1 5 SIPMOS-Transistor 396 6 10 1 6 LDMOS-Transistor 397 6 10 1 7 FREDFET 398 6 10 2 Intelligente Leistungs-FETs 398 6 10 2 1 TEMPFET (Temperature Protected FET) 399 6 10 2 2 PRÜFET (Protected FET) 399 6 10 3 Weitere Bauformen von FETs 399 6 10 3 1 Dual-Gate MOSFET 399 6 10 3 2 MESFET 400 6 10 3 3 HEMT (MODFET) 401 6 10 3 4 ISFET 403 6 10 3 5 ENFET 404 6 10 3 6 TFT-Transistor 405 6 11 Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) 405 6 11 1 Struktureller Aufbau 406 6 11 2 NPT-und PT-Struktur 406 6 11 3 Funktionsweise 409 6 11 4 IGBT Latch-Up 410 6 11 5 Kennlinien 412 6 11 5 1 Vorwärtssperrzustand 413 6 11 5 2 Durchlasszustand 413 6 11 5 3 Rückwärtsbelrieb 414 Inhaltsverzeichnis XVII 6 11 6 Schallverhalten 415 6 11 6 1 Übersicht 415 6 11 6 2 Ein- und Ausschalten im Detail, Vergleich MOSFET-IGBT 415 6 11 7 Trench-IGBT 418 7 Thyristoren 421 7 1 Einteilung der Thyristoren 421 7 2 Einrichtungs-Thyristortriode (Thyristor) 422 721 Grundlagen der Funktionsweise 423 722 Aufbau 424 723 Strom-Spannungs-Kennlinie 426 7231 Betrieb in Sperrrichtung 426 7232 Betrieb in (Vorwärts-)Blockierrichtung 427 724 Der Zündvorgang 429 7241 Erläuterung des Zündvorgangs mit Hilfe des Zweitransistormodells 429 7242 Die Zündbedingung 430 7243 Zündung ohne Steuerstrom (Iq = 0) 432 7244 Zündung durch den Steuerstrom 432 725 Löschen des Thyristors 435 726 Kennlinie des Steuerkreises 435 727 Temperalurabhängigkeit 436 728 Dynamische Eigenschaften 437 7281 Kritische Spannungsanstiegsgeschwindigkeit du/dt 437 7282 Kritische Stromanstiegsgeschwindigkeit di/dt 437 7283 Einschaltverhalten 438 7284 Ausschaltverhalten 439 729 Spannungs- und Stromgrenzwerte 440 7 2 10 Phasenanschnittsteuerung mit Thyristor 442 7 2 10 1 Funktionsweise der Phasenanschnittsteuerung 442 7 2 10 2 Berechnung der Änderung der Leistungsaufnahme 444 7 2 11 Zusammenfassung der Eigenschaften von Thyristoren 445 7 2 12 Vergleich von Thyristor und mechanischem Schalter 445 7 3 Spezielle Bauformen des Thyristors 446 731 Zweirichtungs-Thyrislordiode (TRIAC) 446 732 Einrichtungs-Thyristortetrode 448 733 Asymmetrisch sperrende Thyristoren 449 7331 Rückwärts leitender Thyristor (RCT) 449 7332 Asymmetrisch sperrender Thyristor (ASCR) 449 XVIII Inhaltsverzeichnis 734 Gate Turn-Off Thyristor (GTO) 450 7341 Übersicht 450 7342 Halbleiterstruklur 450 7343 Stationäre Strom-Spannungskennlinie 451 7344 Vorgang beim Abschalten 451 7345 Zusammenfassung der Eigenschalten des GTO 452 735 MOS-gesteuerter Thyristor (MCT) 452 7351 Übersicht 452 7352 Halbleiterstruktur 453 7353 Schalteigenschaften des p-MCT 454 7354 Zusammenfassung der Eigenschaften von MCTs 455 736 Lichlgesteuerter Thyristor (LTT) 455 737 Feldgesteuerter Thyristor (FCT) 456 7371 Übersicht 456 13 1 2 Schalteigenschaften des FCT 456 738 Gate-Commutated Thyristor (GCT 1GCT) 457 739 Unijunction-Transistor (UJT) 458 7391 Wirkungsweise 458 13 9 2 Anwendung 460 8 Operationsverstärker 463 8 1 Allgemeines, Überblick 463 8 2 Schaltsymbol, Anschlüsse 464 8 3 Ausführungsformen 465 8 4 Betriebsspannungen 466 8 5 Operationsverstärker-Typen 468 851 Normaler Operationsverstärker 468 852 Transkonduklanz-Verstärker 469 853 Transimpedanz-Verstärker 470 854 Strom-Verstärker 471 8 6 Der normale Operationsverstärker 471 861 Begriffsdefinitionen 472 862 Differenzverstärkung, Leerlaufspannungsverstärkung Vo 474 863 Übertragungskennlinie 474 864 Gleichlaktverstärkung, Gleichtaktunlerdrückung 476 865 Eingangswiderstände 478 8651 Differenzeingangswidersland 479 8 Ö 5 2 Gleichtakleingangswiderstand 479 866 Ausgangswiderstand 480 867 Eingangsslröme 481 8671 Eingangsruhestrom 481 8672 Offsetstrom (Eingangsfehlstrom) 482 Inhaltsverzeichnis XIX 868 OITsetspannung 483 869 Verstärkungseinstellung durch Gegenkopplung 486 8 6 10 Verslärkungs-Bandbreiteprodukt 487 8 6 10 1 Frequenzgang der Leerlaufverstärkung 487 8 6 10 2 Erhöhung der Bandbreite durch Gegenkopplung 489 8 6 11 Frequenzgangkorrektur 490 8 6 11 1 Mehrstufiger Verstärker 490 8 6 11 2 Schwingbedingung 491 8 6 11 3 Amplituden-und Phasenrand 494 8 6 11 4 Prinzip der Frequenzgangkorrektur 495 8 6 11 5 Frequenzgangkorrektur am Operationsverstärker 496 8 6 12 Spannungsbereich und Stromaufnahme 500 8 6 13 Temperaturbereich 500 8 6 14 Anstiegsgeschwindigkeit 500 8 6 15 Maximale Ausgangsspannung 502 8 6 16 Einschwingzeit (Settling Time) 503 8 6 17 Zeitverzögerung nach Überlast 504 8 6 18 Rauschen 504 8 7 Der ideale Operationsverstärker 507 8 8 Interner Aufbau von Operationsverstärkern 508 881 Übersicht 508 882 Die Eingangsslufe (Differenzverstärker) 509 8821 Grundschallung des Differenzverstärkers 510 8822 Realisierung der Konstantstromquelle 512 8823 Übertragungskennlinie des npn-Differenzverslärkers 513 8824 Übertragungskennlinie des n-Kanal MOSFET-Differenzverstärkers 514 883 Die Koppelslufe 514 884 Die Ausgangsstufe 516 8 9 Tipps zum praktischen Einsatz von Operationsverstärkern 516 9 Grundlagen integrierter Halbleiterschaltungen 519 9 1 Allgemeines zu integrierten Schaltungen 519 911 Definition und Arten der Integration 519 9111 Hybride Integration 520 9112 Monolithische Integration 524 9113 Multi Chip Module 525 912 Vor-und Nachteile integrierter Schaltungen 525 913 Einteilung integrierter Schaltungen 526 9131 Integrationsgrad 526 9132 Befestigungsart auf der Leiterplatte 527 9133 Technologie 527 XX Inhaltsverzeichnis 9134 Schaltzeiten 527 9135 Temperaturbereiche 529 9136 Schaltungsart 529 9137 Anwendungsbereich 529 9138 Programmierbare Logik 531 9139 Zugänglichkeit 531 9 2 Kenngrößen digitaler Schaltkreise 532 921 Betriebsspannung 532 922 Pegelbereiche und Übertragungskennlinie logischer Schaltungen 532 923 Spannungspegel, Slörabstand 533 924 Lastfaktoren 535 925 Ausgangsstufen 536 926 Schaltzeiten 536 927 Verlustleistung 537 9 3 Logikbaureihen 538 931 Übersicht Bipolare Schaltkreisfamilien 538 932 Übersicht MOS-Schallkreisfamilien 539 9 4 Bipolare Schaltkreisfamilien 540 941 RTL 540 942 DTL 540 943 ECL 542 944 I2L 545 945 TTL 546 9451 Funktion 546 9452 TTL-Ausgangsschallungen 548 9453 TTL-Schaltungsvarianten 551 9454 TTL-kompalible High-Speed-CMOS-Logik 557 9 5 MOS-Schaltkreisfamilien 560 951 Vorteile von MOSFETs in integrierten Schaltungen 560 952 PMOS-Technologie 561 953 NMOS-Technologie 561 954 CMOS-Technologie 563 9541 Allgemeine Eigenschaften 563 9542 Statische CMOS-Logik 56 3 9543 CMOS-Inverter 565 9544 CMOS-Gatter 567 9545 Prinzipieller Aufbau von CMOS-Bauelemenlen 568 9546 Eingangs-Schutzschaltung 568 9547 Lalch-up-Effekt 569 9 5A8 Transmissionsgatter 570 9S49 Dynamische CMOS-Logik 570 955 BICMOS-Logik 572 Inhaltsverzeichnis XXI 10 Halbleiterspeicher 575 10 1 Einteilung digitaler Halbleiterspeicher 575 10 2 Allgemeiner Aufbau der Speicherbausteine 577 10 2 1 Speicherorganisation 577 10 2 2 Der Adressdekoder 580 10 2 3 Die Speicherzelle 581 10 2 4 Aufbau von Speicherbausteinen, Zusammenfassung 582 10 2 5 Busleitungen, Steuersignale 582 10 2 6 Kenndaten 583 10 261 Kapazität und Organisation eines Speicherbausteines 583 10 262 Zeitverhalten von Speichern 584 10 3 Einteilung der Tabellenspeicher 585 10 4 Einteilung der Festwertspeicher 585 10 4 1 Masken-ROM 586 10 4 2 Mit Programmiergerät programmierbare PROMs 587 10 421 PROM, ein Mal programmierbar 587 10 422 EPROM, löschbar und mehrfach programmierbar 588 10 4 3 In der Schaltung lösch-und programmierbare PROMs 592 10 431 EEPROM (E2PROM, Electrically Erasable PROM) 592 10 432 Flash-EEPROM 596 10 4 4 MRAM (Magnetic Random Access Memory) 603 10 441 Grundlagen, magnetoresistive Effekte 603 10 442 Funktionsweise 604 10 443 Lese-und Schreibvorgang 605 10 4 5 FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) 606 10 451 Grundlagen, Ferroelektrika 606 10 452 Aufbau und Funktionsweise 607 10 453 Lese-und Schreibvorgang 608 10 454 OUM (Ovonic Unified Memory) 609 10 5 Einteilung der flüchtigen Speicher 610 10 5 1 Statisches RAM (SRAM) 611 10 511 Die SRAM-Speicherzelle 611 10 512 Die SRAM-Speichermalrix 613 10 513 Spezielle Typen statischer RAM 615 10 5 2 Dynamisches RAM (DRAM) 616 10 521 Die Ein-Transislor-DRAM-Zelle 616 10 522 Architektur und interne Steuerung 617 10 523 Lesevorgang 620 10 524 Schreibvorgang 621 10 525 Refresh-Arten 622 10 526 Organisationsarten und Typen von DRAMs 623 XXII Inhaltsverzeichnis 11 Anwendungsspezifische Integrierte Bausteine 627 11 1 Einsatz von ASICs 627 11 2 Einteilung von ASICs 628 11 2 1 Full-Custom-ASIC 629 11 2 2 Standardzellen-ASIC 629 11 2 3 Gate Array 630 11 2 4 Programmierbare Logikbausteine 631 11 3 Entwurfsablauf eines AS1C 632 11 3 1 Vorüberlegungen 632 11 311 Infrastruktur 632 11 312 Technologie 633 11 313 Entwurfsstraiegie 633 11 314 Stückzahlen, Kosten Zeit 634 11 3 2 Schaltungsenlwicklung 634 11 321 Entwurfsschritle 634 11 322 Handrechnung 637 11 3 3 Schallungseingabe 637 11 331 Schaltplaneingabe 638 11 332 Hardwarebeschreibungssprachen 639 11 333 Schaltungssynthese 639 11 3 4 Simulation 11 341 Grundlagen 11 342 Parameterstreuungsabschätzung 11 3 5 Layout 11 351 Layerbezeichnungen 11 352 Schematic Driven Layout 11 353 Automatische Platzierung und Verdrahtung 11 354 Mixed-Mode Layoutregeln 11 355 Dummystrukturen zur Nachkorrektur 11 356 Testpads 11 3 6 Enlwurfsprüfung 11 361 ERC 11 362 DRC 11 363 LVS 11 3 7 Fertigung 11 371 Allgemeines 11 372 Maskenerslellung 11 373 Single Run 11 374 MPW-Run 11 375 Backup-Wafer Inhaltsverzeichnis XXIII 11 3 8 Mechanischer Aufbau 646 11 381 Bonddrähte 646 11 382 Mechanische Spannungen im Substrat 647 11 3 9 Test 647 11 391 Anforderungen und Fehlerarten 647 11 392 Teststralegie 648 11 393 Fehlermodelle 649 11 394 Prüfpfadlechnik 649 11 395 Boundary Scan 649 11 396 Teslarten 650 11 4 Einteilung programmierbarer Logikbausteine 651 11 4 1 Übersicht und Begriffe 651 11 4 2 Architektur anwenderprogrammierbarer Logikschaltkreise 653 11 421 Kurzdarslcllung von Verbindungsstrukturen 653 11 422 Elementare kombinatorische Schaltkreise 653 11 423 Grundsätzliches zur Architektur 655 11 424 Technologien 658 11 425 Wichtige Kennwerte 658 11 4 3 PAL 659 11 431 Kombinatorische PALs 659 11 432 Sequenzielle (Registered) PALs 659 11 4 4 GAL 663 11 4 5 CPLD 666 11 4 6 FPGA 670 11 461 Interne Struktur eines FPGA 670 11 462 Vorteile von FPGAs, Anwendungsgebiete 670 11 463 Aulbau eines FPGA 671 11 464 Architektur und Verdrahtung 673 11 465 Wahl eines FPGA 673 11 466 Programmiertechnologien 674 Liste verwendeter Formelzeichen 677 Literatur 685 Stichwortverzeichnis
any_adam_object	1
author	Stiny, Leonhard
author_GND	(DE-588)121846377
author_facet	Stiny, Leonhard
author_role	aut
author_sort	Stiny, Leonhard
author_variant	l s ls
building	Verbundindex
bvnumber	BV045566922
classification_rvk	ZN 4600
ctrlnum	(OCoLC)1099848786 (DE-599)BVBBV045566922
discipline	Elektrotechnik / Elektronik / Nachrichtentechnik
edition	4., durchgesehene Auflage
format	Book
fullrecord	<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?><collection xmlns="http://www.loc.gov/MARC21/slim"><record><leader>02339nam a2200493 c 4500</leader><controlfield tag="001">BV045566922</controlfield><controlfield tag="003">DE-604</controlfield><controlfield tag="005">20201005 </controlfield><controlfield tag="007">t</controlfield><controlfield tag="008">190424s2019 a\|\|\| \|\|\|\| 00\|\|\| ger d</controlfield><datafield tag="020" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">9783658247515</subfield><subfield code="c">kart. : EUR 79,99</subfield><subfield code="9">978-3-658-24751-5</subfield></datafield><datafield tag="020" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">3658247517</subfield><subfield code="9">3-658-24751-7</subfield></datafield><datafield tag="035" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">(OCoLC)1099848786</subfield></datafield><datafield tag="035" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">(DE-599)BVBBV045566922</subfield></datafield><datafield tag="040" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">DE-604</subfield><subfield code="b">ger</subfield><subfield code="e">rda</subfield></datafield><datafield tag="041" ind1="0" ind2=" "><subfield code="a">ger</subfield></datafield><datafield tag="049" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">DE-B768</subfield><subfield code="a">DE-92</subfield><subfield code="a">DE-523</subfield><subfield code="a">DE-Aug4</subfield><subfield code="a">DE-29T</subfield><subfield code="a">DE-703</subfield><subfield code="a">DE-634</subfield><subfield code="a">DE-860</subfield><subfield code="a">DE-12</subfield></datafield><datafield tag="084" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">ZN 4600</subfield><subfield code="0">(DE-625)157403:</subfield><subfield code="2">rvk</subfield></datafield><datafield tag="100" ind1="1" ind2=" "><subfield code="a">Stiny, Leonhard</subfield><subfield code="e">Verfasser</subfield><subfield code="0">(DE-588)121846377</subfield><subfield code="4">aut</subfield></datafield><datafield tag="240" ind1="1" ind2="0"><subfield code="a">Handbuch aktiver elektronischer Bauelemente (2009)</subfield></datafield><datafield tag="245" ind1="1" ind2="0"><subfield code="a">Aktive elektronische Bauelemente</subfield><subfield code="b">Aufbau, Struktur, Wirkungsweise, Eigenschaften und praktischer Einsatz diskreter und integrierter Halbleiter-Bauteile</subfield><subfield code="c">Leonhard Stiny</subfield></datafield><datafield tag="250" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">4., durchgesehene Auflage</subfield></datafield><datafield tag="264" ind1=" " ind2="1"><subfield code="a">Wiesbaden</subfield><subfield code="b">Springer Vieweg</subfield><subfield code="c">[2019]</subfield></datafield><datafield tag="300" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">XXIII, 718 Seiten</subfield><subfield code="b">Illustrationen, Diagramme</subfield></datafield><datafield tag="336" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">txt</subfield><subfield code="2">rdacontent</subfield></datafield><datafield tag="337" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">n</subfield><subfield code="2">rdamedia</subfield></datafield><datafield tag="338" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">nc</subfield><subfield code="2">rdacarrier</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Halbleiterschaltung</subfield><subfield code="0">(DE-588)4158811-3</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Aktives Bauelement</subfield><subfield code="0">(DE-588)4141755-0</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Elektronisches Bauelement</subfield><subfield code="0">(DE-588)4014360-0</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Halbleiterbauelement</subfield><subfield code="0">(DE-588)4113826-0</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="655" ind1=" " ind2="7"><subfield code="8">1\p</subfield><subfield code="0">(DE-588)4123623-3</subfield><subfield code="a">Lehrbuch</subfield><subfield code="2">gnd-content</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="0"><subfield code="a">Halbleiterbauelement</subfield><subfield code="0">(DE-588)4113826-0</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="1"><subfield code="a">Aktives Bauelement</subfield><subfield code="0">(DE-588)4141755-0</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="2"><subfield code="a">Halbleiterschaltung</subfield><subfield code="0">(DE-588)4158811-3</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2=" "><subfield code="5">DE-604</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="1" ind2="0"><subfield code="a">Elektronisches Bauelement</subfield><subfield code="0">(DE-588)4014360-0</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="1" ind2="1"><subfield code="a">Aktives Bauelement</subfield><subfield code="0">(DE-588)4141755-0</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="1" ind2=" "><subfield code="8">2\p</subfield><subfield code="5">DE-604</subfield></datafield><datafield tag="776" ind1="0" ind2="8"><subfield code="i">Erscheint auch als</subfield><subfield code="n">Online-Ausgabe, ebk.</subfield><subfield code="z">978-3-658-24752-2</subfield></datafield><datafield tag="856" ind1="4" ind2="2"><subfield code="m">HEBIS Datenaustausch</subfield><subfield code="q">application/pdf</subfield><subfield code="u">http://bvbr.bib-bvb.de:8991/F?func=service&doc_library=BVB01&local_base=BVB01&doc_number=030950570&sequence=000001&line_number=0001&func_code=DB_RECORDS&service_type=MEDIA</subfield><subfield code="3">Inhaltsverzeichnis</subfield></datafield><datafield tag="999" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-030950570</subfield></datafield><datafield tag="883" ind1="1" ind2=" "><subfield code="8">1\p</subfield><subfield code="a">cgwrk</subfield><subfield code="d">20201028</subfield><subfield code="q">DE-101</subfield><subfield code="u">https://d-nb.info/provenance/plan#cgwrk</subfield></datafield><datafield tag="883" ind1="1" ind2=" "><subfield code="8">2\p</subfield><subfield code="a">cgwrk</subfield><subfield code="d">20201028</subfield><subfield code="q">DE-101</subfield><subfield code="u">https://d-nb.info/provenance/plan#cgwrk</subfield></datafield></record></collection>
genre	1\p (DE-588)4123623-3 Lehrbuch gnd-content
genre_facet	Lehrbuch
id	DE-604.BV045566922
illustrated	Illustrated
indexdate	2024-07-10T08:21:42Z
institution	BVB
isbn	9783658247515 3658247517
language	German
oai_aleph_id	oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-030950570
oclc_num	1099848786
open_access_boolean
owner	DE-B768 DE-92 DE-523 DE-Aug4 DE-29T DE-703 DE-634 DE-860 DE-12
owner_facet	DE-B768 DE-92 DE-523 DE-Aug4 DE-29T DE-703 DE-634 DE-860 DE-12
physical	XXIII, 718 Seiten Illustrationen, Diagramme
publishDate	2019
publishDateSearch	2019
publishDateSort	2019
publisher	Springer Vieweg
record_format	marc
spelling	Stiny, Leonhard Verfasser (DE-588)121846377 aut Handbuch aktiver elektronischer Bauelemente (2009) Aktive elektronische Bauelemente Aufbau, Struktur, Wirkungsweise, Eigenschaften und praktischer Einsatz diskreter und integrierter Halbleiter-Bauteile Leonhard Stiny 4., durchgesehene Auflage Wiesbaden Springer Vieweg [2019] XXIII, 718 Seiten Illustrationen, Diagramme txt rdacontent n rdamedia nc rdacarrier Halbleiterschaltung (DE-588)4158811-3 gnd rswk-swf Aktives Bauelement (DE-588)4141755-0 gnd rswk-swf Elektronisches Bauelement (DE-588)4014360-0 gnd rswk-swf Halbleiterbauelement (DE-588)4113826-0 gnd rswk-swf 1\p (DE-588)4123623-3 Lehrbuch gnd-content Halbleiterbauelement (DE-588)4113826-0 s Aktives Bauelement (DE-588)4141755-0 s Halbleiterschaltung (DE-588)4158811-3 s DE-604 Elektronisches Bauelement (DE-588)4014360-0 s 2\p DE-604 Erscheint auch als Online-Ausgabe, ebk. 978-3-658-24752-2 HEBIS Datenaustausch application/pdf http://bvbr.bib-bvb.de:8991/F?func=service&doc_library=BVB01&local_base=BVB01&doc_number=030950570&sequence=000001&line_number=0001&func_code=DB_RECORDS&service_type=MEDIA Inhaltsverzeichnis 1\p cgwrk 20201028 DE-101 https://d-nb.info/provenance/plan#cgwrk 2\p cgwrk 20201028 DE-101 https://d-nb.info/provenance/plan#cgwrk
spellingShingle	Stiny, Leonhard Aktive elektronische Bauelemente Aufbau, Struktur, Wirkungsweise, Eigenschaften und praktischer Einsatz diskreter und integrierter Halbleiter-Bauteile Halbleiterschaltung (DE-588)4158811-3 gnd Aktives Bauelement (DE-588)4141755-0 gnd Elektronisches Bauelement (DE-588)4014360-0 gnd Halbleiterbauelement (DE-588)4113826-0 gnd
subject_GND	(DE-588)4158811-3 (DE-588)4141755-0 (DE-588)4014360-0 (DE-588)4113826-0 (DE-588)4123623-3
title	Aktive elektronische Bauelemente Aufbau, Struktur, Wirkungsweise, Eigenschaften und praktischer Einsatz diskreter und integrierter Halbleiter-Bauteile
title_alt	Handbuch aktiver elektronischer Bauelemente (2009)
title_auth	Aktive elektronische Bauelemente Aufbau, Struktur, Wirkungsweise, Eigenschaften und praktischer Einsatz diskreter und integrierter Halbleiter-Bauteile
title_exact_search	Aktive elektronische Bauelemente Aufbau, Struktur, Wirkungsweise, Eigenschaften und praktischer Einsatz diskreter und integrierter Halbleiter-Bauteile
title_full	Aktive elektronische Bauelemente Aufbau, Struktur, Wirkungsweise, Eigenschaften und praktischer Einsatz diskreter und integrierter Halbleiter-Bauteile Leonhard Stiny
title_fullStr	Aktive elektronische Bauelemente Aufbau, Struktur, Wirkungsweise, Eigenschaften und praktischer Einsatz diskreter und integrierter Halbleiter-Bauteile Leonhard Stiny
title_full_unstemmed	Aktive elektronische Bauelemente Aufbau, Struktur, Wirkungsweise, Eigenschaften und praktischer Einsatz diskreter und integrierter Halbleiter-Bauteile Leonhard Stiny
title_short	Aktive elektronische Bauelemente
title_sort	aktive elektronische bauelemente aufbau struktur wirkungsweise eigenschaften und praktischer einsatz diskreter und integrierter halbleiter bauteile
title_sub	Aufbau, Struktur, Wirkungsweise, Eigenschaften und praktischer Einsatz diskreter und integrierter Halbleiter-Bauteile
topic	Halbleiterschaltung (DE-588)4158811-3 gnd Aktives Bauelement (DE-588)4141755-0 gnd Elektronisches Bauelement (DE-588)4014360-0 gnd Halbleiterbauelement (DE-588)4113826-0 gnd
topic_facet	Halbleiterschaltung Aktives Bauelement Elektronisches Bauelement Halbleiterbauelement Lehrbuch
url	http://bvbr.bib-bvb.de:8991/F?func=service&doc_library=BVB01&local_base=BVB01&doc_number=030950570&sequence=000001&line_number=0001&func_code=DB_RECORDS&service_type=MEDIA
work_keys_str_mv	AT stinyleonhard handbuchaktiverelektronischerbauelemente2009 AT stinyleonhard aktiveelektronischebauelementeaufbaustrukturwirkungsweiseeigenschaftenundpraktischereinsatzdiskreterundintegrierterhalbleiterbauteile

Holdings

There is no print copy available.

Interlibrary loan Place Request Caution: Not in THWS collection! Indexes

MARC

Record in the Search Index

There is no print copy available.

Similar Items