Holdings: Materialien und Prozessführung für vertikale Stoßionisationstransistoren

Materialien und Prozessführung für vertikale Stoßionisationstransistoren:

Saved in:

Bibliographic Details
Main Author:	Kubot, Tina (Author)
Format:	Thesis Book
Language:	German
Published:	Göttingen Cuvillier 2015
Edition:	1. Aufl.
Subjects:	Germanium Silicium Stoffeigenschaft High-k Metal-Gate-Technik Vertikaler Transistor MOS-FET Niedrigtemperatur Elektrische Eigenschaft Stoßionisation Prozessentwicklung > Technik Halbleitertechnologie Elektronik Transistor Materialwissenschaften Hochschulschrift
Online Access:	Inhaltstext Inhaltsverzeichnis
Physical Description:	137 S. Illustrationen, Diagramme 21 cm
ISBN:	9783954049721

Staff View

MARC


LEADER	00000nam a22000008c 4500
001	BV042554911
003	DE-604
005	20190207
007	t
008	150512s2015 gw a\|\|\| m\|\|\| 00\|\|\| ger d
015			\|a 15,N20 \|2 dnb
016	7		\|a 1070523844 \|2 DE-101
020			\|a 9783954049721 \|c Pb. : EUR 34.00 (DE), EUR 35.00 (AT), sfr 45.90 (freier Pr.) \|9 978-3-95404-972-1
024	3		\|a 9783954049721
035			\|a (OCoLC)909049534
035			\|a (DE-599)DNB1070523844
040			\|a DE-604 \|b ger \|e rakddb
041	0		\|a ger
044			\|a gw \|c XA-DE-NI
049			\|a DE-706 \|a DE-83 \|a DE-210
082	0		\|a 621.381528 \|2 22/ger
082	0		\|a 621.3 \|2 23
084			\|a ZN 4870 \|0 (DE-625)157415: \|2 rvk
084			\|a 621.3 \|2 sdnb
100	1		\|a Kubot, Tina \|e Verfasser \|0 (DE-588)1154494489 \|4 aut
245	1	0	\|a Materialien und Prozessführung für vertikale Stoßionisationstransistoren \|c Tina Kubot
250			\|a 1. Aufl.
264		1	\|a Göttingen \|b Cuvillier \|c 2015
300			\|a 137 S. \|b Illustrationen, Diagramme \|c 21 cm
336			\|b txt \|2 rdacontent
337			\|b n \|2 rdamedia
338			\|b nc \|2 rdacarrier
502			\|a Zugl.: München, Univ. der Bundeswehr, Diss., 2015
650	0	7	\|a Germanium \|0 (DE-588)4135644-5 \|2 gnd \|9 rswk-swf
650	0	7	\|a Silicium \|0 (DE-588)4077445-4 \|2 gnd \|9 rswk-swf
650	0	7	\|a Stoffeigenschaft \|0 (DE-588)4192147-1 \|2 gnd \|9 rswk-swf
650	0	7	\|a High-k Metal-Gate-Technik \|0 (DE-588)1036390497 \|2 gnd \|9 rswk-swf
650	0	7	\|a Vertikaler Transistor \|0 (DE-588)7743263-0 \|2 gnd \|9 rswk-swf
650	0	7	\|a MOS-FET \|0 (DE-588)4207266-9 \|2 gnd \|9 rswk-swf
650	0	7	\|a Niedrigtemperatur \|0 (DE-588)4417434-2 \|2 gnd \|9 rswk-swf
650	0	7	\|a Elektrische Eigenschaft \|0 (DE-588)4193812-4 \|2 gnd \|9 rswk-swf
650	0	7	\|a Stoßionisation \|0 (DE-588)4183433-1 \|2 gnd \|9 rswk-swf
650	0	7	\|a Prozessentwicklung \|g Technik \|0 (DE-588)4278925-4 \|2 gnd \|9 rswk-swf
653			\|a Halbleitertechnologie
653			\|a Elektronik
653			\|a Transistor
653			\|a Materialwissenschaften
655		7	\|0 (DE-588)4113937-9 \|a Hochschulschrift \|2 gnd-content
689	0	0	\|a MOS-FET \|0 (DE-588)4207266-9 \|D s
689	0	1	\|a Stoßionisation \|0 (DE-588)4183433-1 \|D s
689	0	2	\|a Vertikaler Transistor \|0 (DE-588)7743263-0 \|D s
689	0	3	\|a High-k Metal-Gate-Technik \|0 (DE-588)1036390497 \|D s
689	0	4	\|a Prozessentwicklung \|g Technik \|0 (DE-588)4278925-4 \|D s
689	0	5	\|a Niedrigtemperatur \|0 (DE-588)4417434-2 \|D s
689	0	6	\|a Elektrische Eigenschaft \|0 (DE-588)4193812-4 \|D s
689	0	7	\|a Stoffeigenschaft \|0 (DE-588)4192147-1 \|D s
689	0	8	\|a Silicium \|0 (DE-588)4077445-4 \|D s
689	0	9	\|a Germanium \|0 (DE-588)4135644-5 \|D s
689	0		\|5 DE-604
710	2		\|a Eric Cuvillier (Firma) \|e Sonstige \|0 (DE-588)1067137041 \|4 oth
856	4	2	\|m X:MVB \|q text/html \|u http://deposit.dnb.de/cgi-bin/dokserv?id=5229275&prov=M&dok_var=1&dok_ext=htm \|3 Inhaltstext
856	4	2	\|m DNB Datenaustausch \|q application/pdf \|u http://bvbr.bib-bvb.de:8991/F?func=service&doc_library=BVB01&local_base=BVB01&doc_number=027988726&sequence=000001&line_number=0001&func_code=DB_RECORDS&service_type=MEDIA \|3 Inhaltsverzeichnis
943	1		\|a oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-027988726

Record in the Search Index

_version_	1809771522022178816
adam_text	INHALTSVERZEICHNIS ZUSAMMENFASSUNG I EINLEITUNG VII 1. THEORETISCHE BETRACHTUNGEN 1 1.1. TVIANGULAR BARRIER DIODE 1 1.2. 1MOS 14 1.2.1. LATERALER IMOS 14 1.2.2. VERTIKALER IMOS 21 1.2.3. SKIZZE EINES ANALYTISCHEN MODELLS 27 2. TECHNOLOGISCHE GRUNDLAGEN UND PROZESSENTWICKLUNG 31 2.1. STAND DER TECHNIK 32 2.1.1. REINIGUNG 32 2.1.2. EPITAXIE 33 2.1.3. MESASTRUKTURIERUNG 41 2.1.4. GATESTACK 43 2.1.5. PASSIVIERUNG 44 2.1.6. METALLISIERUNG 45 2.2. PROZESSENTWICKLUNG 46 2.2.1. EPITAXIE 47 2.2.2. GATEDIELEKTRIKUM 50 2.2.3. METALLISCHE GATEELEKTRODE 61 2.2.4. PASSIVIERUNG 63 2.3. ZUSAMMENFASSUNG DES NEU ENTWICKELTEN NIEDERTEMPERATURPROZESSES . 69 3. ELEKTRISCHE CHARAKTERISIERUNG 71 3.1. PIN-DIODEN 71 3.1.1. PIN-DIODEN AUS MBE-PROZESSEN 72 3.1.2. PIN-DIODEN AUS CVD-PROZESSEN 76 3.1.3. MODELLIERUNG 80 3.2. THANGULAR BARRIER DIODEN 81 3.2.1. SILIZIUM-GERMANIUM-TBDS 82 3.2.2. SILIZIUM-TBDS AUS MBE-PROZESSEN 87 V HTTP://D-NB.INFO/1070523844 INHALTSVERZEICHNIS 3.2.3. SILIZIUM-TBDS AUS CVD-PROZESSEN 90 3.2.4. VERIFIKATION DER ERGEBNISSE 93 3.3. VERTIKALE STOSSIONISATIONSTRANSISTOREN 95 3.3.1. HIGH-K-METAL-GATE IMOS 95 3.3.2. HIGH-K-METAL-GATE SILIZIUM-GERMANIUM-IMOS 103 3.3.3. SCHLUSSFOLGERUNGEN 104 4. ZUSAMMENFASSUNG UND AUSBLICK 107 A. ANHANG 111 DANKSAGUNG 137 VI
any_adam_object	1
author	Kubot, Tina
author_GND	(DE-588)1154494489
author_facet	Kubot, Tina
author_role	aut
author_sort	Kubot, Tina
author_variant	t k tk
building	Verbundindex
bvnumber	BV042554911
classification_rvk	ZN 4870
ctrlnum	(OCoLC)909049534 (DE-599)DNB1070523844
dewey-full	621.381528 621.3
dewey-hundreds	600 - Technology (Applied sciences)
dewey-ones	621 - Applied physics
dewey-raw	621.381528 621.3
dewey-search	621.381528 621.3
dewey-sort	3621.381528
dewey-tens	620 - Engineering and allied operations
discipline	Elektrotechnik / Elektronik / Nachrichtentechnik
edition	1. Aufl.
format	Thesis Book
fullrecord	<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?><collection xmlns="http://www.loc.gov/MARC21/slim"><record><leader>00000nam a22000008c 4500</leader><controlfield tag="001">BV042554911</controlfield><controlfield tag="003">DE-604</controlfield><controlfield tag="005">20190207</controlfield><controlfield tag="007">t</controlfield><controlfield tag="008">150512s2015 gw a\|\|\| m\|\|\| 00\|\|\| ger d</controlfield><datafield tag="015" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">15,N20</subfield><subfield code="2">dnb</subfield></datafield><datafield tag="016" ind1="7" ind2=" "><subfield code="a">1070523844</subfield><subfield code="2">DE-101</subfield></datafield><datafield tag="020" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">9783954049721</subfield><subfield code="c">Pb. : EUR 34.00 (DE), EUR 35.00 (AT), sfr 45.90 (freier Pr.)</subfield><subfield code="9">978-3-95404-972-1</subfield></datafield><datafield tag="024" ind1="3" ind2=" "><subfield code="a">9783954049721</subfield></datafield><datafield tag="035" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">(OCoLC)909049534</subfield></datafield><datafield tag="035" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">(DE-599)DNB1070523844</subfield></datafield><datafield tag="040" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">DE-604</subfield><subfield code="b">ger</subfield><subfield code="e">rakddb</subfield></datafield><datafield tag="041" ind1="0" ind2=" "><subfield code="a">ger</subfield></datafield><datafield tag="044" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">gw</subfield><subfield code="c">XA-DE-NI</subfield></datafield><datafield tag="049" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">DE-706</subfield><subfield code="a">DE-83</subfield><subfield code="a">DE-210</subfield></datafield><datafield tag="082" ind1="0" ind2=" "><subfield code="a">621.381528</subfield><subfield code="2">22/ger</subfield></datafield><datafield tag="082" ind1="0" ind2=" "><subfield code="a">621.3</subfield><subfield code="2">23</subfield></datafield><datafield tag="084" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">ZN 4870</subfield><subfield code="0">(DE-625)157415:</subfield><subfield code="2">rvk</subfield></datafield><datafield tag="084" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">621.3</subfield><subfield code="2">sdnb</subfield></datafield><datafield tag="100" ind1="1" ind2=" "><subfield code="a">Kubot, Tina</subfield><subfield code="e">Verfasser</subfield><subfield code="0">(DE-588)1154494489</subfield><subfield code="4">aut</subfield></datafield><datafield tag="245" ind1="1" ind2="0"><subfield code="a">Materialien und Prozessführung für vertikale Stoßionisationstransistoren</subfield><subfield code="c">Tina Kubot</subfield></datafield><datafield tag="250" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">1. Aufl.</subfield></datafield><datafield tag="264" ind1=" " ind2="1"><subfield code="a">Göttingen</subfield><subfield code="b">Cuvillier</subfield><subfield code="c">2015</subfield></datafield><datafield tag="300" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">137 S.</subfield><subfield code="b">Illustrationen, Diagramme</subfield><subfield code="c">21 cm</subfield></datafield><datafield tag="336" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">txt</subfield><subfield code="2">rdacontent</subfield></datafield><datafield tag="337" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">n</subfield><subfield code="2">rdamedia</subfield></datafield><datafield tag="338" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">nc</subfield><subfield code="2">rdacarrier</subfield></datafield><datafield tag="502" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">Zugl.: München, Univ. der Bundeswehr, Diss., 2015</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Germanium</subfield><subfield code="0">(DE-588)4135644-5</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Silicium</subfield><subfield code="0">(DE-588)4077445-4</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Stoffeigenschaft</subfield><subfield code="0">(DE-588)4192147-1</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">High-k Metal-Gate-Technik</subfield><subfield code="0">(DE-588)1036390497</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Vertikaler Transistor</subfield><subfield code="0">(DE-588)7743263-0</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">MOS-FET</subfield><subfield code="0">(DE-588)4207266-9</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Niedrigtemperatur</subfield><subfield code="0">(DE-588)4417434-2</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Elektrische Eigenschaft</subfield><subfield code="0">(DE-588)4193812-4</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Stoßionisation</subfield><subfield code="0">(DE-588)4183433-1</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Prozessentwicklung</subfield><subfield code="g">Technik</subfield><subfield code="0">(DE-588)4278925-4</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="653" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">Halbleitertechnologie</subfield></datafield><datafield tag="653" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">Elektronik</subfield></datafield><datafield tag="653" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">Transistor</subfield></datafield><datafield tag="653" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">Materialwissenschaften</subfield></datafield><datafield tag="655" ind1=" " ind2="7"><subfield code="0">(DE-588)4113937-9</subfield><subfield code="a">Hochschulschrift</subfield><subfield code="2">gnd-content</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="0"><subfield code="a">MOS-FET</subfield><subfield code="0">(DE-588)4207266-9</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="1"><subfield code="a">Stoßionisation</subfield><subfield code="0">(DE-588)4183433-1</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="2"><subfield code="a">Vertikaler Transistor</subfield><subfield code="0">(DE-588)7743263-0</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="3"><subfield code="a">High-k Metal-Gate-Technik</subfield><subfield code="0">(DE-588)1036390497</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="4"><subfield code="a">Prozessentwicklung</subfield><subfield code="g">Technik</subfield><subfield code="0">(DE-588)4278925-4</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="5"><subfield code="a">Niedrigtemperatur</subfield><subfield code="0">(DE-588)4417434-2</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="6"><subfield code="a">Elektrische Eigenschaft</subfield><subfield code="0">(DE-588)4193812-4</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Stoffeigenschaft</subfield><subfield code="0">(DE-588)4192147-1</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="8"><subfield code="a">Silicium</subfield><subfield code="0">(DE-588)4077445-4</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="9"><subfield code="a">Germanium</subfield><subfield code="0">(DE-588)4135644-5</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2=" "><subfield code="5">DE-604</subfield></datafield><datafield tag="710" ind1="2" ind2=" "><subfield code="a">Eric Cuvillier (Firma)</subfield><subfield code="e">Sonstige</subfield><subfield code="0">(DE-588)1067137041</subfield><subfield code="4">oth</subfield></datafield><datafield tag="856" ind1="4" ind2="2"><subfield code="m">X:MVB</subfield><subfield code="q">text/html</subfield><subfield code="u">http://deposit.dnb.de/cgi-bin/dokserv?id=5229275&prov=M&dok_var=1&dok_ext=htm</subfield><subfield code="3">Inhaltstext</subfield></datafield><datafield tag="856" ind1="4" ind2="2"><subfield code="m">DNB Datenaustausch</subfield><subfield code="q">application/pdf</subfield><subfield code="u">http://bvbr.bib-bvb.de:8991/F?func=service&doc_library=BVB01&local_base=BVB01&doc_number=027988726&sequence=000001&line_number=0001&func_code=DB_RECORDS&service_type=MEDIA</subfield><subfield code="3">Inhaltsverzeichnis</subfield></datafield><datafield tag="943" ind1="1" ind2=" "><subfield code="a">oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-027988726</subfield></datafield></record></collection>
genre	(DE-588)4113937-9 Hochschulschrift gnd-content
genre_facet	Hochschulschrift
id	DE-604.BV042554911
illustrated	Illustrated
indexdate	2024-09-10T01:43:38Z
institution	BVB
institution_GND	(DE-588)1067137041
isbn	9783954049721
language	German
oai_aleph_id	oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-027988726
oclc_num	909049534
open_access_boolean
owner	DE-706 DE-83 DE-210
owner_facet	DE-706 DE-83 DE-210
physical	137 S. Illustrationen, Diagramme 21 cm
publishDate	2015
publishDateSearch	2015
publishDateSort	2015
publisher	Cuvillier
record_format	marc
spelling	Kubot, Tina Verfasser (DE-588)1154494489 aut Materialien und Prozessführung für vertikale Stoßionisationstransistoren Tina Kubot 1. Aufl. Göttingen Cuvillier 2015 137 S. Illustrationen, Diagramme 21 cm txt rdacontent n rdamedia nc rdacarrier Zugl.: München, Univ. der Bundeswehr, Diss., 2015 Germanium (DE-588)4135644-5 gnd rswk-swf Silicium (DE-588)4077445-4 gnd rswk-swf Stoffeigenschaft (DE-588)4192147-1 gnd rswk-swf High-k Metal-Gate-Technik (DE-588)1036390497 gnd rswk-swf Vertikaler Transistor (DE-588)7743263-0 gnd rswk-swf MOS-FET (DE-588)4207266-9 gnd rswk-swf Niedrigtemperatur (DE-588)4417434-2 gnd rswk-swf Elektrische Eigenschaft (DE-588)4193812-4 gnd rswk-swf Stoßionisation (DE-588)4183433-1 gnd rswk-swf Prozessentwicklung Technik (DE-588)4278925-4 gnd rswk-swf Halbleitertechnologie Elektronik Transistor Materialwissenschaften (DE-588)4113937-9 Hochschulschrift gnd-content MOS-FET (DE-588)4207266-9 s Stoßionisation (DE-588)4183433-1 s Vertikaler Transistor (DE-588)7743263-0 s High-k Metal-Gate-Technik (DE-588)1036390497 s Prozessentwicklung Technik (DE-588)4278925-4 s Niedrigtemperatur (DE-588)4417434-2 s Elektrische Eigenschaft (DE-588)4193812-4 s Stoffeigenschaft (DE-588)4192147-1 s Silicium (DE-588)4077445-4 s Germanium (DE-588)4135644-5 s DE-604 Eric Cuvillier (Firma) Sonstige (DE-588)1067137041 oth X:MVB text/html http://deposit.dnb.de/cgi-bin/dokserv?id=5229275&prov=M&dok_var=1&dok_ext=htm Inhaltstext DNB Datenaustausch application/pdf http://bvbr.bib-bvb.de:8991/F?func=service&doc_library=BVB01&local_base=BVB01&doc_number=027988726&sequence=000001&line_number=0001&func_code=DB_RECORDS&service_type=MEDIA Inhaltsverzeichnis
spellingShingle	Kubot, Tina Materialien und Prozessführung für vertikale Stoßionisationstransistoren Germanium (DE-588)4135644-5 gnd Silicium (DE-588)4077445-4 gnd Stoffeigenschaft (DE-588)4192147-1 gnd High-k Metal-Gate-Technik (DE-588)1036390497 gnd Vertikaler Transistor (DE-588)7743263-0 gnd MOS-FET (DE-588)4207266-9 gnd Niedrigtemperatur (DE-588)4417434-2 gnd Elektrische Eigenschaft (DE-588)4193812-4 gnd Stoßionisation (DE-588)4183433-1 gnd Prozessentwicklung Technik (DE-588)4278925-4 gnd
subject_GND	(DE-588)4135644-5 (DE-588)4077445-4 (DE-588)4192147-1 (DE-588)1036390497 (DE-588)7743263-0 (DE-588)4207266-9 (DE-588)4417434-2 (DE-588)4193812-4 (DE-588)4183433-1 (DE-588)4278925-4 (DE-588)4113937-9
title	Materialien und Prozessführung für vertikale Stoßionisationstransistoren
title_auth	Materialien und Prozessführung für vertikale Stoßionisationstransistoren
title_exact_search	Materialien und Prozessführung für vertikale Stoßionisationstransistoren
title_full	Materialien und Prozessführung für vertikale Stoßionisationstransistoren Tina Kubot
title_fullStr	Materialien und Prozessführung für vertikale Stoßionisationstransistoren Tina Kubot
title_full_unstemmed	Materialien und Prozessführung für vertikale Stoßionisationstransistoren Tina Kubot
title_short	Materialien und Prozessführung für vertikale Stoßionisationstransistoren
title_sort	materialien und prozessfuhrung fur vertikale stoßionisationstransistoren
topic	Germanium (DE-588)4135644-5 gnd Silicium (DE-588)4077445-4 gnd Stoffeigenschaft (DE-588)4192147-1 gnd High-k Metal-Gate-Technik (DE-588)1036390497 gnd Vertikaler Transistor (DE-588)7743263-0 gnd MOS-FET (DE-588)4207266-9 gnd Niedrigtemperatur (DE-588)4417434-2 gnd Elektrische Eigenschaft (DE-588)4193812-4 gnd Stoßionisation (DE-588)4183433-1 gnd Prozessentwicklung Technik (DE-588)4278925-4 gnd
topic_facet	Germanium Silicium Stoffeigenschaft High-k Metal-Gate-Technik Vertikaler Transistor MOS-FET Niedrigtemperatur Elektrische Eigenschaft Stoßionisation Prozessentwicklung Technik Hochschulschrift
url	http://deposit.dnb.de/cgi-bin/dokserv?id=5229275&prov=M&dok_var=1&dok_ext=htm http://bvbr.bib-bvb.de:8991/F?func=service&doc_library=BVB01&local_base=BVB01&doc_number=027988726&sequence=000001&line_number=0001&func_code=DB_RECORDS&service_type=MEDIA
work_keys_str_mv	AT kubottina materialienundprozessfuhrungfurvertikalestoßionisationstransistoren AT ericcuvillierfirma materialienundprozessfuhrungfurvertikalestoßionisationstransistoren

Holdings

There is no print copy available.

Interlibrary loan Place Request Caution: Not in THWS collection! Description

MARC

Record in the Search Index

There is no print copy available.

Similar Items