Ionenstrahlgestützte Fasertexturierung und Kornwachstum in polykristallinem Dünnschichtsilizium:
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2014 [erschienen] 2015
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| adam_text | INHALTSVERZEICHNIS
ABBILDUNGSVERZEICHNIS V
TABELLENVERZEICHNIS IX
KURZFASSUNG XI
GLOSSAR XIII
1 EINLEITUNG 1
2 GRUNDLAGEN 5
2.1 KRISTALLSTRUKTUR UND ROENTGENBEUGUNG 5
2.1.1 DAS REZIPROKE GITTER 9
2.1.2 BEWERTUNG EINER VORZUGSORIENTIERUNG 9
2.1.3 EFFEKTIVE SCHICHTDICKE 10
2.2
KEIMAUSWAHL DURCH KANALSTREUUNG
(SSIC) 11
3 EXPERIMENTELLE METHODEN 15
3.1 SILIZIUMABSCHEIDUNG 15
3.1.1 SILIZIUMABSCHEIDUNG MITTELS PECVD 15
3.1.2 SILIZIUMABSCHEIDUNG MITTELS EBE 16
3.2 BLITZLAMPENTEMPERUNG (FLA) 16
3.2.1 NUMERISCHE SIMULATION DER PROBENTEMPERATUR 20
3.3 OFENTEMPERUNG 21
3.4 IONENIMPLANTATION 22
3.4.1 IONENSTRAHLIMPLANTATION 22
3.4.2 SIMULATION DER ION-TARGET-WECHSELWIRKUNG 24
3.4.3 PLASMAGESTUETZTE IONENIMPLANTATION (PBII) 26
I
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3.5 METHODEN DER ROENTGENBEUGUNG 28
3.5.1 SYMMETRISCHER SCAN (W-20-SCAN) 29
3.5.2 STREIFENDER EINFALL (GIXRD) 30
3.5.3 OMEGA-SCAN ROENTGENBEUGUNGSANALYSE 31
3.5.4 XRD-ANALYSE WAEHREND DER KRISTALLISATION VON SILIZIUM . . 31
3.6 TRANSMISSIONSELEKTRONENMIKROSKOPIE (TEM) 34
4 ERGEBNISSE 37
4.1 HERSTELLUNG VON POLY-SI-SCHICHTEN 37
4.1.1 SCHICHTEN MIT EINER DICKE VON 400 NM 37
4.1.2 SCHICHTEN MIT EINER DICKE VON 100 NM 39
4.1.3 SCHICHTEN MIT EINER DICKE VON 30 NM 43
4.2 UBERSICHT GEPLANTER EXPERIMENTE ZUM SSIC-VERFAHREN 48
4.3 KLASSISCHE SSIC MIT SI
+
-IONEN 50
4.3.1 PROBENPRAEPARATION 50
4.3.2 SIMULATION DER WINKELABHAENGIGEN KEIMAUSWAHL 50
4.3.3 NACHWEIS DER KORNAUSRICHTUNG MITTELS W-SCAN XRD ... 53
4.3.4 DISKUSSION 54
4.4 TEXTUROPTIMIERUNG VON 100 NM POLY-SI
(SSIC
-PROZESSREGIME) . . 55
4.4.1 PROBENPRAEPARATION 56
4.4.2 AMORPHISIERUNG BEI T = *130 C (LNT) 57
4.4.3 AMORPHISIERUNG BEI RAUMTEMPERATUR 71
4.4.4 PROZESSVARIATIONEN ZUM NACHWEIS DER SSIC 72
4.4.5 DISKUSSION 76
4.5 KORNAUSRICHTUNG NACH INHOMOGENER P
+
-DOTIERUNG MITTELS PBII . 78
4.5.1 PROBENPRAEPARATION 78
4.5.2 FLUENZABHAENGIGE (LLL)-FASERTEXTUR 79
4.5.3 TEM-ANALYSE DER KORNSTRUKTUR 80
4.5.4 IN SITU XRD
WAEHREND DER REKRISTALLISATION 83
4.5.5 DIFFUSION VON PHOSPHOR IN SILIZIUM BEI 600
C 85
4.5.6 ELEKTRISCHE SCHICHTEIGENSCHAFTEN 86
4.5.7 DISKUSSION 88
5 ZUSAMMENFASSUNG UND AUSBLICK 89
5.1 ZUR KLASSISCHEN SSIC 89
5.2 ZUR KORNAUSRICHTUNG DURCH OBERFLAECHENENERGIEMINIMIERUNG ... 90
LITERATURVERZEICHNIS XVII
DANKSAGUNG XXVII
EHRENWOERTLICHE VERSICHERUNG XXIX
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