Herstellung und Untersuchung von Galliumarsenid-Einkristallen:
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| Published: |
Wiesbaden
VS Verlag für Sozialwissenschaften
1974
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| Series: | Forschungsberichte des Landes Nordrhein-Westfalen
2382 |
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| Online Access: | FLA01 Volltext |
| Item Description: | Literaturverzeichnis 47 58 Abbildungen 86 Liste der Bezeichnungen zu Abschnitt 5 - 1 - Herstellung und Untersuchung von Galliumarsenid - Einkristallen Die vorliegende Arbeit berichtet über Versuche zur Herstellung von Galliumarsenid-Einkristallen und über Materialuntersuchungen an solchen Halbleiterkristallen. Als Kristallzuchtverfahren wird das GREMMELMAIER-Verfahren behandelt +) 1m Mittelpunkt der Materialuntersuchungen stehen Messungen der Tragerlebensdauer an Epitaxieschichten. 1. Einleitung Galliumarsenid gehört zur Gruppe der III-V-Verbindungshalbleiter, über deren Eigenschaften NELKER [1 J im Jahre 1952 zuerst berichtet hat. Die Eigenschaften von Galliumarsenid haben zur Entwicklung einer Vielzahl von elektronischen Bauelementen geführt (Abb. 1) [3 - 10, 12J. In der Herstellung von Bauelementen steht die Praparation von Einkristallen am Anfang einer Reihe von Verfahrensschritten (Abb. 2). Daher werden an die kristallographischen und elektrischen Eigenschaften dieser Kristalle besonders-hohe Anforderungen gestellt. Zur wirtschaftlichen Herstellung von Einkristallen werden vorzugsweise Kristallisationsverfahren aus einer st6chiometrischen Schmelze verwendet: 1. Das BRIDGMAN -Verfahren: Hier wird die Schmelze durch einen steilen Temperaturgradienten gefahren. 2. Das NACKEN-KYROPOULOS-Verfahren: Hier wird ein gektihlter Keimkristall in die Schmelze getaucht. 3. Das CZOCHRALSKI-Verfahren: Hier wird ein Keimkristall langsam aus der Schmelze herausgezogen [11] |
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| ISBN: | 9783322880963 9783531023823 |
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