Bänderstruktur und Stromtransport - Heywang, Walter (Springer Berlin Heidelberg, 1976)
Der vorliegende dritte Band der Buchreihe "Halbleiterelektronik" soll den in den beiden Einführungsbanden gegebenen Überblick hinsichtlich der fundamentalen physikalischen Eigenschaften vertiefen. So werden ebenso wie im folgenden Technologieband Fragen behandelt, die für alle Halbleiterbauelemente wesentlich sind. So basiert der an Bedeutung rasant zunehmende Komplex der opto elektronischen Bauelemente auf den Begriffen der direkten und indirekten Band-Band-Übergange und auf der spezifischen Wirkungsweise flacher und tiefer Störstellen. Die auf dem Gunneffekt beruhenden Mikrowellengeneratoren und -Verstärker können nur auf Grund eines fundierten Einblickes in die Struktur der Energiebänder verstanden werden. Für die Feldeffekttransistoren ist die Bandstruktur im Kanal nahe der Halbleiteroberflache von großer Bedeutung. Darüber hinaus aber sind es die heHlen Elektronen, die die Wirkungsweise der bereits erwähnten Halbleiterbauelemente ebenso wie die von modernen Bipolartransistoren und Lawinenlaufzeitdioden entscheidend beeinflussen. Ziel des vorliegenden Bandes ist die Erarbeitung eines vertieften, über das rein Formale hinausgehenden Verständnisses der eben angesprochenen Fragen. Da der Ingenieur und der anwendungsorientierte Physiker bevorzugt angesprochen werden sollen, war auf die Anschaulichkeit bei der Erfassung der Begriffe und bei den physikalischen Begründungen der allergrößte Wert zu legen. Nur so bleiben die Überlegungen im Gedächtnis haften und werden zu einem stets verfügbaren gedanklichen Werkzeug. Nirgends konnte dabei Vollständigkeit angestrebt werden. Sowohl die Auswahl des Stoffes als auch die der zitierten Literaturstellen erfolgte nach didaktischen Gesichtspunkten 7, weshalb Fragen der Priorität außer Acht gelassen werden mußten