Ortsaufgelöste Bestimmung von Gitterverzerrungen in Silizium-Nanostrukturen mittels Elektronenrückstreubeugung:
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| Published: |
Aachen
Shaker
2014
Halle (Saale) Fraunhofer CSP |
| Edition: | 1. Aufl. |
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| adam_text | INHALTSVERZEICHNIS
1 EINLEITUNG 1
1.1 MOTIVATION 1
1.2 ZIELSTELLUNG DER ARBEIT 3
2 STAND DER WISSENSCHAFT 5
2.1 ROENTGENBEUGUNG 5
2.2 ELEKTRONENMIKROSKOPIE UND ELEKTRONENBEUGUNG 7
2.2.1 TRANSMISSIONSELEKTRONENMIKROSKOPIE 7
2.2.2 ELEKTRONENRUECKSTREUBEUGUNG 9
2.3 OPTISCHE SPEKTROSKOPIE 10
2.3.1 RAMANSPEKTROSKOPIE 10
2.3.2 KATHODOLUMINESZENZ 12
2.3.3 WEITERE OPTISCHE VERFAHREN 12
2.4 ALTERNATIVE MESSVERFAHREN 13
2.5 ZUSAMMENFASSUNG 14
3 GRUNDLAGEN 15
3.1 MECHANIK 15
3.1.1 VERSCHIEBUNG, VERZERRUNG UND ROTATION IN
KONTINUUMSMECHAMSCHER BESCHREIBUNG 15
3.1.2 SPANNUNGEN 19
3.1.3 MATERIALGESETZ 20
3.2 BEUGUNG RUECKGESTREUTER ELEKTRONEN 21
3.2.1 GEOMETRISCHE INTERPRETATION DER
ELEKTRONENRUECKSTREUBEUGUNG 22
3.2.2 DYNAMISCHE THEORIE DER ELEKTRONENBEUGUNG 23
3.2.3 DYNAMISCHE SIMULATION VON BEUGUNGSBILDERN
RUECKGESTREUTER ELEKTRONEN 25
3.2.4 ANALYSE VON GITTERVERZERRUNG MITTELS ELEKTRONENRUECKSTREUBEUGUNG .
. 26
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INHAL T SVERZEICHNIS
3.3 WECHSELWIRKUNG VON IONEN
MIT KONDENSIERTER MATERIE 28
3.3.1 OBERFLAECHENEROSION 29
3.3.2 OBERFLAECHENSTRUKTURIERUNG 31
4 GERAETE UND METHODEN 34
4.1 EBSD 34
4.1.1 INSTRUMENTIERUNG 34
4.1.2 KALIBRIERUNG 35
4.2 HOCHAUFGELOESTE STRUKTURAUFKLAERUNG 35
4.3 OBERFLAECHENANALYTIK 37
5 VERZERRUNGSANALYSE UND ZIELPRAEPARATION IN SILIZIUM-STRUKTUREN 39
5.1 ANALYSE VON BEUGUNGSBILDERN 39
5.1.1 SEGMENTIERUNG 39
5.1.2 KREUZKORRELATION 41
5.1.3 QUALITAET VON BEUGUNGSBILDERN 42
5.1.4 FILTERUNG 45
5.1.5 ARTEFAKTE UND STOERGROESSEN 46
5.2 ZIELPRAEPARATION 49
5.2.1 AQUISITIONS-UND PRAEPARATIONSTRATEGIEN 49
5.2.2 SPANNUNGSRELAXATION 51
6 ERGEBNISSE 53
6.1 IONENSTRAHLPRAEPARATION
EINKRISTALLINER SILIZIUM-OBERFLAECHEN 53
6.1.1 ZERSTAEUBUNGSAUSBEUTEN 53
6.1.2 TOPOGRAPHIE 55
6.1.3 AMORPHISIERUNG 60
6.1.4 GITTERVERZERRUNG 64
6.1.5 MOLEKULARDYNAMISCHE SIMULATION
DER IONEN-FESTKOERPER-WECHSELWIRKUNG 66
6.1.6 BILDQUALITAET 68
6.2 ANALYSE DES VERZERRUNGSZUSTANDS EINER
STRAINED SILICON ON INSULATOR-SCHICHT, 70
7 DISKUSSION 75
7.1 ANWENDBARKEIT DER *PATTERN-SHIFT METHODIK 75
7.1.1 VERGLEICHSMESSUNGEN 75
III
7.1.2 REFERENZBILDER 78
7.1.3 AUFNAHMESTRATEGIEN 79
7.1.4 ANALYSE VON VERSCHIEBUNGEN IN BEUGUNGSBILDERN
RUECKGESTREUTER ELEKTRONEN 80
7.2 OBERFLAECHENGUETE IONENSTRAHLERODIERTER
SILIZIUM-OBERFLAECHEN 82
7.2.1 GITTERSCHAEDIGUNG 82
7.2.2 OBERFLAECHENSTRUKTURIERUNG 85
7.2.3 ZERSTAEUBUNGSAUSBEUTE 86
7.2.4 KONSEQUENZEN FUER DIE KOMBINIERTE TONENSTRAHLPRAEPARATION
UND ELEKTRONENRUECKSTREUBEUGUNG 88
8 ZUSAMMENFASSUNG 89
9 AUSBLICK 91
ANHANG I
LITERATURVERZEICHNIS X
ANGABEN ZUR PERSON XXVI
ERKLAERUNG
XXVII
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| topic_facet | Nanostruktur Verzerrung Siliciumhalbleiter Kristallgitter Ionenstrahlätzen Elektronenrückstreubeugung Hochschulschrift |
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