Zur Mikrostruktur siliziumbasierter Dünnschichten für die Photovoltaik:
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Jülich
Forschungszentrum Jülich, Zentralbibliothek
2013
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| Series: | Schriften des Forschungszentrums Jülich
Reihe Energie & Umwelt ; 176 |
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IMAGE 1
INHALTSVERZEICHNIS
1 EINLEITUNG 1
2 GRUNDLAGEN 5
2.1 ATOMARE ORDNUNG IM FESTKOERPER 5
2.1.1 KRISTALLINE PHASE 5
2.1.2 AMORPHE PHASE 7
2.2 DEPOSITIONSVERFAHREN 8
2.3 GRUNDLAGEN UEBER DIE VERWENDETEN MATERIALSYSTEME 8
2.3.1 AMORPHES SILIZIUM 8
2.3.2 MIKROKRISTALLINES SILIZIUM 12
2.3.3 SILIZIUMKARBID 14
2.4 CHARAKTERISIERUNGSMETHODEN 16
2.4.1 RAMANSPEKTROSKOPIE 16
2.4.2 ROENTGENBEUGUNG 23
3 AMORPHES SILIZIUM 29
3.1 RAMANSPEKTROSKOPIE 29
3.1.1 BEISPIELSPEKTREN UND AUSWERTUNG 29
3.1.2 CHARAKTERISIERUNG DER ORDNUNG DURCH RAMANSPEKTROSKOPIE 31
3.2 ROENTGENBEUGUNG 36
3.2.1 CHARAKTERISIERUNG DER ORDNUNG DURCH XRD 36
3.2.2 MEDIUM RANGE ORDER UND STAEBLER-WRONSKI-EFFEKT 37
3.2.3 MEDIUM RANGE ORDER DER AMORPHEN PHASE IN MIKROKRISTALLINEM
SILIZIUM 39
4 MIKROKRISTALLINES SILIZIUM 41
4.1 BESTIMMUNG DES KRISTALLINEN VOLUMENANTEILS IN DUENNSCHICHTSILIZIUM 41
4.1.1 ANALYSE MITTELS RAMANSPEKTROSKOPIE 42
4.1.2 ANALYSE MITTELS ROENTGENBEUGUNG 48
4.1.3 VERGLEICH VON RAMANKRISTALLINITAET UND XRD-KRISTALLMITAET 48
4.2 TIEFENAUFGELOESTE MESSUNGEN DES KRISTALLINEN VOLUMENANTEILS 50
4.2.1 GI-XRD UNTER VARIIERENDEM EINFALLSWINKEL 51
4.2.2 RAMANSPEKTROSKOPIE AN GEAETZTEN SCHICHTEN 53
4.2.3 TIEFENAUFLOESUNG MITTELS IN-SITU-RAMANSPEKTROSKOPIE 57
4.3 AUSWIRKUNG DER VORZUGSORIENTIERUNG AUF SOLARZELLENEIGENSCHAFTEN 58
4.3.1 ROENTGENBEUGUNG 59
4.3.2 TRANSMISSIONSELEKTRONENMIKROSKOPIE 61
5 MIKROKRISTALLINES SILIZIUMKARBID 65
5.1 PC-SIC:H - EIN MISCHPHASENMATERIAL? 66
5.1.1 RAMANSPEKTROSKOPIE 67
5.1.2 INFRAROTSPEKTROSKOPIE 70
5.1.3 ROENTGENBEUGUNG 71
5.1.4 TRANSMISSIONSELEKTRONENMIKROSKOPIE 73
5.1.5 ALTERNATIVE INTERPRETATION VON F L_G 75
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IMAGE 2
5.2 SIMULATION VON STAPELFEHLERN MITTELS DIFFAX 76
5.3 P-DOTIERTES SIC DEPONIERT BEI UNTERSCHIEDLICHEN DEPOSITIONSDRUECKEN
77
5.3.1 OPTISCHE EIGENSCHAFTEN VON P-SIC BEI UNTERSCHIEDLICHEN
DEPOSITIONSDRUECKEN 77 5.3.2 ELEKTRISCHE EIGENSCHAFTEN VON P-SIC BEI
UNTERSCHIEDLICHEN DEPOSITIONS DRUECKEN 79
5.3.3 STRUKTURELLE EIGENSCHAFTEN VON P-SIC BEI UNTERSCHIEDLICHEN
DEPOSITIONS DRUECKEN 81
6 ZUSAMMENFASSUNG 87
A ANHANG 89
A.L FIT-PROZEDUREN MIT TOPAS 89
A.L.L FIT-ANPASSUNG DER DIFFRAKTOGRAMME VON AMORPHEM SILIZIUM 89
A.L.2 FIT-ANPASSUNG DER DIFFRAKTOGRAMME VON MIKROKRISTALLINEM SILIZIUM .
. . 90 A.L.3 FIT-ANPASSUNG DER DIFFRAKTOGRAMME VON MIKROKRISTALLINEM
SILIZIUMKARBID 90 A.2 SIMULATION MITTELS DIFFAX 91 |
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