Applikationshandbuch Leistungshalbleiter:
Gespeichert in:
| Format: | Buch |
|---|---|
| Sprache: | German |
| Veröffentlicht: |
Ilmenau
ISLE
2010
|
| Schlagworte: | |
| Online-Zugang: | Inhaltsverzeichnis |
| Beschreibung: | Literaturverz. S. 439 - 443 |
| Beschreibung: | VI, 456 S. Ill., graph. Darst. 21 cm |
| ISBN: | 9783938843567 |
Internformat
MARC
| LEADER | 00000nam a2200000 c 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | BV036883874 | ||
| 003 | DE-604 | ||
| 005 | 20120210 | ||
| 007 | t| | ||
| 008 | 101230s2010 xx ad|| |||| 00||| ger d | ||
| 015 | |a 10N49 |2 dnb | ||
| 016 | 7 | |a 1008591289 |2 DE-101 | |
| 020 | |a 9783938843567 |c kart. : EUR 9.90 (DE) |9 978-3-938843-56-7 | ||
| 035 | |a (OCoLC)693885872 | ||
| 035 | |a (DE-599)DNB1008591289 | ||
| 040 | |a DE-604 |b ger |e rakddb | ||
| 041 | 0 | |a ger | |
| 049 | |a DE-1046 |a DE-92 |a DE-573 |a DE-83 |a DE-29T |a DE-703 |a DE-862 |a DE-91 | ||
| 082 | 0 | |a 621.38152 |2 22/ger | |
| 082 | 0 | |a 621.317 |2 22/ger | |
| 084 | |a ZN 4840 |0 (DE-625)157412: |2 rvk | ||
| 084 | |a ZN 4870 |0 (DE-625)157415: |2 rvk | ||
| 084 | |a ZN 8340 |0 (DE-625)157614: |2 rvk | ||
| 084 | |a 620 |2 sdnb | ||
| 245 | 1 | 0 | |a Applikationshandbuch Leistungshalbleiter |c Hrsg.: SEMIKRON International GmbH. Arendt Wintrich ... |
| 264 | 1 | |a Ilmenau |b ISLE |c 2010 | |
| 300 | |a VI, 456 S. |b Ill., graph. Darst. |c 21 cm | ||
| 336 | |b txt |2 rdacontent | ||
| 337 | |b n |2 rdamedia | ||
| 338 | |b nc |2 rdacarrier | ||
| 500 | |a Literaturverz. S. 439 - 443 | ||
| 650 | 0 | 7 | |a IGBT |0 (DE-588)4273802-7 |2 gnd |9 rswk-swf |
| 650 | 0 | 7 | |a MOS-FET |0 (DE-588)4207266-9 |2 gnd |9 rswk-swf |
| 650 | 0 | 7 | |a Leistungshalbleiter |0 (DE-588)4167286-0 |2 gnd |9 rswk-swf |
| 689 | 0 | 0 | |a Leistungshalbleiter |0 (DE-588)4167286-0 |D s |
| 689 | 0 | |5 DE-604 | |
| 689 | 1 | 0 | |a MOS-FET |0 (DE-588)4207266-9 |D s |
| 689 | 1 | |5 DE-604 | |
| 689 | 2 | 0 | |a IGBT |0 (DE-588)4273802-7 |D s |
| 689 | 2 | |5 DE-604 | |
| 700 | 1 | |a Wintrich, Arendt |d 1965- |e Sonstige |0 (DE-588)118178199 |4 oth | |
| 710 | 2 | |a SEMIKRON International GmbH |e Sonstige |0 (DE-588)2173200-0 |4 oth | |
| 856 | 4 | 2 | |m DNB Datenaustausch |q application/pdf |u http://bvbr.bib-bvb.de:8991/F?func=service&doc_library=BVB01&local_base=BVB01&doc_number=020799196&sequence=000001&line_number=0001&func_code=DB_RECORDS&service_type=MEDIA |3 Inhaltsverzeichnis |
| 943 | 1 | |a oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-020799196 | |
Datensatz im Suchindex
| DE-BY-862_location | 2000 |
|---|---|
| DE-BY-FWS_call_number | 2000/ZN 4870 W794 |
| DE-BY-FWS_katkey | 423494 |
| DE-BY-FWS_media_number | 083000504322 |
| _version_ | 1823403717546737664 |
| adam_text |
IMAGE 1
INHALT
1 BETRIEBSWEISE VON LEISTUNGSHALBLEITERN 1
1.1 GRUNDLAGEN FUER DEN BETRIEB VON LEISTUNGSHALBLEITERN 1
1.2 LEISTUNGSELEKTRONISCHE SCHALTER 5
2 GRUNDLAGEN 13
2.1 EINSATZGEBIETE UND HEUTIGE LEISTUNGSGRENZEN VON LEISTUNGSHALBLEITERN
13 2.2 NETZGLEICHRICHTER 17
2.2.1 NETZDIODEN 17
2.2.1.1 ALLGEMEINE BEGRIFFE 17
2.2.1.2 AUFBAU UND PRINZIPIELLE FUNKTION 18
2.2.1.3 STATISCHES VERHALTEN 20
2.2.1.4 DYNAMISCHES VERHALTEN 20
2.2.2 THYRISTOREN 22
2.2.2.1 ALLGEMEINE BEGRIFFE 22
2.2.2.2 AUFBAU UND PRINZIPIELLE FUNKTION 23
2.2.2.3 STATISCHES VERHALTEN 25
2.2.2.4 DYNAMISCHES VERHALTEN 26
2.3 FREILAUF- UND BESCHALTUNGSDIODEN 28
2.3.1 AUFBAU UND PRINZIPIELLE FUNKTION 28
2.3.1.1 SCHOTTKY-DIODEN 29
2.3.1.2 PIN-DIODEN 30
2.3.2 STATISCHES VERHALTEN 32
2.3.2.1 DURCHLASSVERHALTEN 32
2.3.2.2 SPERRVERHALTEN 33
2.3.3 DYNAMISCHES VERHALTEN 34
2.3.3.1 EINSCHALTVERHALTEN 34
2.3.3.2 AUSSCHALTVERHALTEN 35
2.3.3.3 DYNAMISCHE ROBUSTHEIT 43
2.4 LEISTUNGS-MOSFET UND IGBT 43
2.4.1 AUFBAU UND PRINZIPIELLE FUNKTION 43
2.4.2 IGBT 46
2.4.2.1 STATISCHES VERHALTEN 48
2.4.2.2 SCHALTVERHALTEN 49
2.4.2.3 IGBT - KONZEPTE UND NEUE ENTWICKLUNGSRICHTUNGEN 54
2.4.3 LEISTUNGS-MOSFET 61
2.4.3.1 STATISCHES VERHALTEN 63
2.4.3.2 SCHALTVERHALTEN 66
2.4.3.3 AKTUELLE AUSFUEHRUNGEN UND NEUE ENTWICKLUNGSRICHTUNGEN 69 2.5
AUFBAU- UND VERBINDUNGSTECHNIK (AVT) 72
2.5.1 TECHNOLOGIEN 73
2.5.1.1 LOETEN 73
2.5.1.2 DIFFUSIONSSINTERN (NTV = NIEDERTEMPERATURVERBINDUNGSTECHNIK) 73
2.5.1.3 DRAHTBONDEN 75
2.5.1.4 DRUCKKONTAKT 75
2.5.1.5 MONTAGE-UND ANSCHLUSSTECHNIK 76
2.5.1.6 MODULE MIT ODER OHNE BODENPLATTE 78
2.5.2 AUFGABEN UND EIGENSCHAFTEN 80
2.5.2.1 ISOLATION 80
2.5.2.2 WAERMEABFUEHRUNG UND THERMISCHER WIDERSTAND 82
2.5.2.3 LASTWECHSELFESTIGKEIT 91
2.5.2.4 STROMZUFUEHRUNG DER HAUPTANSCHLUESSE 91
2.5.2.5 INDUKTIVITAETSARMER INTERNER AUFBAU 92
2.5.2.6 KOPPELKAPAZITAETEN 93
2.5.2.7 SCHALTUNGSKOMPLEXITAET 94
BIBLIOGRAFISCHE INFORMATIONEN HTTP://D-NB.INFO/1008591289
DIGITALISIERT DURCH
IMAGE 2
2.5.2.8 DEFINIERTES, UNGEFAEHRLICHES VERHALTEN BEI MODULDEFEKT 96
2.5.2.9 UMWELTGERECHTES RECYCLING 96
2.5.3 DISKRETE BAUELEMENTE 97
2.5.3.1 KLEINGLEICHRICHTER 97
2.5.3.2 SCHRAUBDIODEN UND SCHRAUBTHYRISTOREN 98
2.5.3.3 SCHEIBENZELLEN 98
2.5.3.4 SEMISTART 99
2.5.4 LEISTUNGSMODULE 100
2.5.4.1 GRUNDLAGEN 100
2.5.4.2 MODULFAMILIEN MIT DIODEN UND THYRISTOREN 101
2.5.4.3 MODULFAMILIEN MIT IGBT UND FREILAUFDIODEN 104
2.6 INTEGRATION VON SENSORIK, SCHUTZEINRICHTUNGEN UND TREIBERELEKTRONIK
110
2.6.1 MODULE MIT INTEGRIERTER STROMMESSUNG 110
2.6.2 MODULE MIT INTEGRIERTER TEMPERATURMESSUNG 111
2.6.3 IPM (INTELLIGENT POWER MODULE) 114
2.7 ZUVERLAESSIGKEIT 115
2.7.1 MTBF, MTTF UND FIT-RATE 116
2.7.2 BESCHLEUNIGTE TESTS NACH ARRHENIUS 116
2.7.3 STANDARDTESTS FUER QUALIFIKATION UND NACHQUALIFIKATION VON
PRODUKTEN 117 2.7.3.1 HEISSSPERR-DAUERTEST (HTRB), GATESTRESS-TEST
(HTGB), FEUCHTE-WAERME- TEST (THB) 118
2.7.3.2 HOCH- UND TIEFTEMPERATURLAGERUNG (HTS, LTS) 118
2.7.3.3 TEMPERATURWECHSELTEST (TC) 118
2.7.3.4 LASTWECHSELTEST (PC) 119
2.7.3.5 VIBRATIONSTEST 120
2.7.4 ZUSAETZLICHE TESTS FUER FEDERKONTAKTE 120
2.7.4.1 MIKROVIBRATION (FRETTING CORROSION) 120
2.7.4.2 KORROSIVE ATMOSPHAERE (SCHADGASTEST) 121
2.7.4.3 TEMPERATURWECHSEL DES KONTAKTS ZUR LEITERPLATTE 121
2.7.5 AUSFALLMECHANISMEN BEI LASTWECHSEL 122
2.7.6 BEWERTUNG DER TEMPERATURVERLAEUFE HINSICHTLICH DER LEBENSDAUER 126
3 DATENBLATTANGABEN FUER MOSFET, IGBT, DIODEN UND THYRISTOREN 131
3.1 NORMEN, SYMBOLE UND BEGRIFFE 131
3.1.1 NORMEN 131
3.1.2 SYMBOLE UND BEGRIFFE 131
3.1.3 GRENZWERTE, KENNWERTE 133
3.1.4 BAUTEIL-(TYPEN-) BEZEICHNUNG 133
3.2 NETZDIODEN UND THYRISTOREN 134
3.2.1 TEMPERATUREN 134
3.2.2 THERMISCHE IMPEDANZ UND THERMISCHER WIDERSTAND 136
3.2.3 MECHANISCHE DATEN 138
3.2.4 NETZDIODEN 138
3.2.4.1 GRENZWERTE 138
3.2.4.2 KENNWERTE 141
3.2.4.3 DIAGRAMME 145
3.2.5 THYRISTOREN 146
3.2.5.1 GRENZWERTE 146
3.2.5.2 KENNWERTE 148
3.2.5.3 DIAGRAMME 156
3.2.6 DIODEN- UND THYRISTORMODULE 157
3.2.6.1 GRENZWERTE, KENNWERTE 157
3.2.6.2 DIAGRAMME 157
3.3 IGBT-MODULE 158
IMAGE 3
3.3.1 GRENZWERTE 160
3.3.1.1 GRENZWERTE DER IGBT 160
3.3.1.2 GRENZWERTE DER INTEGRIERTEN INVERSDIODEN (FREILAUFDIODEN) 162
3.3.1.3 GRENZWERTE DES MODULAUFBAUS '. 163
3.3.2 KENNWERTE 163
3.3.2.1 KENNWERTE DER IGBT 164
3.3.2.2 KENNWERTE DER HYBRID INTEGRIERTEN INVERSDIODEN (FREILAUFDIODEN)
170 3.3.2.3 KENNWERTE DES MODULAUFBAUS 172
3.3.3 DIAGRAMME 173
3.3.4 HOECHSTZULAESSIGE SICHERE ARBEITSBEREICHE IM SCHALTBETRIEB 181
3.3.4.1 HOECHSTZULAESSIGER SICHERER ARBEITSBEREICH FUER EINZELPULSE UND
PERIODISCHES EINSCHALTEN (SOA) 181
3.3.4.2 HOECHSTZULAESSIGER SICHERER ARBEITSBEREICH BEIM PERIODISCHEN
AUSSCHALTEN (RBSOA) 182
3.3.4.3 HOECHSTZULAESSIGER SICHERER ARBEITSBEREICH IM KURZSCHLUSS 183 3.4
LEISTUNGS-MOSFET-MODULE 184
3.4.1 GRENZWERTE 184
3.4.1.1 GRENZWERTE DER LEISTUNGS-MOSFET IN VORWAERTSRICHTUNG 184 3.4.1.2
GRENZWERTE DER INVERSDIODEN (LEISTUNGS-MOSFET IN RUECKWAERTSRICHTUNG) .
185 3.4.1.3 GRENZWERTE DES MODULAUFBAUS 185
3.4.2 KENNWERTE 186
3.4.2.1 KENNWERTE DER LEISTUNGS-MOSFET 186
3.4.2.2 KENNWERTE DER INVERSDIODEN (LEISTUNGS-MOSFET IN
RUECKWAERTSRICHTUNG) . 189 3.4.2.3 MECHANISCHE KENNWERTE DES MODULS 190
3.4.3 DIAGRAMME 190
3.5 ZUSAETZLICHE ANGABEN FUER CI, CB UND CIB LEISTUNGSMODULE 196
3.6 ZUSAETZLICHE ANGABEN FUER IPM 198
3.6.1 SKIIP 198
3.6.1.1 GRENZWERTE DES LEISTUNGSTEILS 201
3.6.1.2 GRENZWERTE DES SKIIP TREIBERS 201
3.6.1.3 KENNWERTE DES SKIIP-LEISTUNGSTEILS 203
3.6.1.4 KENNWERTE DES SKIIP-TREIBERS 205
3.6.2 MINISKIIPIPM 209
3.6.2.1 GRENZWERTE DES MINISKIIP IPM-TREIBERS 211
3.6.2.2 ELEKTRISCHE KENNWERTE DES MINISKIIP IPM-TREIBERS 212
4 APPLIKATIONSHINWEISE FUER THYRISTOREN UND NETZDIODEN 215
4.1 BEMESSUNG UND AUSWAHL VON THYRISTOREN UND GLEICHRICHTERDIODEN 215
4.1.1 SPERRSPANNUNG 215
4.1.2 GLEICHRICHTERDIODEN 216
4.1.2.1 THERMISCHE BELASTUNG BEI DAUERBETRIEB 216
4.1.2.2 BELASTUNG BEI KURZZEIT UND AUSSETZBETRIEB 217
4.1.2.3 BELASTUNGEN BEI HOEHEREN FREQUENZEN 218
4.1.2.4 STOSSSTROM - GRENZWERTE BEI ZEITEN UNTER UND UEBER 10 MS 218 4.1.3
THYRISTOREN 219
4.1.3.1 BELASTUNG BEI DAUERBETRIEB 219
4.1.3.2 BELASTUNG BEI KURZZEIT- UND AUSSETZBETRIEB 221
4.1.3.3 STOSSSTROM-GRENZWERTE FUER ZEITEN UNTER UND UEBER 10 MS 222 4.1.3.4
KRITISCHE STROM- UND SPANNUNGSSTEILHEIT 222
4.1.3.5 ZUENDEIGENSCHAFTEN 223
4.1.4 THYRISTOR-DIODENMODULE 223
4.1.5 BRUECKENGLEICHRICHTER 225
4.1.6 SEMISEL SOFTWARE ALS DIMENSIONIERUNGSHILFE 225
4.2 KUEHLUNG VON GLEICHRICHTERBAUELEMENTEN 228
4.2.1 KUEHLUNG BEI KLEINLEISTUNGS-BAUELEMENTEN 228
IMAGE 4
4.2.2 KUEHLBLECHE 228
4.2.3 KUEHLKOERPER 231
4.2.4 VERSTAERKTE LUFTKUEHLUNG 233
4.2.5 WASSERKUEHLUNG VON SCHEIBENZELLEN 236
4.3 ANSTEUEREINRICHTUNGEN FUER THYRISTOREN 236
4.3.1 FORM DER ANSTEUERIMPULSE 236
4.3.2 ANSTEUERN VON SECHSPULS-BRUECKENSCHALTUNGEN 239
4.3.3 ANSTEUERUEBERTRAGER 239
4.3.4 IMPULSERZEUGUNG 240
4.4 VERHALTEN IM FEHLERFALL UND SCHUTZ VON DIODEN UND THYRISTOREN 240
4.4.1 SCHUTZ GEGEN UEBERSPANNUNGEN ALLGEMEIN 240
4.4.2 UEBERSPANNUNGSSCHUTZBESCHALTUNG MIT WIDERSTAENDEN UND KONDENSATOREN
241 4.4.2.1 BESCHALTUNG DER EINZELNEN VENTILE 241
4.4.2.2 BESCHALTUNG AUF DER WECHSELSTROMSEITE 246
4.4.2.3 BESCHALTUNG AUF DER GLEICHSTROMSEITE 250
4.4.3 UEBERSPANNUNGSSCHUTZBESCHALTUNG MIT VARISTOREN 251
4.4.4 UEBERSPANNUNGSSCHUTZBESCHALTUNG MIT SILIZIUM-AVALANCHE-DIODEN 252
4.4.4.1 AVALANCHE-GLEICHRICHTERDIODEN MIT EIGENSCHUTZ 252
4.4.4.2 AVALANCHE-DIODEN ZUM SCHUTZ ANDERER BAUELEMENTE 253 4.4.4.3
GRENZEN DES ANWENDUNGSBEREICHS 254
4.4.4.4 GEHAEUSEFORMEN 254
4.4.5 SCHUTZ VON DIODEN UND THYRISTOREN GEGEN UEBERSTROM 254
4.4.5.1 VORRICHTUNGEN ZUM SCHUTZ GEGEN UEBERSTROEME 254
4.4.5.2 VORRICHTUNGEN ZUM SCHUTZ BEI STOERUNGEN IN DER KUEHLEINRICHTUNG
255 4.4.5.3 VORRICHTUNGEN, DIE SOWOHL BEI UEBERSTROM ALS AUCH BEI STOERUNG
DER KUEHLEINRICHTUNG ANSPRECHEN 255
4.4.6 SCHUTZ VON DIODEN UND THYRISTOREN BEI KURZSCHLUSS 256
4.4.6.1 BEGRIFFE UND ERLAEUTERUNGEN BEI HALBLEITERSICHERUNGEN 258 4.4.6.2
BEMESSEN VON HALBLEITERSICHERUNGEN 260
4.5 REIHEN- UND PARALLELSCHALTUNG VON DIODEN UND THYRISTOREN 266
4.5.1 PARALLELSCHALTUNG VON THYRISTOREN 266
4.5.2 REIHENSCHALTUNG VON THYRISTOREN 266
4.5.3 PARALLELSCHALTUNG VON GLEICHRICHTERDIODEN 267
4.5.4 REIHENSCHALTUNG VON GLEICHRICHTERDIODEN 267
5 APPLIKATIONSHINWEISE FUER IGBT- UND MOSFET-MODULE 269
5.1 AUSWAHL VON IGBT- UND MOSFET-MODULEN 269
5.1.1 BETRIEBSSPANNUNG 269
5.1.1.1 SPERRSPANNUNG 269
5.1.1.2 ISOLATIONSKOORDINATION 273
5.1.2 DURCHLASSSTROM 276
5.1.3 BEANSPRUCHUNG VON FREILAUFDIODEN IM GLEICH- UND
WECHSELRICHTERBETRIEB 277 5.1.4 SCHALTFREQUENZ 279
5.2 THERMISCHE AUSLEGUNG VON LEISTUNGSTRANSISTOREN 281
5.2.1 EINZEL- UND GESAMTVERLUSTE 282
5.2.1.1 GLEICHSPANNUNGSSTELLER 283
5.2.1.2 PWM-SPANNUNGSWECHSELRICHTER 285
5.2.2 BERECHNUNG DER SPERRSCHICHTTEMPERATUR 287
5.2.2.1 THERMISCHE ERSATZSCHALTBILDER 287
5.2.2.2 SPERRSCHICHTTEMPERATUR BEI STATIONAEREM BETRIEB
(MITTELWERTBETRACHTUNG) 290 5.2.2.3 SPERRSCHICHTTEMPERATUR BEI
KURZZEITBETRIEB 291
5.2.2.4 SPERRSCHICHTTEMPERATUR BEI GRUNDSCHWINGUNGSFREQUENZ 293 5.2.3
VERLUSTLEISTUNGS- UND TEMPERATURBERECHNUNG MIT SEMISEL 295 5.2.3.1
LOESUNGSANSATZ FUER DIE TEMPERATUR- UND VERLUSTLEISTUNGSBERECHNUNG 295
5.2.3.2 SCHALTUNGSAUSWAHL 296
5.2.3.3 ELEKTRISCHE EINSATZBEDINGUNGEN 296
IMAGE 5
5.2.3.4 BAUELEMENTAUSWAHL 297
5.2.3.5 THERMISCHE EINSATZBEDINGUNGEN 298
5.2.3.6 ERGEBNISSE 300
5.3 KUEHLUNG VON LEISTUNGSMODULEN 302
5.3.1 THERMISCHES MODELL DER KUEHLEINRICHTUNG 302
5.3.2 EINFLUSSFAKTOREN AUF DEN THERMISCHEN WIDERSTAND 303
5.3.2.1 ANZAHL DER WAERMEQUELLEN 303
5.3.2.2 WAERMESPREIZUNG 304
5.3.2.3 LAGE DER WAERMEQUELLEN ZUR KUEHLRICHTUNG 305
5.3.2.4 MESSPUNKTE ZUR R TH-BESTIMMUNG 305
5.3.3 NATUERLICHE LUFTKUEHLUNG (FREIE KONVEKTION) 306
5.3.4 FORCIERTE LUFTKUEHLUNG 306
5.3.4.1 KUEHLPROFILE 307
5.3.4.2 DRUCKABFALL UND LUFTVOLUMEN 308
5.3.4.3 LUEFTER (VENTILATOREN, GEBLAESE) 309
5.3.4.4 EINSATZHOEHE 310
5.3.5 WASSERKUEHLUNG 311
5.3.5.1 DRUCKABFALL UND WASSERVOLUMEN, PRUEFDRUCK 313
5.3.5.2 KUEHLFLUESSIGKEIT, KUEHLKREISLAUF UND CHEMISCHE ANFORDERUNGEN 314
5.3.5.3 MONTAGERICHTUNG UND ENTLUEFTUNG 316
5.3.5.4 WEITERE MOEGLICHKEITEN DER FLUESSIGKEITSKUEHLUNG 317
5.3.6 HEATPIPE 320
5.3.7 THERMISCHE REIHENSCHALTUNG (THERMAL STACKING) 321
5.3.7.1 BESTIMMEN EINER ZUSAETZLICHEN THERMISCHEN IMPEDANZ 321 5.3.7.2
BERECHNUNG DER VORERWAERMUNG BEI LUFTKUEHLUNG 322
5.3.7.3 BERECHNUNG DER VORERWAERMUNG BEI WASSERKUEHLUNG 323
5.4 LEISTUNGSLAYOUT, PARASITAERE SCHALTUNGSELEMENTE, EMV 324
5.4.1 PARASITAERE INDUKTIVITAETEN UND KAPAZITAETEN 324
5.4.2 EMV UND NETZRUECKWIRKUNGEN 326
5.4.2.1 ENERGETISCHE PROZESSE IN STOMRICHTEM 326
5.4.2.2 URSACHE DER STOERSTROEME 327
5.4.2.3 AUSBREITUNGSWEGE 329
5.4.2.4 WEITERE URSACHEN ELEKTROMAGNETISCHER STOERUNGEN 331
5.4.2.5 ENTSTOERMASSNAHMEN 331
5.5 SOLUTIONS 333
5.5.1 DEFINITION VON SOLUTIONS 333
5.5.2 PLATTFORMEN 333
5.5.2.1 PLATTFORMEN MIT IGBT-STANDARDMODULEN 334
5.5.2.2 SKNPSTACK-PLATTFORMEN 336
5.5.2.3 BEISPIELE FUER PLATTFORMPRODUKTE FUER NETZGEFUEHRTE SCHALTUNGEN MIT
THYRISTOREN ODER DIODEN 338
5.5.3 SKAI: SYSTEMBAUGRUPPEN FUER DEN EINSATZ IN FAHRZEUGEN 339
5.6 ANSTEUERUNG 340
5.6.1 VERLAEUFE VON GATESTROM UND GATESPANNUNG 340
5.6.2 ANSTEUERPARAMETER UND SCHALTEREIGENSCHAFTEN 344
5.6.3 STRUKTUREN VON TREIBERSCHALTUNGEN 347
5.6.4 SCHUTZ- UND UEBERWACHUNGSFUNKTIONEN 349
5.6.5 ZEITKONSTANTEN UND VERRIEGELUNGSFUNKTIONEN 350
5.6.6 UEBERTRAGUNG VON ANSTEUERINFORMATION UND -ENERGIE 352
5.6.6.1 ANSTEUER- UND STATUSRUECKMELDESIGNALE 353
5.6.6.2 ANSTEUERLEISTUNG 354
5.6.7 MONOLITHISCH UND HYBRID INTEGRIERTE TREIBERSCHALTUNGEN 355
5.6.8 SEMIDRIVER 356
5.7 VERHALTEN IM FEHLERFALL UND SCHUTZ 359
5.7.1 FEHLERARTEN 359
IMAGE 6
5.7.2 UEBERLAST- UND KURZSCHLUSSVERHALTEN 362
5.7.3 FEHLERERKENNUNG UND SCHUTZ 366
5.7.3.1 FEHLERSTROMERKENNUNG UND -ABSENKUNG 367
5.7.3.2 UEBERSPANNUNGSBEGRENZUNG 369
5.7.3.3 UEBERTEMPERATURERKENNUNG 377
5.8 PARALLEL- UND REIHENSCHALTUNG 377
5.8.1 PARALLELSCHALTUNG 377
5.8.1.1 PROBLEME DER STROMSYMMETRIERUNG 377
5.8.1.2 MASSNAHMEN ZUR VERBESSERUNG DER STROMSYMMETRIE 385
5.8.1.3 DERATING 388
5.8.1.4 BESONDERHEITEN BEI DER PARALLELSCHALTUNG VON SKIIP 388
5.8.2 REIHENSCHALTUNG 390
5.8.2.1 PROBLEME DER SPANNUNGSSYMMETRIERUNG 390
5.8.2.2 MASSNAHMEN ZUR VERBESSERUNG DER SPANNUNGSSYMMETRIE 391 5.8.2.3
SCHLUSSFOLGERUNGEN 397
5.9 WEICHES SCHALTEN ALS ZVS ODER ZCS / SCHALTENTLASTUNGSNETZWERKE 397
5.9.1 ZIELSTELLUNG UND ANWENDUNGSGEBIETE 397
5.9.2 SCHALTENTLASTUNGSNETZWERKE 397
5.9.3 WEICHES SCHALTEN / SOFT SWITCHING 399
5.9.3.1 BEANSPRUCHUNG DER LEISTUNGSHALBLEITER 399
5.9.3.2 FORDERUNGEN AN DIE HALBLEITERSCHALTER UND DEREN TREIBER 403
5.9.3.3 SCHALTEREIGENSCHAFTEN 405
5.9.3.4 SCHLUSSFOLGERUNGEN 410
6 HANDHABUNG UND UMWELTBEDINGUNGEN 411
6.1 ESD-EMPFINDLICHKEIT UND SCHUTZMASSNAHMEN 411
6.2 UMWELTBEDINGUNGEN FUER LAGERUNG, TRANSPORT UND BETRIEB 411
6.2.1 KLIMATISCHE UMWELTBEDINGUNGEN 413
6.2.2 MECHANISCHE UMWELTBEDINGUNGEN 413
6.2.3 BIOLOGISCHE UMWELTBEDINGUNGEN 415
6.2.4 UMWELTEINFLUESSE DURCH CHEMISCH AKTIVE STOFFE 415
6.2.5 UMWELTEINFLUESSE DURCH MECHANISCH AKTIVE STOFFE 415
6.2.6 BESONDERHEITEN BEIM BETRIEB IN GROSSEN HOEHEN 416
6.2.7 GRENZWERTE DER LUFTFEUCHTE UND SCHUTZ GEGEN BETAUUNG 418
6.2.8 SCHLUSSFOLGERUNGEN FUER DIE GERAETEKONSTRUKTION 419
6.3 MONTAGE VON LEISTUNGSMODULEN 421
6.3.1 BESCHAFFENHEIT DER MONTAGEFLAECHE AUF DEM KUEHLKOERPER 421
6.3.2 THERMISCHE KOPPLUNG MODUL - KUEHLKOERPER DURCH WAERMELEITMEDIEN 422
6.3.3 MONTAGE DER LEISTUNGSMODULE AUF DER KUEHLFLAECHE 427
6.3.4 ELEKTRISCHE ANSCHLUESSE 427
6.4 MONTAGE VON SCHEIBENZELLEN 429
7 SOFTWARE ALS DIMENSIONIERUNGSHILFE 433
7.1 SEMISEL 433
7.1.1 PROGRAMMTEILE 434
7.1.2 BEDIENUNG 434
7.2 HALBLEITERMODELLE 435
7.2.1 STATISCHE MODELLE . 435
7.2.2 ZUSTANDSMODELLE 436
7.2.3 PHYSIKALISCH-BASIERTE UND VERHALTENSMODELLE 437
LITERATURVERZEICHNIS 439
ABKUERZUNGSVERZEICHNIS FUER SEMIKRON-DATENBLAETTER 444 |
| any_adam_object | 1 |
| author_GND | (DE-588)118178199 |
| building | Verbundindex |
| bvnumber | BV036883874 |
| classification_rvk | ZN 4840 ZN 4870 ZN 8340 |
| ctrlnum | (OCoLC)693885872 (DE-599)DNB1008591289 |
| dewey-full | 621.38152 621.317 |
| dewey-hundreds | 600 - Technology (Applied sciences) |
| dewey-ones | 621 - Applied physics |
| dewey-raw | 621.38152 621.317 |
| dewey-search | 621.38152 621.317 |
| dewey-sort | 3621.38152 |
| dewey-tens | 620 - Engineering and allied operations |
| discipline | Maschinenbau / Maschinenwesen Elektrotechnik / Elektronik / Nachrichtentechnik |
| format | Book |
| fullrecord | <?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?><collection xmlns="http://www.loc.gov/MARC21/slim"><record><leader>00000nam a2200000 c 4500</leader><controlfield tag="001">BV036883874</controlfield><controlfield tag="003">DE-604</controlfield><controlfield tag="005">20120210</controlfield><controlfield tag="007">t|</controlfield><controlfield tag="008">101230s2010 xx ad|| |||| 00||| ger d</controlfield><datafield tag="015" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">10N49</subfield><subfield code="2">dnb</subfield></datafield><datafield tag="016" ind1="7" ind2=" "><subfield code="a">1008591289</subfield><subfield code="2">DE-101</subfield></datafield><datafield tag="020" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">9783938843567</subfield><subfield code="c">kart. : EUR 9.90 (DE)</subfield><subfield code="9">978-3-938843-56-7</subfield></datafield><datafield tag="035" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">(OCoLC)693885872</subfield></datafield><datafield tag="035" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">(DE-599)DNB1008591289</subfield></datafield><datafield tag="040" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">DE-604</subfield><subfield code="b">ger</subfield><subfield code="e">rakddb</subfield></datafield><datafield tag="041" ind1="0" ind2=" "><subfield code="a">ger</subfield></datafield><datafield tag="049" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">DE-1046</subfield><subfield code="a">DE-92</subfield><subfield code="a">DE-573</subfield><subfield code="a">DE-83</subfield><subfield code="a">DE-29T</subfield><subfield code="a">DE-703</subfield><subfield code="a">DE-862</subfield><subfield code="a">DE-91</subfield></datafield><datafield tag="082" ind1="0" ind2=" "><subfield code="a">621.38152</subfield><subfield code="2">22/ger</subfield></datafield><datafield tag="082" ind1="0" ind2=" "><subfield code="a">621.317</subfield><subfield code="2">22/ger</subfield></datafield><datafield tag="084" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">ZN 4840</subfield><subfield code="0">(DE-625)157412:</subfield><subfield code="2">rvk</subfield></datafield><datafield tag="084" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">ZN 4870</subfield><subfield code="0">(DE-625)157415:</subfield><subfield code="2">rvk</subfield></datafield><datafield tag="084" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">ZN 8340</subfield><subfield code="0">(DE-625)157614:</subfield><subfield code="2">rvk</subfield></datafield><datafield tag="084" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">620</subfield><subfield code="2">sdnb</subfield></datafield><datafield tag="245" ind1="1" ind2="0"><subfield code="a">Applikationshandbuch Leistungshalbleiter</subfield><subfield code="c">Hrsg.: SEMIKRON International GmbH. Arendt Wintrich ...</subfield></datafield><datafield tag="264" ind1=" " ind2="1"><subfield code="a">Ilmenau</subfield><subfield code="b">ISLE</subfield><subfield code="c">2010</subfield></datafield><datafield tag="300" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">VI, 456 S.</subfield><subfield code="b">Ill., graph. Darst.</subfield><subfield code="c">21 cm</subfield></datafield><datafield tag="336" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">txt</subfield><subfield code="2">rdacontent</subfield></datafield><datafield tag="337" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">n</subfield><subfield code="2">rdamedia</subfield></datafield><datafield tag="338" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">nc</subfield><subfield code="2">rdacarrier</subfield></datafield><datafield tag="500" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">Literaturverz. S. 439 - 443</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">IGBT</subfield><subfield code="0">(DE-588)4273802-7</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">MOS-FET</subfield><subfield code="0">(DE-588)4207266-9</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Leistungshalbleiter</subfield><subfield code="0">(DE-588)4167286-0</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="0"><subfield code="a">Leistungshalbleiter</subfield><subfield code="0">(DE-588)4167286-0</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2=" "><subfield code="5">DE-604</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="1" ind2="0"><subfield code="a">MOS-FET</subfield><subfield code="0">(DE-588)4207266-9</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="1" ind2=" "><subfield code="5">DE-604</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="2" ind2="0"><subfield code="a">IGBT</subfield><subfield code="0">(DE-588)4273802-7</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="2" ind2=" "><subfield code="5">DE-604</subfield></datafield><datafield tag="700" ind1="1" ind2=" "><subfield code="a">Wintrich, Arendt</subfield><subfield code="d">1965-</subfield><subfield code="e">Sonstige</subfield><subfield code="0">(DE-588)118178199</subfield><subfield code="4">oth</subfield></datafield><datafield tag="710" ind1="2" ind2=" "><subfield code="a">SEMIKRON International GmbH</subfield><subfield code="e">Sonstige</subfield><subfield code="0">(DE-588)2173200-0</subfield><subfield code="4">oth</subfield></datafield><datafield tag="856" ind1="4" ind2="2"><subfield code="m">DNB Datenaustausch</subfield><subfield code="q">application/pdf</subfield><subfield code="u">http://bvbr.bib-bvb.de:8991/F?func=service&doc_library=BVB01&local_base=BVB01&doc_number=020799196&sequence=000001&line_number=0001&func_code=DB_RECORDS&service_type=MEDIA</subfield><subfield code="3">Inhaltsverzeichnis</subfield></datafield><datafield tag="943" ind1="1" ind2=" "><subfield code="a">oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-020799196</subfield></datafield></record></collection> |
| id | DE-604.BV036883874 |
| illustrated | Illustrated |
| indexdate | 2025-02-07T13:01:33Z |
| institution | BVB |
| institution_GND | (DE-588)2173200-0 |
| isbn | 9783938843567 |
| language | German |
| oai_aleph_id | oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-020799196 |
| oclc_num | 693885872 |
| open_access_boolean | |
| owner | DE-1046 DE-92 DE-573 DE-83 DE-29T DE-703 DE-862 DE-BY-FWS DE-91 DE-BY-TUM |
| owner_facet | DE-1046 DE-92 DE-573 DE-83 DE-29T DE-703 DE-862 DE-BY-FWS DE-91 DE-BY-TUM |
| physical | VI, 456 S. Ill., graph. Darst. 21 cm |
| publishDate | 2010 |
| publishDateSearch | 2010 |
| publishDateSort | 2010 |
| publisher | ISLE |
| record_format | marc |
| spelling | Applikationshandbuch Leistungshalbleiter Hrsg.: SEMIKRON International GmbH. Arendt Wintrich ... Ilmenau ISLE 2010 VI, 456 S. Ill., graph. Darst. 21 cm txt rdacontent n rdamedia nc rdacarrier Literaturverz. S. 439 - 443 IGBT (DE-588)4273802-7 gnd rswk-swf MOS-FET (DE-588)4207266-9 gnd rswk-swf Leistungshalbleiter (DE-588)4167286-0 gnd rswk-swf Leistungshalbleiter (DE-588)4167286-0 s DE-604 MOS-FET (DE-588)4207266-9 s IGBT (DE-588)4273802-7 s Wintrich, Arendt 1965- Sonstige (DE-588)118178199 oth SEMIKRON International GmbH Sonstige (DE-588)2173200-0 oth DNB Datenaustausch application/pdf http://bvbr.bib-bvb.de:8991/F?func=service&doc_library=BVB01&local_base=BVB01&doc_number=020799196&sequence=000001&line_number=0001&func_code=DB_RECORDS&service_type=MEDIA Inhaltsverzeichnis |
| spellingShingle | Applikationshandbuch Leistungshalbleiter IGBT (DE-588)4273802-7 gnd MOS-FET (DE-588)4207266-9 gnd Leistungshalbleiter (DE-588)4167286-0 gnd |
| subject_GND | (DE-588)4273802-7 (DE-588)4207266-9 (DE-588)4167286-0 |
| title | Applikationshandbuch Leistungshalbleiter |
| title_auth | Applikationshandbuch Leistungshalbleiter |
| title_exact_search | Applikationshandbuch Leistungshalbleiter |
| title_full | Applikationshandbuch Leistungshalbleiter Hrsg.: SEMIKRON International GmbH. Arendt Wintrich ... |
| title_fullStr | Applikationshandbuch Leistungshalbleiter Hrsg.: SEMIKRON International GmbH. Arendt Wintrich ... |
| title_full_unstemmed | Applikationshandbuch Leistungshalbleiter Hrsg.: SEMIKRON International GmbH. Arendt Wintrich ... |
| title_short | Applikationshandbuch Leistungshalbleiter |
| title_sort | applikationshandbuch leistungshalbleiter |
| topic | IGBT (DE-588)4273802-7 gnd MOS-FET (DE-588)4207266-9 gnd Leistungshalbleiter (DE-588)4167286-0 gnd |
| topic_facet | IGBT MOS-FET Leistungshalbleiter |
| url | http://bvbr.bib-bvb.de:8991/F?func=service&doc_library=BVB01&local_base=BVB01&doc_number=020799196&sequence=000001&line_number=0001&func_code=DB_RECORDS&service_type=MEDIA |
| work_keys_str_mv | AT wintricharendt applikationshandbuchleistungshalbleiter AT semikroninternationalgmbh applikationshandbuchleistungshalbleiter |
Inhaltsverzeichnis
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| Signatur: |
2000 ZN 4870 W794 |
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