Concepts for organic-based thin-film memory transistors: = Konzepte zu Dünnschichtspeichertransistoren auf Basis organischer Materialien
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Kösching
Perspektivenverl.
2010
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INHALTSVERZEICHNIS
1. EINLEITUNG (ENGLISCH) 1
2. EINLEITUNG 3
3. THEORETISCHE GRUNDLAGEN 7
3.1. STAND DER TECHNIK - SILIZIUM-BASIERTE TECHNOLOGIEN . .. 7 3.1.1.
KONDENSATOREN 7
3.1.2. SPEICHERELEMENTE AUF KONDENSATORBASIS 8
3.1.3. TRANSISTOREN 8
3.1.4. SPEICHERTRANSISTOREN MIT SCHWEBENDER ELEKTRODE . 9 3.1.5.
SPEICHERTRANSISTOREN AUF BASIS VON LADUNGSTRAEGER- FALLEN 10
3.2. AKTUELLE FORSCHUNG - ALTERNATIVE KONZEPTE 11
3.2.1. SPEICHERELEMENTE AUF KONDENSATORBASIS 11
3.2.2. ORGANISCHE SPEICHERTRANSISTOREN MIT SCHWEBENDER ELEKTRODE 14
3.2.3. ORGANISCHE SPEICHERTRANSISTOREN AUF BASIS VON LA-
DUNGSTRAEGERFALLEN 15
3.2.4. MOTIVATION DER ARBEIT 15
4. DARSTELLUNG DER KONZEPTE 17
4.1. KONZEPT I 18
4.2. KONZEPT II 20
4.3. AUFBAU DER BAUELEMENTE UND MATERIALAUSWAHL 20
4.3.1. AUFBAU DER BAUELEMENTE 20
4.3.2. PROZESSIERUNG DER BAUELEMENTE 21
4.3.3. SUBSTRATE 22
BIBLIOGRAFISCHE INFORMATIONEN HTTP://D-NB.INFO/1006884114
DIGITALISIERT DURCH
IMAGE 2
VI
4.3.4. HALBLEITERMATERIALIEN 22
4.3.5. ELEKTRODENMATERIALIEN 23
4.3.6. DIE DIELEKTRIKUMSSCHICHT 23
5. EXPERIMENTELLER TEIL 25
5.1. CHARAKTERISIERUNG DER BAUELEMENTE 25
5.1.1. STATISCHE RANDWINKELMESSUNG 25
5.1.2. RASTERKRAFTMIKROSKOPIE (AFM) 26
5.1.3. ELEKTRISCHE CHARAKTERISIERUNG 28
6. ERGEBNISSE UND DISKUSSION 35
6.1. VORAUSGEHENDE UNTERSUCHUNGEN 35
6.1.1. AUSBILDUNG EINER HYBRIDEN ISOLATIONSSCHICHT . .. 35 6.1.2.
NIEDERSPANNUNGS-DUENNSCHICHTTRANSISTOR AUF BA- SIS EINES
ALUMINIUMOXID/SAM DILEKTRIKUMS . . 38 6.1.3. TEMPERATURSTABILTAET VON
KONDENSATOREN UND
DUENNSCHICHTTRANSISTOREN 39
6.1.4. EINFLUSS DER SAM-LAENGE AUF DIE ELEKTRISCHEN ISO-
LATIONSEIGENSCHAFTEN 41
6.1.5. DER EFFEKT EINER SPANNUNGSVORBELASTUNG 41 6.2. UNTERSUCHUNGEN ZU
KONZEPT I 45
6.2.1. KONDENSATORBAUTEILE 45
6.2.2. TRANSISTOREN MIT SCHWEBENDER ELEKTRODE 60 6.2.3. ZUSAMMENFASSUNG
DER ERGEBNISSE ZU KONZEPT I . 72 6.3. UNTERSUCHUNGEN ZU KONZEPT II 74
6.3.1. BAUTEILE MIT LADUNGSTRAEGERFALLEN AUF BASIS VON C 6 -C6O-SAM 74
6.3.2. BAUTEILE MIT LADUNGSTRAEGERFALLEN AUF BASIS VON CIS-CEO-SAM 85
6.3.3. VERGLEICH UND ZUSAMMENFASSUNG DER ERGEBNISSE ZU KONZEPT II 93
IMAGE 3
VII
7. ZUSAMMENFASSUNG (ENGLISCH) 95
8. ZUSAMMENFASSUNG 99
A.. ANHANG 105
A.I.. PROZESSIERUNG DER BAUTEILE 105
A.2.. ZUSAETZLICHE UNTERSUCHUNGEN ZU KONZEPT I 106 A.3.. ZUSAETZLICHE
UNTERSUCHUNGEN ZU KONZEPT II 109
ABBILDUNGSVERZEICHNIS 113
TABELLENVERZEICHNIS 123
LITERATUR 125
DANKSAGUNG 139
CURRICULUM VITAE 141
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