Atomlagenabscheidung von Hafniumoxid:
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| Format: | Abschlussarbeit Buch |
| Sprache: | German |
| Veröffentlicht: |
Göttingen
Cuvillier
2010
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| Ausgabe: | 1. Aufl. |
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| Beschreibung: | VII, 150 S. Ill., graph. Darst. |
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| adam_text | INHALTSVERZEICHNIS 1 ZIELE DER ARBEIT 1 2 HIGH-K-DIELEKTRIKA 5 2.1
GRUNDLEGENDE EIGENSCHAFTEN 7 2.2 ANWENDUNGSBEISPIELE IN DER
HALBLEITERTECHNOLOGIE 8 2.2.1
METALL-OXID-HALBLEITER-FELDEFFEKTTRANSISTOR (MOSFET) 9 2.2.2 NICHT
FLUECHTIGE SPEICHERELEMENTE (NVRAM) 11 2.2.3 TUNNEL-FELDEFFEKTTRANSISTOR
(TFET) 14 2.3 SPEZIELLE ANFORDERUNGEN FUER DIE CMOS-TECHNOLOGIE 17 3
CHARAKTERISIERUNG VON HAFNIUMOXID-DUENNSCHICHTEN 21 3.1 METHODEN ZUR
UNTERSUCHUNG DER SCHICHTDICKE, DICHTE UND MORPHOLOGIE 21 3.1.1
SPEKTRALELLIPSOMETRIE (SE) 21 3.1.2 ROENTGENREFLEKTOMETRIE (XRR) 24 3.1.3
RASTERELEKTRONENMIKROSKOPIE (SEM) 26 3.1.4 HOCHAUFLOESENDE
TRANSMISSIONSELEKTRONENMIKROSKOPIE (HRTEM) 26 3.2 ANALYSE DER CHEMISCHEN
ZUSAMMENSETZUNG 27 3.2.1 RASTER-TEM IM ANNULAREN DUNKELFELD (ADF-STEM)
27 3.2.2 ENERGIEDISPERSIVE ROENTGENSPEKTROSKOPIE (EDX) 28 3.2.3
ROENTGEN-PHOTOELEKTRONENSPEKTROSKOPIE(XPS) 28 3.3 ELEKTRISCHE
CHARAKTERISIERUNG DUENNER GATE-DIELEKTRIKA 30 3.3.1 HERSTELLUNG DER
MIS-STRUKTUREN 30 3.3.2 AUSWERTUNG VON KAPAZITAETS-UND LEITWERTMESSUNGEN
31 3.3.3 VERSCHIEBUNG DER FLACHBANDSPANNUNG 38 3.3.4
GRENZFLAECHENZUSTANDSDICHTE 39 3.3.5 TUNNELSTROMVERHALTEN 42 3.3.6
DURCHBRUCHSFELDSTAERKE 43 4 ATOMLAGENABSCHEIDUNG ZUR
DUENNSCHICHTHERSTELLUNG 45 4.1 GRUNDLAGEN DES HERSTELLUNGSVERFAHRENS 45
4.1.1 DEFINITION DER ATOMLAGENABSCHEIDUNG 45 4.1. BIBLIOGRAFISCHE
INFORMATIONEN HTTP://D-NB.INFO/1000879380 DIGITALISIERT DURCH VI
INHALTSVERZEICHNIS 4.2 ALD VON HAFNIUMDIOXID 56 4.2.1 KRITERIEN ZUR
PRAEKURSORAUSWAHL 56 4.2.2 EIGENSCHAFTEN VON HAFNIUM-ALKYLAMIDEN 58 4.2.3
REAKTIONSMECHANISMUS UND -KINETIKBEI HIO2-ALD MITTDMAH 60 5 AUFBAU DER
ALD-ANLAGE 65 5.1 BESTEHENDES CVD-SYSTEM ALS AUSGANGSSITUATION 65 5.2
OPTIMIERTES CHEMIKALIEN-ZULIEFERSYSTEM (CDS) 68 5.2.1 SPEZIFISCHE
REINHEITSANFORDERUNGEN DES ALD-PRAEKURSORS 69 5.2.2 PRAEKURSORLEITUNG
(PDS) 70 5.2.3 OXIDATIONSMITTEL-ZULIEFERSYSTEM(ODS) 73 5.2.4 ERWEITERTES
ALD-SPUELSYSTEM (APS) 74 5.2.5 REINIGUNGSSYSTEM FUER DIE PRAEKURSORLEITUNG
(PCS) 75 5.3 TEMPERATURREGELUNG 76 6 HAFNIUMOXID-ALD MITTELS
VERSCHIEDENER OXIDATIONSMITTEL 79 6.1 SUBSTRATVORREINIGUNG 79 6.1.1
NASSCHEMISCHE REINIGUNGSVERFAHREN 79 6.1.2 OPTIMIERTER IN SITU H2-BAKE
80 6.2 ABSCHEIDUNG MIT WASSER 82 6.2.1 PROZESSPARAMETER 82 6.2.2
SCHICHTWACHSRUM 84 6.2.3 GASPHASENREAKTION UND PARTIKELBILDUNG 85 6.3
ALD MIT TERT-BUTYLALKOHOL 87 6.3.1 PROZESSPARAMETER 87 6.3.2
SCHICHTWACHSTUM 88 6.3.3 NACHWEIS DER SELBSTLIMITIERUNG 93 6.4 ALD MIT
ETHANOL 95 6.4.1 PROZESSPARAMETER 95 6.4.2 SCHICHTWACHSTUM 97 6.4.3
NACHWEIS DER SELBSTLIMITIERUNG 98 7 EIGENSCHAFTEN DER HAFNIUMOXID-FILME
99 7.1 CHEMISCHE ZUSAMMENSETZUNG 99 7.2 OBERFLAECHENRAUIGKEIT UND
MORPHOLOGIE 104 7. VII ANHANG 123 A.L HERLEITUNG DES MODELLS ZUR
BESCHREIBUNG DER DEPOSITIONSKINETIK 123 A.2 BESTIMMUNG DES
POTENZIALVERLAUFS IN DER MIS-STRUKTUR 125 A.3 UEBERSICHTSSCHEMA DES
OPTIMIERTEN CHEMIKALIEN-ZULIEFERSYSTEMS 127 FORMELZEICHEN 129
ABKUERZUNGEN 133 VERZEICHNISSE 135 ABBILDUNGEN 135 TABELLEN 137 LITERATUR
139 PUBLIKATIONEN UND KONFERENZBEITRAEGE 147
DANKSAGUNG...................................... 149
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