Epitaktische AIN-Schichten auf Saphir und Diamant:
Gespeichert in:
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| Format: | Abschlussarbeit Buch |
| Sprache: | German |
| Veröffentlicht: |
Garching
Verein zur Förderung des Walter-Schottky-Inst. der Techn. Univ. München
2009
|
| Ausgabe: | 1. Aufl. |
| Schriftenreihe: | Selected topics of semiconductor physics and technology
112 |
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| Online-Zugang: | Inhaltsverzeichnis |
| Beschreibung: | 216 S. Ill., graph. Darst. 21 cm |
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INHALTSVERZEICHNIS
ABSTRACT
3
1
EINFUEHRUNG
11
1.1
MOTIVATION
.
11
1.2
HALBLEITER
MIT
GROSSER
BANDLUECKE
.
14
1.3
GLIEDERUNG
DER
ARBEIT
.
18
1.4
ALUMINIUMNITRID
.
19
2
WACHSTUM
VON
SILIZIUM-DOTIERTEM
AIN
23
2.1
WACHSTUMSBEDINGUNGEN
FUER
UNDOTIERTES
UND
SI-DOTIERTES
AIN
.
23
2.1.1
DAS
WACHSTUMSFENSTER
.
23
2.1.2
DEFEKTBILDUNG
UND
EINBAU
VON
FREMDATOMEN
IN
AIN
.
27
2.1.3
DOTIEREN
VON
AIN
MIT
SILIZIUM
.
30
2.2
WACHSTUM
VON
SILIZIUM-DOTIERTEM
AIN
.
31
2.2.1
HERSTELLUNG
DER
EPITAKTISCHEN
SCHICHTEN
.
31
2.2.2
OPTIMIERUNG
DER
WACHSTUMSBEDINGUNGEN
VON
UNDOTIERTEM
AIN
UND
WACHSTUM
VON
SI-DOTIERTEM
AIN
.
32
3
CHEMISCHE
ZUSAMMENSETZUNG
VON
SILIZIUM-DOTIERTEM
AIN
39
3.1
METHODEN
ZUR
BESTIMMUNG
DER
CHEMISCHEN
ZUSAMMENSETZUNG
VON
ALN:SI
39
3.1.1
LATERAL
AUFGELOESTE
ROENTGENFLUORESZENZ
.
39
3.1.2
BESTIMMUNG
DER
VERTIKALEN
SCHICHTZUSAMMENSETZUNG
.
42
3.2
EINFLUSS
METALL-REICHER
WACHSTUMSBEDINGUNGEN
AUF
DEN
SILIZIUM-EINBAU
45
3.2.1
TIEFENABHAENGIGE
SCHICHTZUSAMMENSETZUNG
.
45
3.2.2
LATERALE
SILIZIUM-VERTEILUNG
.
46
3.2.3
MODELL
ZUR
VERTEILUNG
DES
SILIZIUM
IN
UND
AUF
AIN
.
48
3.3
SILIZIUM-EINBAU
IN
AIN
UNTER
"
IDEALEN
"
WACHSTUMSBEDINGUNGEN
.
51
3.4
SILIZIUM-DOTIERUNG
VON
AIN
UNTER
STICKSTOFF-REICHEN
WACHSTUMSBEDIN
GUNGEN
.
53
3.5
EINFLUSS
DES
III-V-VERHAELTNISSES
AUF
DEN
EINBAU
VON
SILIZIUM
IN
AIN
.
.
55
3.6
WEITERE
BESTANDTEILE
DER
ALN:SI-SCHICHTEN
.
56
3.6.1
ALUMINIUM
UND
STICKSTOFF
.
57
3.6.2
VERUNREINIGUNGEN
IN
AIN:SI
.
59
4
BESTIMMUNG
DER
STRUKTURELLEN
EIGENSCHAFTEN
VON
AIN
MITTELS
HOCH
AUFLOESENDER
ROENT
GENDIFFRAKT
OMETRIE
63
4.1
THEORIE
DER
ROENTGENBEUGUNG
.
64
4.1.1
GEOMETRISCHE
STREUTHEORIE
.
64
4.1.2
KINEMATISCHE
STREUTHEORIE
.
65
4.2
EXPERIMENTELLE
BESTIMMUNG
VON
STRUKTURELLEN
EIGENSCHAFTEN
.
66
4.2.1
GITTERPARAMETER
.
66
4.2.2
HOMOGENE
VERSPANNUNG
VON
KRISTALLEN
.
70
4.2.3
HETEROGENE
VERSPANNUNG
VON
KRISTALLEN
.
73
4.2.4
KRISTALLITGROESSE
.
74
4.2.5
SCHRAUBEN-UND
STUFENVERSETZUNGSDICHTE
.
75
5
MORPHOLOGISCHE
UND
STRUKTURELLE
EIGENSCHAFTEN
VON
ALN:SI
81
5.1
OBERFLAECHENMORPHOLOGIE
.
82
5.2
NUKLEATION
.
83
5.3
GITTERPARAMETER
.
85
5.4
HOMOGENE
VERSPANNUNG
UND
POISSON-VERHAELTNIS
.
87
5.5
VERTIKALE
UND
LATERALE
KRISTALLITGROESSE
.
90
5.6
ELEKTRONENMIKROSKOPISCHE
UNTERSUCHUNGEN
.
92
5.6.1
ELEKTRONENBEUGUNG
.
92
5.6.2
XTEM-ANALYSE
.
94
5.7
MODELL
ZUR
ENTSTEHUNG
VON
POLYKRISTALLINEN
PHASEN
IN
ALN:SI
.
95
5.8
VERSETZUNGSDICHTE
.
99
5.8.1
EINFLUSS
DES
SILIZIUM-FLUSSES
AUF
DIE
VERSETZUNGSDICHTEN
.
99
5.8.2
BILDUNG
VON
VERSETZUNGEN
.
101
5.9
HETEROGENE
VERSPANNUNG
.
103
6
ELEKTRISCHE
EIGENSCHAFTEN
VON
ALN:SI
105
6.1
DAS
DX-ZENTRUM
IN
AIN
.
105
6.2
ELEKTRISCHE
EIGENSCHAFTEN
VON
N
TYP
AIN
-
LITERATURUEBERSICHT
.
109
6.3
PROBENPRAEPARATION
UND
MESSMETHODEN
.
111
6.4
ELEKTRISCHE
LEITFAEHIGEIT
BEI
RAUMTEMPERATUR
.
111
6.5
TEMPERATUR-ABHAENGIGKEIT
DER
LEITFAEHIGKEIT
.
114
6.5.1
NIEDRIGE
TEMPERATUREN
(4
K
-
300
K)
.
114
6.5.2
HOHE
TEMPERATUREN
(300
K
1000
K)
.
114
6.6
LADUNGSTRAEGERDICHTE
.
117
6.7
LADUNGSTRAEGER-BEWEGLICHKEIT
.
120
7
OPTISCHE
EIGENSCHAFTEN
VON
ALN:SI
125
7.1
OPTISCHE
EIGENSCHAFTEN
VON
AIN
UND
ALN:SI
-
LITERATURUEBERSICHT
.
125
7.1.1
DEFEKTE
IN
AIN
.
125
7.1.2
ABSORPTION
VON
LICHT
.
126
7.1.3
LUMINESZENZ
VON
DOTIERTEM
UND
UNDOTIERTEM
AIN
.
127
7.2
ABSORPTION
VON
LICHT
IN
SILIZIUM-DOTIERTEM
AIN
.
131
7.3
BANDLUECKEN-NAHE
LUMINESZENZ
.
136
7.3.1
EINFLUSS
DER
SILIZIUM-KONZENTRATION
.
136
7.3.2
VERKLEINERUNG
DER
BANDLUECKE
.
139
7.3.3
TEMPERATUR-ABHAENGIGKEIT
.
143
7.4
DEFEKT
BAENDER
IN
DER
BANDLUECKE
.
145
7.5
LICHT-INDUZIERTE
LEITFAEHIGKEIT
.
148
7.5.1
SPEKTRAL
AUFGELOESTE
PHOTOLEITUNG
.
148
7.5.2
PERSISTENZ-EFFEKTE
.
149
8
WACHSTUM
AUF
DIAMANT
153
8.1
MATERIALEIGENSCHAFTEN
VON
DIAMANT
.
154
8.1.1
ELEKTRISCHE
EIGENSCHAFTEN
.
155
8.1.2
EIGENSCHAFTEN
DES
KRISTALLGITTERS
VON
DIAMANT
.
157
8.2
AIN
(GAN)
AUF
DIAMANT
-
LITERATURUEBERSICHT
.
160
8.3
GRUPPE
III-NITRID/DIAMANT
HETEROSTRUKTUREN
.
162
8.4
WACHSTUM
AUF
DIAMANT
.
164
8.4.1
DIAMANT-SUBSTRATE
.
164
8.4.2
PRAEPARATION
DER
SUBSTRATE
.
165
8.4.3
WACHSTUM
VON
AI(GA)N
AUF
DIAMANT
.
168
8.4.4
RUECKGEWINNUNG
DER
DIAMANT-SUBSTRATE
.
169
8.5
HETEROEPITAKTISCHES
AIN
(GAN)
AUF
DIAMANT
.
170
8.5.1
EPITAKTISCHE
AUSRICHTUNG
VON
AL(GA)N
AUF
DIAMANT
.
170
8.5.2
VERSPANNUNG
DER
AIN-EPISCHICHTEN
.
179
8.5.3
OBERFLAECHENMORPHOLOGIE
.
181
8.5.4
STRUKTURELLE
EIGENSCHAFTEN
.
181
8.5.5
BESTIMMUNG
DER
POLARITAET
.
184
8.6
ZUSAMMENFASSUNG
.
185
9
ZUSAMMENFASSUNG
UND
AUSBLICK
187
9.1
ZUSAMMENFASSUNG
.
187
9.2
AUSBLICK
.
189
9.3
EIGENE
VEROEFFENTLICHUNGEN
.
190
DANKSAGUNG
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