Nanostrukturierte Hochtemperatur-Gassensoren auf Basis von (Al)GaN- und SiC-Feldeffekttransistoren:
Gespeichert in:
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| Format: | Abschlussarbeit Buch |
| Sprache: | German |
| Veröffentlicht: |
Erlangen
Lehrstuhl für Mikrocharakterisierung
2009
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| Schriftenreihe: | Physik mikrostrukturierter Halbleiter
42 |
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