Untersuchungen zum Einsatz der Röntgentopographie in Kombination mit elektrischen Sondermesstechniken zur Charakterisierung elektronischer Eigenschaften prozessinduzierter Kristalldefekte im Silizium:
Gespeichert in:
| 1. Verfasser: | |
|---|---|
| Format: | Abschlussarbeit Buch |
| Sprache: | German |
| Veröffentlicht: |
1989
|
| Schlagworte: | |
| Beschreibung: | 113 Bl. Ill. |
Internformat
MARC
| LEADER | 00000nam a22000002c 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | BV024877145 | ||
| 003 | DE-604 | ||
| 005 | 00000000000000.0 | ||
| 007 | t | ||
| 008 | 100417s1989 a||| m||| 00||| ger d | ||
| 035 | |a (OCoLC)721495435 | ||
| 035 | |a (DE-599)BVBBV024877145 | ||
| 040 | |a DE-604 |b ger |e rakwb | ||
| 041 | 0 | |a ger | |
| 049 | |a DE-11 | ||
| 100 | 0 | |a Brodersen Olaf |e Verfasser |4 aut | |
| 245 | 1 | 0 | |a Untersuchungen zum Einsatz der Röntgentopographie in Kombination mit elektrischen Sondermesstechniken zur Charakterisierung elektronischer Eigenschaften prozessinduzierter Kristalldefekte im Silizium |c OLaf Brodersen |
| 264 | 1 | |c 1989 | |
| 300 | |a 113 Bl. |b Ill. | ||
| 336 | |b txt |2 rdacontent | ||
| 337 | |b n |2 rdamedia | ||
| 338 | |b nc |2 rdacarrier | ||
| 502 | |a Jena, Univ., Diss. A, 1989 | ||
| 655 | 7 | |0 (DE-588)4113937-9 |a Hochschulschrift |2 gnd-content | |
| 999 | |a oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-019551173 | ||
Datensatz im Suchindex
| _version_ | 1804141880485609472 |
|---|---|
| any_adam_object | |
| author | Brodersen Olaf |
| author_facet | Brodersen Olaf |
| author_role | aut |
| author_sort | Brodersen Olaf |
| author_variant | b o bo |
| building | Verbundindex |
| bvnumber | BV024877145 |
| ctrlnum | (OCoLC)721495435 (DE-599)BVBBV024877145 |
| format | Thesis Book |
| fullrecord | <?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?><collection xmlns="http://www.loc.gov/MARC21/slim"><record><leader>00897nam a22002652c 4500</leader><controlfield tag="001">BV024877145</controlfield><controlfield tag="003">DE-604</controlfield><controlfield tag="005">00000000000000.0</controlfield><controlfield tag="007">t</controlfield><controlfield tag="008">100417s1989 a||| m||| 00||| ger d</controlfield><datafield tag="035" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">(OCoLC)721495435</subfield></datafield><datafield tag="035" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">(DE-599)BVBBV024877145</subfield></datafield><datafield tag="040" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">DE-604</subfield><subfield code="b">ger</subfield><subfield code="e">rakwb</subfield></datafield><datafield tag="041" ind1="0" ind2=" "><subfield code="a">ger</subfield></datafield><datafield tag="049" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">DE-11</subfield></datafield><datafield tag="100" ind1="0" ind2=" "><subfield code="a">Brodersen Olaf</subfield><subfield code="e">Verfasser</subfield><subfield code="4">aut</subfield></datafield><datafield tag="245" ind1="1" ind2="0"><subfield code="a">Untersuchungen zum Einsatz der Röntgentopographie in Kombination mit elektrischen Sondermesstechniken zur Charakterisierung elektronischer Eigenschaften prozessinduzierter Kristalldefekte im Silizium</subfield><subfield code="c">OLaf Brodersen</subfield></datafield><datafield tag="264" ind1=" " ind2="1"><subfield code="c">1989</subfield></datafield><datafield tag="300" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">113 Bl.</subfield><subfield code="b">Ill.</subfield></datafield><datafield tag="336" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">txt</subfield><subfield code="2">rdacontent</subfield></datafield><datafield tag="337" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">n</subfield><subfield code="2">rdamedia</subfield></datafield><datafield tag="338" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">nc</subfield><subfield code="2">rdacarrier</subfield></datafield><datafield tag="502" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">Jena, Univ., Diss. A, 1989</subfield></datafield><datafield tag="655" ind1=" " ind2="7"><subfield code="0">(DE-588)4113937-9</subfield><subfield code="a">Hochschulschrift</subfield><subfield code="2">gnd-content</subfield></datafield><datafield tag="999" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-019551173</subfield></datafield></record></collection> |
| genre | (DE-588)4113937-9 Hochschulschrift gnd-content |
| genre_facet | Hochschulschrift |
| id | DE-604.BV024877145 |
| illustrated | Illustrated |
| indexdate | 2024-07-09T22:22:54Z |
| institution | BVB |
| language | German |
| oai_aleph_id | oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-019551173 |
| oclc_num | 721495435 |
| open_access_boolean | |
| owner | DE-11 |
| owner_facet | DE-11 |
| physical | 113 Bl. Ill. |
| publishDate | 1989 |
| publishDateSearch | 1989 |
| publishDateSort | 1989 |
| record_format | marc |
| spelling | Brodersen Olaf Verfasser aut Untersuchungen zum Einsatz der Röntgentopographie in Kombination mit elektrischen Sondermesstechniken zur Charakterisierung elektronischer Eigenschaften prozessinduzierter Kristalldefekte im Silizium OLaf Brodersen 1989 113 Bl. Ill. txt rdacontent n rdamedia nc rdacarrier Jena, Univ., Diss. A, 1989 (DE-588)4113937-9 Hochschulschrift gnd-content |
| spellingShingle | Brodersen Olaf Untersuchungen zum Einsatz der Röntgentopographie in Kombination mit elektrischen Sondermesstechniken zur Charakterisierung elektronischer Eigenschaften prozessinduzierter Kristalldefekte im Silizium |
| subject_GND | (DE-588)4113937-9 |
| title | Untersuchungen zum Einsatz der Röntgentopographie in Kombination mit elektrischen Sondermesstechniken zur Charakterisierung elektronischer Eigenschaften prozessinduzierter Kristalldefekte im Silizium |
| title_auth | Untersuchungen zum Einsatz der Röntgentopographie in Kombination mit elektrischen Sondermesstechniken zur Charakterisierung elektronischer Eigenschaften prozessinduzierter Kristalldefekte im Silizium |
| title_exact_search | Untersuchungen zum Einsatz der Röntgentopographie in Kombination mit elektrischen Sondermesstechniken zur Charakterisierung elektronischer Eigenschaften prozessinduzierter Kristalldefekte im Silizium |
| title_full | Untersuchungen zum Einsatz der Röntgentopographie in Kombination mit elektrischen Sondermesstechniken zur Charakterisierung elektronischer Eigenschaften prozessinduzierter Kristalldefekte im Silizium OLaf Brodersen |
| title_fullStr | Untersuchungen zum Einsatz der Röntgentopographie in Kombination mit elektrischen Sondermesstechniken zur Charakterisierung elektronischer Eigenschaften prozessinduzierter Kristalldefekte im Silizium OLaf Brodersen |
| title_full_unstemmed | Untersuchungen zum Einsatz der Röntgentopographie in Kombination mit elektrischen Sondermesstechniken zur Charakterisierung elektronischer Eigenschaften prozessinduzierter Kristalldefekte im Silizium OLaf Brodersen |
| title_short | Untersuchungen zum Einsatz der Röntgentopographie in Kombination mit elektrischen Sondermesstechniken zur Charakterisierung elektronischer Eigenschaften prozessinduzierter Kristalldefekte im Silizium |
| title_sort | untersuchungen zum einsatz der rontgentopographie in kombination mit elektrischen sondermesstechniken zur charakterisierung elektronischer eigenschaften prozessinduzierter kristalldefekte im silizium |
| topic_facet | Hochschulschrift |
| work_keys_str_mv | AT brodersenolaf untersuchungenzumeinsatzderrontgentopographieinkombinationmitelektrischensondermesstechnikenzurcharakterisierungelektronischereigenschaftenprozessinduzierterkristalldefekteimsilizium |