Möglichkeiten der Untersuchung von Halbleitern mittels Kathodolumineszenz im Rasterelektronenmikroskop am Beispiel GaxIn1-xP [GaxInxP] und GaP:
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MOEGLICHKEITEN DER UNTERSUCHUNG VON HALBLEITERN
MITTELS KATHOAOLURAINESZENZ IM RASTERELEKTRONERUNIKROSKOP
AM BEISPIEL GA IN, P UND GAP
X
F
"X
I
INHALTSVERZEICHNIS
SEITE
1 EINLEITUNG UND AUFGABENSTELLUNG 1
2 DIE KATHODOLUMINESZENZ-MODE
DES LLASTERELEKTRONENMILCROSKOPS 6
21 DER EXPERIMENTELLE AUFBAU 10
22 MODELLVORSTELLUNGEN ZUR KATHODOLUMINESZENZ 14
23 MESSUNG DES AUFLOESUNGSVERMOEGENS ' 18
3 DIE UNTERSUCHTEN MATERIALIEN 25
31 (GA,IN)P-I.IISCHKRISTALLE 25
32 GALLIUMPHOSPHID 27
4 MESSUNG DER ZUSAMMENSETZUNG UND DOTIERUNG 31
41 MISCHLCRISTALL-VOLUMENPROBEN 31
42 MISCHKRISTALL-SCHICHTEN 39
43 DOTIERUNGEN IN GALLIUMPHOSPHID 46
44 ZUSAMMENFASSUNG 57
5 NACHWEIS VON KRISTALLBAUFEHLERN 58
51 KORNGRENZEN 58
52 SUBKORNGRENZEN 60
521 ERGAENZENDE UNTERSUCHUNGEN 66
53 EINZELVERSETZUNGEN 75
54 ZUSAMMENFASSUNG 81
6 LITERATUR 82
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