Silizium-Permeable-Base-Transistoren mit vergrabenem CoSi 2 - Gate:
Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser: Schüppen, Andreas (VerfasserIn)
Format: Abschlussarbeit Buch
Sprache:Undetermined
Veröffentlicht: 1993
Schlagworte:
Beschreibung:145 S. Ill., graph. Darst.

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