Physikalisch begrenzende Parameter bei der Transistorverkleinerung: dünne Oxide und heiße Elektronen:
Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser: Schmitt-Landsiedel, Doris 1952-2023 (VerfasserIn)
Format: Abschlussarbeit Buch
Sprache:German
Veröffentlicht: 1983
Schlagworte:
Beschreibung:179 S. graph. Darst.

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