Schäfer, B. (1990). Der Einfluß dünner Zwischenschichten auf die Bandkantendiskontinuität am Ge-GaAs(110)-Halbleiterkontakt: Eine photoemissionsspektroskopische Untersuchung (Als Ms. gedr.). Forschungszentrum Jülich, Inst. für Schicht- und Ionentechnik.
Chicago-Zitierstil (17. Ausg.)Schäfer, Bernd-Josef. Der Einfluß Dünner Zwischenschichten Auf Die Bandkantendiskontinuität Am Ge-GaAs(110)-Halbleiterkontakt: Eine Photoemissionsspektroskopische Untersuchung. Als Ms. gedr. Jülich: Forschungszentrum Jülich, Inst. für Schicht- und Ionentechnik, 1990.
MLA-Zitierstil (9. Ausg.)Schäfer, Bernd-Josef. Der Einfluß Dünner Zwischenschichten Auf Die Bandkantendiskontinuität Am Ge-GaAs(110)-Halbleiterkontakt: Eine Photoemissionsspektroskopische Untersuchung. Als Ms. gedr. Forschungszentrum Jülich, Inst. für Schicht- und Ionentechnik, 1990.