Ringhandt, A. (1994). Untersuchung des Hall-Effektes und der Ladungsträger-Beweglichkeit im Inversionskanal von MOS-Feldeffekt-Transistoren.
Chicago-Zitierstil (17. Ausg.)Ringhandt, Andreas. Untersuchung Des Hall-Effektes Und Der Ladungsträger-Beweglichkeit Im Inversionskanal Von MOS-Feldeffekt-Transistoren. 1994.
MLA-Zitierstil (9. Ausg.)Ringhandt, Andreas. Untersuchung Des Hall-Effektes Und Der Ladungsträger-Beweglichkeit Im Inversionskanal Von MOS-Feldeffekt-Transistoren. 1994.
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