Untersuchung von SiGe-Si-Heterostrukturen mittels kapazitiver Methoden und Hall-Effekt:
Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser: Loo, Rogér (VerfasserIn)
Format: Abschlussarbeit Buch
Sprache:Undetermined
Veröffentlicht: Jülich Forschungszentrum, Zentralbibliothek 1993
Schlagworte:
Beschreibung:VI, 88 S. Ill., graph. Darst.

Es ist kein Print-Exemplar vorhanden.

Fernleihe Bestellen Achtung: Nicht im THWS-Bestand!