Verwendbarkeit von N 2 als Trägergas bei der Niedrigdruckgasphasenepitaxie von GaAs und Al X Ga 1-X As:
Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser: Hollfelder, Martin (VerfasserIn)
Format: Abschlussarbeit Buch
Sprache:Undetermined
Veröffentlicht: Jülich Forschungszentrum, Zentralbibliothek 1993
Schlagworte:
Beschreibung:VI, 98 S. graph. Darst.

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