Vollimplantierte 0,8 µm Gate Silizium MESFETs mit eliminierten Kurzkanäl-Effekten:
Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser: Fernholz, Gabi (VerfasserIn)
Format: Buch
Sprache:Undetermined
Veröffentlicht: 1984

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