APA (7th ed.) Citation

Fernholz, G. (1984). Vollimplantierte 0,8 µm Gate Silizium MESFETs mit eliminierten Kurzkanäl-Effekten.

Chicago Style (17th ed.) Citation

Fernholz, Gabi. Vollimplantierte 0,8 µm Gate Silizium MESFETs Mit Eliminierten Kurzkanäl-Effekten. 1984.

MLA (9th ed.) Citation

Fernholz, Gabi. Vollimplantierte 0,8 µm Gate Silizium MESFETs Mit Eliminierten Kurzkanäl-Effekten. 1984.

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