AlGalnAs-InP-Molekularstrahlepitaxie für Metall-Halbleiter-Metall-Photodektoren und -Modulatoren:
Saved in:
| Main Author: | |
|---|---|
| Format: | Book |
| Language: | Undetermined |
| Published: |
Düsseldorf
VDI-Verl.
1996
|
| Edition: | Als Ms. gedr. |
| Series: | Fortschrittberichte / VDI : Reihe 9, Elektronik
227 |
| Subjects: | |
| Physical Description: | VIII, 168 S. graph. Darst. |
| ISBN: | 3183227096 |
Staff View
MARC
| LEADER | 00000nam a2200000zcb4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | BV023835492 | ||
| 003 | DE-604 | ||
| 005 | 20090401000000.0 | ||
| 007 | t | ||
| 008 | 970925s1996 d||| |||| 00||| und d | ||
| 020 | |a 3183227096 |9 3-18-322709-6 | ||
| 035 | |a (OCoLC)916117985 | ||
| 035 | |a (DE-599)BVBBV023835492 | ||
| 040 | |a DE-604 |b ger | ||
| 041 | |a und | ||
| 049 | |a DE-634 | ||
| 100 | 1 | |a Kummetz, Thomas |e Verfasser |4 aut | |
| 245 | 1 | 0 | |a AlGalnAs-InP-Molekularstrahlepitaxie für Metall-Halbleiter-Metall-Photodektoren und -Modulatoren |c Thomas Kummetz |
| 250 | |a Als Ms. gedr. | ||
| 264 | 1 | |a Düsseldorf |b VDI-Verl. |c 1996 | |
| 300 | |a VIII, 168 S. |b graph. Darst. | ||
| 336 | |b txt |2 rdacontent | ||
| 337 | |b n |2 rdamedia | ||
| 338 | |b nc |2 rdacarrier | ||
| 490 | 1 | |a Fortschrittberichte / VDI : Reihe 9, Elektronik |v 227 | |
| 650 | 0 | 7 | |a Mischkristall |0 (DE-588)4170112-4 |2 gnd |9 rswk-swf |
| 650 | 0 | 7 | |a Molekularstrahlepitaxie |0 (DE-588)4170399-6 |2 gnd |9 rswk-swf |
| 650 | 0 | 7 | |a Aluminiumarsenid |0 (DE-588)4324566-3 |2 gnd |9 rswk-swf |
| 650 | 0 | 7 | |a Optoelektronisches Bauelement |0 (DE-588)4043689-5 |2 gnd |9 rswk-swf |
| 650 | 0 | 7 | |a Indiumarsenid |0 (DE-588)4249718-8 |2 gnd |9 rswk-swf |
| 650 | 0 | 7 | |a Galliumarsenid |0 (DE-588)4019155-2 |2 gnd |9 rswk-swf |
| 689 | 0 | 0 | |a Aluminiumarsenid |0 (DE-588)4324566-3 |D s |
| 689 | 0 | 1 | |a Galliumarsenid |0 (DE-588)4019155-2 |D s |
| 689 | 0 | 2 | |a Indiumarsenid |0 (DE-588)4249718-8 |D s |
| 689 | 0 | 3 | |a Mischkristall |0 (DE-588)4170112-4 |D s |
| 689 | 0 | 4 | |a Molekularstrahlepitaxie |0 (DE-588)4170399-6 |D s |
| 689 | 0 | 5 | |a Optoelektronisches Bauelement |0 (DE-588)4043689-5 |D s |
| 689 | 0 | |5 DE-604 | |
| 810 | 2 | |a VDI |t Fortschrittberichte |v Reihe 9, Elektronik ; 227 |w (DE-604)BV047505631 |9 227 | |
| 999 | |a oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-017477626 | ||
Record in the Search Index
| _version_ | 1804139036549316608 |
|---|---|
| any_adam_object | |
| author | Kummetz, Thomas |
| author_facet | Kummetz, Thomas |
| author_role | aut |
| author_sort | Kummetz, Thomas |
| author_variant | t k tk |
| building | Verbundindex |
| bvnumber | BV023835492 |
| ctrlnum | (OCoLC)916117985 (DE-599)BVBBV023835492 |
| edition | Als Ms. gedr. |
| format | Book |
| fullrecord | <?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?><collection xmlns="http://www.loc.gov/MARC21/slim"><record><leader>01733nam a2200445zcb4500</leader><controlfield tag="001">BV023835492</controlfield><controlfield tag="003">DE-604</controlfield><controlfield tag="005">20090401000000.0</controlfield><controlfield tag="007">t</controlfield><controlfield tag="008">970925s1996 d||| |||| 00||| und d</controlfield><datafield tag="020" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">3183227096</subfield><subfield code="9">3-18-322709-6</subfield></datafield><datafield tag="035" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">(OCoLC)916117985</subfield></datafield><datafield tag="035" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">(DE-599)BVBBV023835492</subfield></datafield><datafield tag="040" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">DE-604</subfield><subfield code="b">ger</subfield></datafield><datafield tag="041" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">und</subfield></datafield><datafield tag="049" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">DE-634</subfield></datafield><datafield tag="100" ind1="1" ind2=" "><subfield code="a">Kummetz, Thomas</subfield><subfield code="e">Verfasser</subfield><subfield code="4">aut</subfield></datafield><datafield tag="245" ind1="1" ind2="0"><subfield code="a">AlGalnAs-InP-Molekularstrahlepitaxie für Metall-Halbleiter-Metall-Photodektoren und -Modulatoren</subfield><subfield code="c">Thomas Kummetz</subfield></datafield><datafield tag="250" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">Als Ms. gedr.</subfield></datafield><datafield tag="264" ind1=" " ind2="1"><subfield code="a">Düsseldorf</subfield><subfield code="b">VDI-Verl.</subfield><subfield code="c">1996</subfield></datafield><datafield tag="300" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">VIII, 168 S.</subfield><subfield code="b">graph. Darst.</subfield></datafield><datafield tag="336" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">txt</subfield><subfield code="2">rdacontent</subfield></datafield><datafield tag="337" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">n</subfield><subfield code="2">rdamedia</subfield></datafield><datafield tag="338" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">nc</subfield><subfield code="2">rdacarrier</subfield></datafield><datafield tag="490" ind1="1" ind2=" "><subfield code="a">Fortschrittberichte / VDI : Reihe 9, Elektronik</subfield><subfield code="v">227</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Mischkristall</subfield><subfield code="0">(DE-588)4170112-4</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Molekularstrahlepitaxie</subfield><subfield code="0">(DE-588)4170399-6</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Aluminiumarsenid</subfield><subfield code="0">(DE-588)4324566-3</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Optoelektronisches Bauelement</subfield><subfield code="0">(DE-588)4043689-5</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Indiumarsenid</subfield><subfield code="0">(DE-588)4249718-8</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1="0" ind2="7"><subfield code="a">Galliumarsenid</subfield><subfield code="0">(DE-588)4019155-2</subfield><subfield code="2">gnd</subfield><subfield code="9">rswk-swf</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="0"><subfield code="a">Aluminiumarsenid</subfield><subfield code="0">(DE-588)4324566-3</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="1"><subfield code="a">Galliumarsenid</subfield><subfield code="0">(DE-588)4019155-2</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="2"><subfield code="a">Indiumarsenid</subfield><subfield code="0">(DE-588)4249718-8</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="3"><subfield code="a">Mischkristall</subfield><subfield code="0">(DE-588)4170112-4</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="4"><subfield code="a">Molekularstrahlepitaxie</subfield><subfield code="0">(DE-588)4170399-6</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2="5"><subfield code="a">Optoelektronisches Bauelement</subfield><subfield code="0">(DE-588)4043689-5</subfield><subfield code="D">s</subfield></datafield><datafield tag="689" ind1="0" ind2=" "><subfield code="5">DE-604</subfield></datafield><datafield tag="810" ind1="2" ind2=" "><subfield code="a">VDI</subfield><subfield code="t">Fortschrittberichte</subfield><subfield code="v">Reihe 9, Elektronik ; 227</subfield><subfield code="w">(DE-604)BV047505631</subfield><subfield code="9">227</subfield></datafield><datafield tag="999" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-017477626</subfield></datafield></record></collection> |
| id | DE-604.BV023835492 |
| illustrated | Illustrated |
| indexdate | 2024-07-09T21:37:42Z |
| institution | BVB |
| isbn | 3183227096 |
| language | Undetermined |
| oai_aleph_id | oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-017477626 |
| oclc_num | 916117985 |
| open_access_boolean | |
| owner | DE-634 |
| owner_facet | DE-634 |
| physical | VIII, 168 S. graph. Darst. |
| publishDate | 1996 |
| publishDateSearch | 1996 |
| publishDateSort | 1996 |
| publisher | VDI-Verl. |
| record_format | marc |
| series2 | Fortschrittberichte / VDI : Reihe 9, Elektronik |
| spelling | Kummetz, Thomas Verfasser aut AlGalnAs-InP-Molekularstrahlepitaxie für Metall-Halbleiter-Metall-Photodektoren und -Modulatoren Thomas Kummetz Als Ms. gedr. Düsseldorf VDI-Verl. 1996 VIII, 168 S. graph. Darst. txt rdacontent n rdamedia nc rdacarrier Fortschrittberichte / VDI : Reihe 9, Elektronik 227 Mischkristall (DE-588)4170112-4 gnd rswk-swf Molekularstrahlepitaxie (DE-588)4170399-6 gnd rswk-swf Aluminiumarsenid (DE-588)4324566-3 gnd rswk-swf Optoelektronisches Bauelement (DE-588)4043689-5 gnd rswk-swf Indiumarsenid (DE-588)4249718-8 gnd rswk-swf Galliumarsenid (DE-588)4019155-2 gnd rswk-swf Aluminiumarsenid (DE-588)4324566-3 s Galliumarsenid (DE-588)4019155-2 s Indiumarsenid (DE-588)4249718-8 s Mischkristall (DE-588)4170112-4 s Molekularstrahlepitaxie (DE-588)4170399-6 s Optoelektronisches Bauelement (DE-588)4043689-5 s DE-604 VDI Fortschrittberichte Reihe 9, Elektronik ; 227 (DE-604)BV047505631 227 |
| spellingShingle | Kummetz, Thomas AlGalnAs-InP-Molekularstrahlepitaxie für Metall-Halbleiter-Metall-Photodektoren und -Modulatoren Mischkristall (DE-588)4170112-4 gnd Molekularstrahlepitaxie (DE-588)4170399-6 gnd Aluminiumarsenid (DE-588)4324566-3 gnd Optoelektronisches Bauelement (DE-588)4043689-5 gnd Indiumarsenid (DE-588)4249718-8 gnd Galliumarsenid (DE-588)4019155-2 gnd |
| subject_GND | (DE-588)4170112-4 (DE-588)4170399-6 (DE-588)4324566-3 (DE-588)4043689-5 (DE-588)4249718-8 (DE-588)4019155-2 |
| title | AlGalnAs-InP-Molekularstrahlepitaxie für Metall-Halbleiter-Metall-Photodektoren und -Modulatoren |
| title_auth | AlGalnAs-InP-Molekularstrahlepitaxie für Metall-Halbleiter-Metall-Photodektoren und -Modulatoren |
| title_exact_search | AlGalnAs-InP-Molekularstrahlepitaxie für Metall-Halbleiter-Metall-Photodektoren und -Modulatoren |
| title_full | AlGalnAs-InP-Molekularstrahlepitaxie für Metall-Halbleiter-Metall-Photodektoren und -Modulatoren Thomas Kummetz |
| title_fullStr | AlGalnAs-InP-Molekularstrahlepitaxie für Metall-Halbleiter-Metall-Photodektoren und -Modulatoren Thomas Kummetz |
| title_full_unstemmed | AlGalnAs-InP-Molekularstrahlepitaxie für Metall-Halbleiter-Metall-Photodektoren und -Modulatoren Thomas Kummetz |
| title_short | AlGalnAs-InP-Molekularstrahlepitaxie für Metall-Halbleiter-Metall-Photodektoren und -Modulatoren |
| title_sort | algalnas inp molekularstrahlepitaxie fur metall halbleiter metall photodektoren und modulatoren |
| topic | Mischkristall (DE-588)4170112-4 gnd Molekularstrahlepitaxie (DE-588)4170399-6 gnd Aluminiumarsenid (DE-588)4324566-3 gnd Optoelektronisches Bauelement (DE-588)4043689-5 gnd Indiumarsenid (DE-588)4249718-8 gnd Galliumarsenid (DE-588)4019155-2 gnd |
| topic_facet | Mischkristall Molekularstrahlepitaxie Aluminiumarsenid Optoelektronisches Bauelement Indiumarsenid Galliumarsenid |
| volume_link | (DE-604)BV047505631 |
| work_keys_str_mv | AT kummetzthomas algalnasinpmolekularstrahlepitaxiefurmetallhalbleitermetallphotodektorenundmodulatoren |