Joachim, H. (1996). Investigation on the short channel silicon on insulator (SOI) MOSFET towards 0.1 [my]m gate length for future VLSI applications (Als Ms. gedr.). Shaker.
Chicago-Zitierstil (17. Ausg.)Joachim, Hans-Oliver. Investigation on the Short Channel Silicon on Insulator (SOI) MOSFET Towards 0.1 [my]m Gate Length for Future VLSI Applications. Als Ms. gedr. Aachen: Shaker, 1996.
MLA-Zitierstil (9. Ausg.)Joachim, Hans-Oliver. Investigation on the Short Channel Silicon on Insulator (SOI) MOSFET Towards 0.1 [my]m Gate Length for Future VLSI Applications. Als Ms. gedr. Shaker, 1996.
Achtung: Diese Zitate sind unter Umständen nicht zu 100% korrekt.