Holdings: Silizium-Halbleitertechnologie

Silizium-Halbleitertechnologie: Grundlagen mikroelektronischer Integrationstechnik ; mit 37 Aufgaben mit Lösungen

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Bibliographic Details
Main Author:	Hilleringmann, Ulrich (Author)
Format:	Book
Language:	German
Published:	Wiesbaden Vieweg + Teubner 2008
Edition:	5., erg. und erw. Aufl.
Series:	Studium
Subjects:	Silicium Halbleitertechnologie Siliciumhalbleiter Lehrbuch
Online Access:	Beschreibung für Leser Inhaltsverzeichnis Inhaltsverzeichnis
Item Description:	Literaturverzeichnis Seite 327 - 329
Physical Description:	XIII, 338 S. Ill., graph. Darst. 21 cm
ISBN:	3835102451 9783835102453

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adam_text	ULRICH HILLERINGMANN SILIZIUM-HALBLEITER- TECHNOLOGIE GRUNDLAGEN MIKROELEKTRONISCHER INTEGRATIONSTECHNIK 5., ERGAENZTE UND ERWEITERTE AUFLAGE MIT 160 ABBILDUNGEN UND 37 AUFGABEN MIT LOESUNGEN STUDIUM VIEWEG + TEUBNER INHALTSVERZEICHNIS 1 EINLEITUNG 1 1.1 AUFGABEN 4 2 HERSTELLUNG VON SILIZIUMSCHEIBEN 5 2.1 SILIZIUM ALS BASISMATERIAL 5 2.2 HERSTELLUNG UND REINIGUNG DES ROHMATERIALS 8 2.2.1 HERSTELLUNG VON TECHNISCHEM SILIZIUM 8 2.2.2 CHEMISCHE REINIGUNG DES TECHNISCHEN SILIZIUMS 9 2.2.3 ZONENREINIGUNG 11 2.3 HERSTELLUNG VON EINKRISTALLEN 12 2.3.1 DIE KRISTALLSTRUKTUR 12 2.3.2 KRISTALLZIEHVERFAHREN NACH CZOCHRALSKI 14 2.3.3 TIEGELFREIES ZONENZIEHEN 16 2.3.4 KRISTALLFEHLER 18 2.4 KRISTALLBEARBEITUNG 19 2.4.1 SAEGEN 20 2.4.2 OBERFLAECHENBEHANDLUNG 21 2.4.2.1 LAEPPEN 21 2.4.2.2 SCHEIBENRAND ABRUNDEN 22 2.4.2.3 AETZEN 23 2.4.2.4 POLIEREN 23 2.5 AUFGABEN ZUR SCHEIBENHERSTELLUNG 24 3 OXIDATION DES DOTIERTEN SILIZIUMS 26 3.1 DIE THERMISCHE OXIDATION VON SILIZIUM 27 3.1.1 TROCKENE OXIDATION 28 3.1.2 NASSE OXIDATION 29 3.1.3 H 2 0 2 -VERBRENNUNG 31 3.2 MODELLIERUNG DER OXIDATION 32 VIII INHALTSVERZEICHNIS 3.3 DIE GRENZFLAECHE SI0 2 /SILIZIUM 33 3.4 SEGREGATION 35 3.5 ABSCHEIDEVERFAHREN FUER OXID 37 3.5.1 DIE SILAN PYROLYSE 37 3.5.2 DIE TEOS-OXIDABSCHEIDUNG 38 3.6 AUFGABEN ZUR OXIDATION DES SILIZIUMS 39 4 LITHOGRAFIE 40 4.1 MASKENTECHNIK 41 4.1.1 PATTERN-GENERATOR UND STEP- UND-REPEAT-BELICHTUNG 42 4.1.2 DIREKTSCHREIBEN DER MASKE MIT DEM ELEKTRONENSTRAHL 43 4.1.3 MASKENTECHNIKEN FUER HOECHSTE AUFLOESUNGEN 43 4.2 BELACKUNG 44 4.2.1 AUFBAU DER FOTOLACKE 44 4.2.2 AUFBRINGEN DER LACKSCHICHTEN 45 4.3 BELICHTUNGSVERFAHREN 48 4.3.1 OPTISCHE LITHOGRAFIE (FOTOLITHOGRAFIE) 48 4.3.1.1 KONTAKTBELICHTUNG 48 4.3.1.2 ABSTANDSBELICHTUNG (PROXIMITY) 49 4.3.1.3 PROJEKTIONSBELICHTUNG 50 4.3.1.4 VERKLEINERNDE PROJEKTIONSBELICHTUNG 52 4.3.2 ELEKTRONENSTRAHL-LITHOGRAFIE 55 4.3.3 ROENTGENSTRAHL-LITHOGRAFIE 58 4.3.4 WEITERE VERFAHREN ZUR STRUKTURIERUNG 60 4.4 LACKBEARBEITUNG 61 4.4.1 ENTWICKELN UND HAERTEN DES LACKES 61 4.4.2 LINIENWEITENKONTROLLE 63 4.4.3 ABLOESEN DER LACKMASKE 65 4.5 AUFGABEN ZUR LITHOGRAFIETECHNIK 66 INHALTSVERZEICHNIS IX 5 AETZTECHNIK 68 5.1 NASSCHEMISCHES AETZEN 69 5.1.1 TAUCHAETZUNG 70 5.1.2 SPRUEHAETZUNG 71 5.1.3 AETZLOESUNGEN FUER DIE NASSCHEMISCHE STRUKTURIERUNG 71 5.1.3.1 ISOTROP WIRKENDE AETZLOESUNGEN 71 5.1.3.2 ANISOTROP WIRKENDE SILIZIUMAETZUNG 73 5.2 TROCKENAETZEN 74 5.2.1 PLASMAAETZEN (PE) 76 5.2.2 REAKTIVES IONENAETZEN (RIE) 78 5.2.2.1 PROZESSPARAMETER DES REAKTIVEN IONENAETZENS 79 5.2.2.2 REAKTIONSGASE 82 5.2.3 IONENSTRAHLAETZEN 86 5.2.4 TROCKENAETZVERFAHREN FUER HOHE AETZRATEN 87 5.3 ENDPUNKTDETEKTION 89 5.3.1 VISUELLE KONTROLLE 89 5.3.2 ELLIPSOMETRIE 90 5.3.3 SPEKTROSKOPIE 90 5.3.4 INTERFEROMETRIE 91 5.3.5 MASSENSPEKTROMETRIE 91 5.4 AUFGABEN ZUR AETZTECHNIK 92 6 DOTIERTECHNIKEN 94 6.1 LEGIERUNG 95 6.2 DIFFUSION 98 6.2.1 FICK'SCHE GESETZE 99 6.2.1.1 DIE DIFFUSION AUS UNERSCHOEPFLICHER QUELLE 100 6.2.1.2 DIE DIFFUSION AUS ERSCHOEPFLICHER QUELLE 101 6.2.2 DIFFUSIONSVERFAHREN 103 6.2.3 ABLAUF DES DIFFUSIONSPROZESSES 106 6.2.4 GRENZEN DER DIFFUSIONSTECHNIK 107 6.3 IONENIMPLANTATION 108 6.3.1 REICHWEITE IMPLANTIERTER IONEN 109 6.3.2 CHANNELING 111 X INHALTSVERZEICHNIS 6.3.3 AKTIVIERUNG DER DOTIERSTOFFE 112 6.3.4 TECHNISCHE AUSFUEHRUNG DER IONENIMPLANTATION 116 6.3.5 CHARAKTERISTIKEN DER IMPLANTATION 120 6.4 AUFGABEN ZU DEN DOTIERTECHNIKEN 1 21 7 DEPOSITIONSVERFAHREN 123 7.1 CHEMISCHE DEPOSITIONSVERFAHREN 123 7.1.1 DIE SILIZIUM-GASPHASENEPITAXIE 123 7.1.2 DIE CVD-VERFAHREN ZUR SCHICHTDEPOSITION 127 7.1.2.1 APCVD-VERFAHREN 128 7.1.2.2 LOW PRESSURE CVD-VERFAHREN (LPCVD) 130 7.1.2.3 PLASMA ENHANCED CVD-VERFAHREN (PECVD) 132 7.1.3 ATOMIC LAYER DEPOSITION (ALD) 134 7.2 PHYSIKALISCHE DEPOSITIONSVERFAHREN 136 7.2.1 MOLEKULARSTRAHLEPITAXIE (MBE) 136 7.2.2 AUFDAMPFEN 138 7.2.3 KATHODENZERSTAEUBUNG (SPUTTERN) 140 7.3 AUFGABEN ZU DEN ABSCHEIDETECHNIKEN 144 8 METALLISIERUNG UND KONTAKTE 146 8.1 DER METALL-HALBLEITER-KONTAKT 147 8.2 MEHRLAGENVERDRAHTUNG 152 8.2.1 PLANARISIERUNGSTECHNIKEN 152 8.2.1.1 DER BPSG-REFLOW 153 8.2.1.2 REFLOW- UND RUECKAETZTECHNIK ORGANISCHER SCHICHTEN 154 8.2.1.3 SPIN-ON-GLAESER 155 8.2.1.4 CHEMISCH-MECHANISCHES POLIEREN 156 8.2.2 AUFFUELLEN VON KONTAKTOEFFNUNGEN 158 8.3 ZUVERLAESSIGKEIT DER ALUMINIUM-METALLISIERUNG 160 8.4 KUPFERMETALLISIERUNG 162 8.5AUFGABEN ZUR METALLISIERUNG 166 INHALTSVERZEICHNIS XI 9 SCHEIBENREINIGUNG 168 9.1 VERUNREINIGUNGEN UND IHRE AUSWIRKUNGEN 169 9.1.1 MIKROSKOPISCHE VERUNREINIGUNGEN 170 9.1.2 MOLEKULARE VERUNREINIGUNGEN 171 9.1.3 ALKALISCHE UND ATOMARE VERUNREINIGUNGEN 172 9.2 REINIGUNGSTECHNIKEN 173 9.3 AETZLOESUNGEN ZUR SCHEIBENREINIGUNG 175 9.4 BEISPIEL EINER REINIGUNGSSEQUENZ 177 9.5 AUFGABEN ZUR SCHEIBENREINIGUNG 178 10 MOS-TECHNOLOGIEN ZUR SCHALTUNGSINTEGRATION 180 10.1 EINKANAL MOS-TECHNIKEN 180 10.1.1 DER PMOS ALUMINIUM-GATE-PROZESS 180 10.1.2 DIE N-KANAL ALUMINIUM-GATE MOS-TECHNIK 184 10.1.3 DIE N-KANAL SILIZIUM-GATE MOS-TECHNOLOGIE 187 10.2 DER N-WANNEN SILIZIUM-GATE CMOS-PROZESS 191 10.2.1 SCHALTUNGSELEMENTE DER CMOS-TECHNIK 201 10.2.2 LATCHUP-EFFEKT 204 10.3 FUNKTIONSTEST UND PARAMETERERFASSUNG 208 10.4 AUFGABEN ZUR MOS-TECHNIK 210 11 ERWEITERUNGEN ZUR HOECHSTINTEGRATION 213 11.1 LOKALE OXIDATION VON SILIZIUM (LOCOS-TECHNIK) 213 11.1.1 DIE EINFACHE LOKALE OXIDATION VON SILIZIUM 214 11.1.2 SPOT-TECHNIK ZUR LOKALEN OXIDATION 217 11.1.3 DIE SILO-TECHNIK 219 11.1.4 POLY-BUFFERED LOCOS 220 11.1.5 DIE SWAMI-LOCOS-TECHNIK 221 11.1.6 GRABEN-ISOLATION 224 11.2 MOS-TRANSISTOREN FUER DIE HOECHSTINTEGRATION 225 11.2.1 DURCHBRUCHMECHANISMEN IN MOS-TRANSISTOREN 227 XII INHALTSVERZEICHNIS 11.2.1.1 KANALLAENGENMODULATION 228 11.2.1.2 DRAIN-DURCHGRIFF (PUNCH-THROUGH) 229 11.2.1.3 DRAIN-SUBSTRAT DURCHBRUCH (SNAP-BACK) 230 11.2.1.4 TRANSISTORALTERUNG DURCH HEISSE ELEKTRONEN 230 11.2.2 DIE SPACER-TECHNIK ZUR DOTIERUNGSOPTIMIERUNG 231 11.2.2.1 LDD N-KANAL MOS-TRANSISTOREN 231 11.2.2.2 P-KANAL OFFSET-TRANSISTOREN 235 11.2.3 SELBSTJUSTIERENDE KONTAKTE 238 11.3SOI-TECHNIKEN 241 11.3.1 SOI-SUBSTRATE 241 11.3.1.1 FIPOS - FUELL ISOLATION BY POROUS OXIDIZED SILICON 242 11.3.1.2 SIMOX - SILICON IMPLANTED OXIDE 244 11.3.1.3 WAFER-BONDING 245 11.3.1.4 ELO - EPITAXIAL LATERAL OVERGROWTH 247 11.3.1.5 DIE SOS-TECHNIK 248 11.3.1.6 SOI-SCHICHTEN DURCH REKRISTALLISATIONSVERFAHREN 248 11.3.2 PROZESSFUEHRUNG IN DER SOI-TECHNIK 250 11.4 TRANSISTOREN MIT NANOMETER-ABMESSUNGEN 252 11.5 AUFGABEN ZUR HOECHSTINTEGRATIONSTECHNIK 258 12 BIPOLAR-TECHNOLOGIE 260 12.1 DIE STANDARD-BURIED-COLLECTOR TECHNIK 261 12.2 FORTGESCHRITTENE SBC-TECHNIK 264 12.3 BIPOLARPROZESS MIT SELBSTJUSTIERTEM EMITTER 266 12.4 BICMOS-TECHNIKEN 270 12.5 AUFGABEN ZUR BIPOLARTECHNOLOGIE 273 13 MONTAGE INTEGRIERTER SCHALTUNGEN 274 13.1 VORBEREITUNG DER SCHEIBEN ZUR MONTAGE 274 13.1.1 VERRINGERUNG DER SCHEIBENDICKE 275 13.1.2 RUECKSEITENMETALLISIERUNG 276 INHALTSVERZEICHNIS XIII 13.1.3 TRENNEN DER CHIPS 277 13.1.3.1 RITZEN 277 13.1.3.2 LASERTRENNEN 278 13.1.3.3 SAEGEN/TRENNSCHLEIFEN 279 13.2 SCHALTUNGSMONTAGE 279 13.2.1 SUBSTRATE/SYSTEMTRAEGER 280 13.2.2 BEFESTIGUNGSTECHNIKEN 283 13.2.2.1 KLEBEN 283 13.2.2.2 LOETEN 284 13.2.2.3 LEGIEREN 285 13.3 KONTAKTIERVERFAHREN 286 13.3.1 EINZELDRAHT-KONTAKTIERUNG (BONDING) 286 13.3.1.1 THERMOKOMPRESSIONSVERFAHREN 287 13.3.1.2 ULTRASCHALLBONDEN 289 13.3.1.3 THERMOSONIC-VERFAHREN 292 13.3.2 KOMPLETTKONTAKTIERUNG 292 13.3.2.1 SPIDER-KONTAKTIERUNG 292 13.3.2.2 FLIPCHIP-KONTAKTIERUNG 295 13.3.2.3 BEAMLEAD-KONTAKTIERUNG 297 13.4 ENDBEARBEITUNG DER SUBSTRATE 299 13.5 AUFGABEN ZUR CHIPMONTAGE 3 01 ANHANG A: LOESUNGEN DER AUFGABEN 302 ANHANG B: FARBTABELLE OXIDDICKEN 322 ANHANG C: CHEMISCHE VERBINDUNGEN UND ABKUERZUNGEN 323 LITERATURVERZEICHNIS 327 STICHWORTVERZEICHNIS
adam_txt	ULRICH HILLERINGMANN SILIZIUM-HALBLEITER- TECHNOLOGIE GRUNDLAGEN MIKROELEKTRONISCHER INTEGRATIONSTECHNIK 5., ERGAENZTE UND ERWEITERTE AUFLAGE MIT 160 ABBILDUNGEN UND 37 AUFGABEN MIT LOESUNGEN STUDIUM VIEWEG + TEUBNER INHALTSVERZEICHNIS 1 EINLEITUNG 1 1.1 AUFGABEN 4 2 HERSTELLUNG VON SILIZIUMSCHEIBEN 5 2.1 SILIZIUM ALS BASISMATERIAL 5 2.2 HERSTELLUNG UND REINIGUNG DES ROHMATERIALS 8 2.2.1 HERSTELLUNG VON TECHNISCHEM SILIZIUM 8 2.2.2 CHEMISCHE REINIGUNG DES TECHNISCHEN SILIZIUMS 9 2.2.3 ZONENREINIGUNG 11 2.3 HERSTELLUNG VON EINKRISTALLEN 12 2.3.1 DIE KRISTALLSTRUKTUR 12 2.3.2 KRISTALLZIEHVERFAHREN NACH CZOCHRALSKI 14 2.3.3 TIEGELFREIES ZONENZIEHEN 16 2.3.4 KRISTALLFEHLER 18 2.4 KRISTALLBEARBEITUNG 19 2.4.1 SAEGEN 20 2.4.2 OBERFLAECHENBEHANDLUNG 21 2.4.2.1 LAEPPEN 21 2.4.2.2 SCHEIBENRAND ABRUNDEN 22 2.4.2.3 AETZEN 23 2.4.2.4 POLIEREN 23 2.5 AUFGABEN ZUR SCHEIBENHERSTELLUNG 24 3 OXIDATION DES DOTIERTEN SILIZIUMS 26 3.1 DIE THERMISCHE OXIDATION VON SILIZIUM 27 3.1.1 TROCKENE 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ENTWICKELN UND HAERTEN DES LACKES 61 4.4.2 LINIENWEITENKONTROLLE 63 4.4.3 ABLOESEN DER LACKMASKE 65 4.5 AUFGABEN ZUR LITHOGRAFIETECHNIK 66 INHALTSVERZEICHNIS IX 5 AETZTECHNIK 68 5.1 NASSCHEMISCHES AETZEN 69 5.1.1 TAUCHAETZUNG 70 5.1.2 SPRUEHAETZUNG 71 5.1.3 AETZLOESUNGEN FUER DIE NASSCHEMISCHE STRUKTURIERUNG 71 5.1.3.1 ISOTROP WIRKENDE AETZLOESUNGEN 71 5.1.3.2 ANISOTROP WIRKENDE SILIZIUMAETZUNG 73 5.2 TROCKENAETZEN 74 5.2.1 PLASMAAETZEN (PE) 76 5.2.2 REAKTIVES IONENAETZEN (RIE) 78 5.2.2.1 PROZESSPARAMETER DES REAKTIVEN IONENAETZENS 79 5.2.2.2 REAKTIONSGASE 82 5.2.3 IONENSTRAHLAETZEN 86 5.2.4 TROCKENAETZVERFAHREN FUER HOHE AETZRATEN 87 5.3 ENDPUNKTDETEKTION 89 5.3.1 VISUELLE KONTROLLE 89 5.3.2 ELLIPSOMETRIE 90 5.3.3 SPEKTROSKOPIE 90 5.3.4 INTERFEROMETRIE 91 5.3.5 MASSENSPEKTROMETRIE 91 5.4 AUFGABEN ZUR AETZTECHNIK 92 6 DOTIERTECHNIKEN 94 6.1 LEGIERUNG 95 6.2 DIFFUSION 98 6.2.1 FICK'SCHE GESETZE 99 6.2.1.1 DIE DIFFUSION AUS UNERSCHOEPFLICHER QUELLE 100 6.2.1.2 DIE DIFFUSION AUS ERSCHOEPFLICHER QUELLE 101 6.2.2 DIFFUSIONSVERFAHREN 103 6.2.3 ABLAUF DES DIFFUSIONSPROZESSES 106 6.2.4 GRENZEN DER DIFFUSIONSTECHNIK 107 6.3 IONENIMPLANTATION 108 6.3.1 REICHWEITE IMPLANTIERTER IONEN 109 6.3.2 CHANNELING 111 X INHALTSVERZEICHNIS 6.3.3 AKTIVIERUNG DER DOTIERSTOFFE 112 6.3.4 TECHNISCHE AUSFUEHRUNG DER IONENIMPLANTATION 116 6.3.5 CHARAKTERISTIKEN DER IMPLANTATION 120 6.4 AUFGABEN ZU DEN DOTIERTECHNIKEN 1 21 7 DEPOSITIONSVERFAHREN 123 7.1 CHEMISCHE DEPOSITIONSVERFAHREN 123 7.1.1 DIE SILIZIUM-GASPHASENEPITAXIE 123 7.1.2 DIE CVD-VERFAHREN ZUR SCHICHTDEPOSITION 127 7.1.2.1 APCVD-VERFAHREN 128 7.1.2.2 LOW PRESSURE CVD-VERFAHREN (LPCVD) 130 7.1.2.3 PLASMA ENHANCED CVD-VERFAHREN (PECVD) 132 7.1.3 ATOMIC LAYER DEPOSITION (ALD) 134 7.2 PHYSIKALISCHE DEPOSITIONSVERFAHREN 136 7.2.1 MOLEKULARSTRAHLEPITAXIE (MBE) 136 7.2.2 AUFDAMPFEN 138 7.2.3 KATHODENZERSTAEUBUNG (SPUTTERN) 140 7.3 AUFGABEN ZU DEN ABSCHEIDETECHNIKEN 144 8 METALLISIERUNG UND KONTAKTE 146 8.1 DER METALL-HALBLEITER-KONTAKT 147 8.2 MEHRLAGENVERDRAHTUNG 152 8.2.1 PLANARISIERUNGSTECHNIKEN 152 8.2.1.1 DER BPSG-REFLOW 153 8.2.1.2 REFLOW- UND RUECKAETZTECHNIK ORGANISCHER SCHICHTEN 154 8.2.1.3 SPIN-ON-GLAESER 155 8.2.1.4 CHEMISCH-MECHANISCHES POLIEREN 156 8.2.2 AUFFUELLEN VON KONTAKTOEFFNUNGEN 158 8.3 ZUVERLAESSIGKEIT DER ALUMINIUM-METALLISIERUNG 160 8.4 KUPFERMETALLISIERUNG 162 8.5AUFGABEN ZUR METALLISIERUNG 166 INHALTSVERZEICHNIS XI 9 SCHEIBENREINIGUNG 168 9.1 VERUNREINIGUNGEN UND IHRE AUSWIRKUNGEN 169 9.1.1 MIKROSKOPISCHE VERUNREINIGUNGEN 170 9.1.2 MOLEKULARE VERUNREINIGUNGEN 171 9.1.3 ALKALISCHE UND ATOMARE VERUNREINIGUNGEN 172 9.2 REINIGUNGSTECHNIKEN 173 9.3 AETZLOESUNGEN ZUR SCHEIBENREINIGUNG 175 9.4 BEISPIEL EINER REINIGUNGSSEQUENZ 177 9.5 AUFGABEN ZUR SCHEIBENREINIGUNG 178 10 MOS-TECHNOLOGIEN ZUR SCHALTUNGSINTEGRATION 180 10.1 EINKANAL MOS-TECHNIKEN 180 10.1.1 DER PMOS ALUMINIUM-GATE-PROZESS 180 10.1.2 DIE N-KANAL ALUMINIUM-GATE MOS-TECHNIK 184 10.1.3 DIE N-KANAL SILIZIUM-GATE MOS-TECHNOLOGIE 187 10.2 DER N-WANNEN SILIZIUM-GATE CMOS-PROZESS 191 10.2.1 SCHALTUNGSELEMENTE DER CMOS-TECHNIK 201 10.2.2 LATCHUP-EFFEKT 204 10.3 FUNKTIONSTEST UND PARAMETERERFASSUNG 208 10.4 AUFGABEN ZUR MOS-TECHNIK 210 11 ERWEITERUNGEN ZUR HOECHSTINTEGRATION 213 11.1 LOKALE OXIDATION VON SILIZIUM (LOCOS-TECHNIK) 213 11.1.1 DIE EINFACHE LOKALE OXIDATION VON SILIZIUM 214 11.1.2 SPOT-TECHNIK ZUR LOKALEN OXIDATION 217 11.1.3 DIE SILO-TECHNIK 219 11.1.4 POLY-BUFFERED LOCOS 220 11.1.5 DIE SWAMI-LOCOS-TECHNIK 221 11.1.6 GRABEN-ISOLATION 224 11.2 MOS-TRANSISTOREN FUER DIE HOECHSTINTEGRATION 225 11.2.1 DURCHBRUCHMECHANISMEN IN MOS-TRANSISTOREN 227 XII INHALTSVERZEICHNIS 11.2.1.1 KANALLAENGENMODULATION 228 11.2.1.2 DRAIN-DURCHGRIFF (PUNCH-THROUGH) 229 11.2.1.3 DRAIN-SUBSTRAT DURCHBRUCH (SNAP-BACK) 230 11.2.1.4 TRANSISTORALTERUNG DURCH HEISSE ELEKTRONEN 230 11.2.2 DIE SPACER-TECHNIK ZUR DOTIERUNGSOPTIMIERUNG 231 11.2.2.1 LDD N-KANAL MOS-TRANSISTOREN 231 11.2.2.2 P-KANAL OFFSET-TRANSISTOREN 235 11.2.3 SELBSTJUSTIERENDE KONTAKTE 238 11.3SOI-TECHNIKEN 241 11.3.1 SOI-SUBSTRATE 241 11.3.1.1 FIPOS - FUELL ISOLATION BY POROUS OXIDIZED SILICON 242 11.3.1.2 SIMOX - SILICON IMPLANTED OXIDE 244 11.3.1.3 WAFER-BONDING 245 11.3.1.4 ELO - EPITAXIAL LATERAL OVERGROWTH 247 11.3.1.5 DIE SOS-TECHNIK 248 11.3.1.6 SOI-SCHICHTEN DURCH REKRISTALLISATIONSVERFAHREN 248 11.3.2 PROZESSFUEHRUNG IN DER SOI-TECHNIK 250 11.4 TRANSISTOREN MIT NANOMETER-ABMESSUNGEN 252 11.5 AUFGABEN ZUR HOECHSTINTEGRATIONSTECHNIK 258 12 BIPOLAR-TECHNOLOGIE 260 12.1 DIE STANDARD-BURIED-COLLECTOR TECHNIK 261 12.2 FORTGESCHRITTENE SBC-TECHNIK 264 12.3 BIPOLARPROZESS MIT SELBSTJUSTIERTEM EMITTER 266 12.4 BICMOS-TECHNIKEN 270 12.5 AUFGABEN ZUR BIPOLARTECHNOLOGIE 273 13 MONTAGE INTEGRIERTER SCHALTUNGEN 274 13.1 VORBEREITUNG DER SCHEIBEN ZUR MONTAGE 274 13.1.1 VERRINGERUNG DER SCHEIBENDICKE 275 13.1.2 RUECKSEITENMETALLISIERUNG 276 INHALTSVERZEICHNIS XIII 13.1.3 TRENNEN DER CHIPS 277 13.1.3.1 RITZEN 277 13.1.3.2 LASERTRENNEN 278 13.1.3.3 SAEGEN/TRENNSCHLEIFEN 279 13.2 SCHALTUNGSMONTAGE 279 13.2.1 SUBSTRATE/SYSTEMTRAEGER 280 13.2.2 BEFESTIGUNGSTECHNIKEN 283 13.2.2.1 KLEBEN 283 13.2.2.2 LOETEN 284 13.2.2.3 LEGIEREN 285 13.3 KONTAKTIERVERFAHREN 286 13.3.1 EINZELDRAHT-KONTAKTIERUNG (BONDING) 286 13.3.1.1 THERMOKOMPRESSIONSVERFAHREN 287 13.3.1.2 ULTRASCHALLBONDEN 289 13.3.1.3 THERMOSONIC-VERFAHREN 292 13.3.2 KOMPLETTKONTAKTIERUNG 292 13.3.2.1 SPIDER-KONTAKTIERUNG 292 13.3.2.2 FLIPCHIP-KONTAKTIERUNG 295 13.3.2.3 BEAMLEAD-KONTAKTIERUNG 297 13.4 ENDBEARBEITUNG DER SUBSTRATE 299 13.5 AUFGABEN ZUR CHIPMONTAGE 3 01 ANHANG A: LOESUNGEN DER AUFGABEN 302 ANHANG B: FARBTABELLE OXIDDICKEN 322 ANHANG C: CHEMISCHE VERBINDUNGEN UND ABKUERZUNGEN 323 LITERATURVERZEICHNIS 327 STICHWORTVERZEICHNIS
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