Untersuchungen zu semimetallischen Injektionsbereichen für Antimonid-Halbleiterlaser auf GaSb-Substraten:
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| Published: |
München
Verl. Dr. Hut
2008
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| Edition: | 1. Aufl. |
| Series: | Physik
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| Item Description: | Zugl.: Kaiserslautern, Technische Univ., Diss., 2008 |
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DASALGALNASSB-MATERIALSYSTEM 2.1. GRUNDLAGEN 2.2. BANDGAP UND
WAVEFUNCTION ENGINEERING 2.3. SEMIMETALLISCHES VERHALTEN AN
GASB-INAS-GRENZFLAECHEN 3. GRUNDLAGEN DER
ALGALNASSB-MOLEKULARSTRAHLEPITAXIE 3.1. DIE ANLAGE 3.2.
WACHSTUMSPARAMETER 3.2.1. FLUESSE 3.2.2. TEMPERATUREN 3.3. TERNAERES UND
QUATEMAERES WACHSTUM 3.3.1. CHARAKTERISIERUNGSMETHODEN 3.3.2.
*COMPOSITIONALLY GRADED GROWTH 3.3.3. GITTERANGEPASSTE
GALNASSB-SCHICHTEN 3.4. DOTIERUNGEN 4.1. 4.2. 5.1. 5.2. 5.3. 5.4. 5.5.
DER HALBLEITER-SEMIMETALL-UBERGANG NUMERISCHE BERECHNUNGEN
MAGNETFELDMESSUNGEN LASER MIT SEMIMETALLISCHEM INJEKTIONSBEREICH DESIGNS
TERNAERE MANTCLSCHICHTEN DER INJEKTIONSBEREICH DIE AKTIVE ZONE
PROZESSIERUNG 5 5 21 23 30 30 32 32 35 37 39 42 46 49 52 52 61 63 63 67
71 72 75 BIBLIOGRAFISCHE INFORMATIONEN HTTP://D-NB.INFO/988229196
DIGITALISIERT DURCH 5.6. LASER-CHARAKTERISIERUNG 79 6. ZUSAMMENFASSUNG
$9 ANHANG 92 LITERATURVERZEICHNIS 94
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