Elektrische Charakterisierung von GaN-basierten Halbleitersystemen:
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2000
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INHALTSVERZEICHNIS
1. MOTIVATION 1
2. THEORETISCHE GRUNDLAGEN 7
2.1 URSACHEN UND WIRKUNGEN VON ENERGIENIVEAUS INNERHALB DES BANDGAPS 7
2.2 THEORETISCHE GRUNDLAGEN DES NACHWEISES TIEFER STOERSTELLEN 9
2.3 GRUNDPRINZIPIEN DER ADMITTANZSPEKTROSKOPIE 14
3. PROBENMATERIAL 23
3.1 GAN-SCHICHTEN AUF SAPHIRSUBSTRAT 23
3.2 GAN-BASIERTE HETEROSTRUKTUREN 26
3.3 PROBENPRAEPARATION UND METALLISIERUNG 28
4. EXPERIMENTELLER AUFBAU 30
4.1 THERMISCHE NACHWEISVERFAHREN 30
4.2 PHOTOELEKTRISCHE METHODEN 32
5. ERGEBNISSE UND DISKUSSION 34
5.1 BESONDERHEITEN DER SCHOTTKY-RAUMLADUNG IN MBE-GAN 34
5.2 DEFEKTCHARAKTERISIERUNG IN MBE-GAN-SCHICHTEN AUF SAPHIRSUBSTRAT 37
5.2.1 THERMISCH INDUZIERTE LADUNGSTRAEGEREMISSIONEN 37
5.2.2 OPTISCHE ADMITTANZSPEKTROSKOPIE 49
5.2.2.1 OPTISCH INDUZIERTE DEFEKT-BAND-UEBERGAENGE IN MBE-GAN 49
5.2.2.2 EINFLUSS DER VERWENDETEN STICKSTOFF-PLASMAQUELLE 69
5.2.2.3 IONENIMPLANTATION ZUM NACHWEIS VON INTRINSISCHEN DEFEKTEN 80
5.2.2.4 WIRKUNG VON AKZEPTORDOTIERUNGEN 84
5.2.2.5 EINFLUSS DES WACHSTUMSVERFAHRENS: VERGLEICH VON MBE UND MOVPE 99
5.3 SEPARATION UND ZUORDNUNG VON DEFEKTEN IN GAN-BASIERTEN
HETEROSTRUKTUREN 104
6. ZUSAMMENFASSUNG 113
LITERATURVERZEICHNIS 119
ABBILDUNGSVERZEICHNIS 130
ABKUERZUNGSVERZEICHNIS 133
I
BIBLIOGRAFISCHE INFORMATIONEN
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