APA (7th ed.) Citation

Hellmund, O. (2003). Grundlagenentwicklung einer Trench-MOS-Technologie auf hexagonalem Siliziumkarbid. Shaker.

Chicago Style (17th ed.) Citation

Hellmund, Oliver. Grundlagenentwicklung Einer Trench-MOS-Technologie Auf Hexagonalem Siliziumkarbid. Aachen: Shaker, 2003.

MLA (9th ed.) Citation

Hellmund, Oliver. Grundlagenentwicklung Einer Trench-MOS-Technologie Auf Hexagonalem Siliziumkarbid. Shaker, 2003.