Hellmund, O. (2003). Grundlagenentwicklung einer Trench-MOS-Technologie auf hexagonalem Siliziumkarbid. Shaker.
Chicago-Zitierstil (17. Ausg.)Hellmund, Oliver. Grundlagenentwicklung Einer Trench-MOS-Technologie Auf Hexagonalem Siliziumkarbid. Aachen: Shaker, 2003.
MLA-Zitierstil (9. Ausg.)Hellmund, Oliver. Grundlagenentwicklung Einer Trench-MOS-Technologie Auf Hexagonalem Siliziumkarbid. Shaker, 2003.
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