Zeitaufgelöste Photolumineszenz von Siliziumkarbid und die Herstellung von Epitaxieschichten:
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Format: | Abschlussarbeit Buch |
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2004
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adam_text | ZEITAUFGELOESTE PHOTOLUMINESZENZ VON SILIZIUMKARBID UND DIE HERSTELLUNG
VON EPITAXIESCHICHTEN DEN NATURWISSENSCHAFTLICHEN FAKULTAETEN DER
FRIEDRICH-ALEXANDER-UNIVERSITAET ERLANGEN- NUR NB ER G ZUR ERLANGUNG DES
DOKTORGRADES VORGELEGT VON / KONRAD SCHNEIDER AUS GREDING
INHALTSVERZEICHNIS 1 EINLEITUNG 1 1.1 HISTORISCHES 1 1.2 WARUM UND WOZU
BRAUCHEN WIR SIC? 2 1.3 STAND DER TECHNIK 5 2 REKOMBINATIONSPROZESSE IN
HALBLEITERN 9 2.1 STRAHLENDE BAND-BAND REKOMBINATION 11 2.2 BAND-BAND
AUGER-REKOMBINATION 12 2.3 REKOMBINATION UEBER EIN STOERSTELLEN-NIVEAU 13
2.4 SRH-REKOMBINATION 13 2.5 OBERFLAECHENREKOMBINATION 16 2.6
REKOMBINATION IN SILIZIUMKARBID 17 2.7 UEBERBLICK UEBER EXPERIMENTELLE
SITUATIONEN 19 2.7.1 FREE CARRIER ABSORPTION (FCA) 19 2.7.2 REVERSE
RECOVERY DECAY EINER PIN-DIODE 21 2.7.3 PHOTOCONDUCTIVE DECAY (PCD) 23
2.7.4 MICROWAVE PHOTOCONDUCTIVE DECAY QU-PCD) 23 2.7.5 ZEITAUFGELOESTE
BETRACHTUNG DER STRAHLENDEN REKOMBINATION IN EINER PIN-DIODE 24 2.7.6
LADUNGSTRAEGERLEBENSDAUER AUS DER PHOTOLUMINESZENZ-SPEKTROSKOPIE 25 3
ZEITAUFGELOESTE PHOTOLUMINESZENZ (TRPL) 27 3.1 VORUEBERLEGUNGEN 27 3.2
APPARATUR 29 3.3 SIGNALERFASSUNG 32 I 11 INHALTSVERZEICHNIS 3.4
AUSWERTUNG 33 3.5 PROBEN 34 3.6 MESSERGEBNISSE 37 3.6.1 ABKLINGKURVEN 38
3.6.2 PROZESSPARAMETER 42 3.6.3 VERSCHIEDENE EPITAXIE-ANLAGEN 51 3.6.4
SCHICHTDICKE 59 3.6.5 OXID 60 3.6.6 KONTAKTSTRUKTUREN 61 4 CHEMISCHE
GASPHASEN-EPITAXIE (CVD) 81 4.1 UMBAU DER ALTEN ANLAGE 82 4.1.1 EINBAU
DER COMPUTERSTEUERUNG 83 4.1.2 NEUAUFBAU DES REAKTORS MIT ZWEI
EPITAXIEROHREN 83 4.1.3 EINBAU EINES TMAL-BUBBLERS 85 4.1.4 ANSCHLUSS
EINER STICKSTOFFLEITUNG FUER DIE N-DOTIERUNG 86 4.1.5 EINBAU EINER
SEPARATEN METHANLEITUNG FUER 13 C-METHAN 86 4.1.6 EINBAU EINER OELFREIEN
VORPUMPE 87 4.2 DIE AKTUELLE CVD-ANLAGE 87 4.2.1 GASSYSTEM 88 4.2.2
REAKTORSYSTEM 89 4.2.3 VAKUUM/ABGASSYSTEM 91 4.2.4 HEIZSYSTEM UND
TEMPERATURMESSUNG 91 4.2.5 SUSZEPTOREN 92 4.2.6 STANDARDPROZESS 95 4.3
EPITAXIESCHICHTEN AUF SEMIISOLIERENDEM SUBSTRAT 98 4.4 EPITAXIESCHICHTEN
MIT 13 C-METHAN 102 4.5 P-DOTIERTE EPITAXIESCHICHTEN 106 5
ZUSAMMENFASSUNG UND AUSBLICK 109 5.1 ZEITAUFGELOESTE PHOTOLUMINESZENZ
(TRPL) 109 5.2 CHEMISCHE GASPHASENEPITAXIE (CVD) 111
LITERATURVERZEICHNIS 113
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