Untersuchungen zu Inhomogenitäten an der Halbleitergrenzfläche Silizium-Siliziumoxynitrid:
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Aachen
Shaker
2003
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1
EINLEITUNG.
1
2
GRUNDLAGEN
.
3
2.1
O
XYNITRIDE
AUF
S
ILIZIUM
.
3
2.1.1
EIGENSCHAFTEN
VON
OXYNITRIDEN
.
3
2.1.2
HERSTELLUNG
VON
OXYNITRIDEN
UND
DEREN
EIGENSCHAFTEN
.
3
2.1.3
ZUSAMMENSETZUNG
VON
OXYNITRIDEN
.
5
2.1.4
TIEFENPROFIHERUNG
VON
OXYNITRIDEN
.
7
2.1.5
CHARAKTERISIERUNG
VON
OXYNITRIDEN
MIT
XPS.
.
8
2.2
D
IE
S
I
/S
I
O
2
-G
RENZFLACHE
.
12
2.2.1
MESSUNGEN
.
13
2.2.2
RECHNUNGEN
.
18
2.3
E
LEKTROCHEMISCHE
O
XIDATION
VON
S
ILIZIUM
.
19
2.4
E
VALUATION
VON
P
HOTOELEKTRONEN
-S
PEKTREN
UND
DEREN
T
IEFENINFORMATION
.
23
2.5
Z
USAMMENFASSUNG
DER
G
RUNDLAGEN
.
30
3
EXPERIMENTELLES
.
.32
3.1
E
XPERIMENTELLE
G
RUNDLAGEN
.
32
3.1.1
PHOTOELEKTRONENSPEKTROSKOPIE
.
32
3
111
PHOTOELEKTRONENSPEKTROSKOPIE
MIT
LABORQUELLEN
.
33
3.1.1
2
PHOTOELEKTRONENSPEKTROSKOPIE
MIT
SYNCHROTRONSTRAHLUNG
.
34
3.1.2
PHOTOEMISSIONSELEKTRONEN-MIKROSKOPIE
.
34
3.1.3
ORTSAUFGELOESTE
PHOTOELEKTRONENSPEKTROSKOPIE
(PPES)
.
35
3.1.4
ATOMKRAFT-MIKROSKOPIE
.
35
3.2
P
ROBENPRAPARATION
.
36
3.2.1
IN-SITU
UHV-PRAEPARATION
VON
OXIDSCHICHTEN.
36
3.2.2
TEMPERATURMESSUNG
'WAEHREND
DER
PRAEPARATION
.
37
3.2
3
RTP-OXIDE
.
39
3.2.4
ELEKTROCHEMISCHE
PRAEPARATION
.
40
3.3
B
ESCHREIBUNG
DER
M
ESSAPPARATUREN
.
41
3.3.1
MONOCHROMATOR
FUER
SYNCHROTRONSTRAHLUNG
.
41
3.3.2
PHOTOELEKTRONENSPEKTROSKOPIE
.
42
3.3.3
MIKROSKOPIE
.
43
3.4
K
URVENZERLEGUNG
VON
P
HOTOEMISSIONSSPEKTREN
.
44
4
ERGEBNISSE
.
46
4.1
UHV-O
XIDATIONVON
S
I
(HI)
.
49
4.1.1
OXIDATION
MIT
N-F)
.
50
4.111
PHOTOELEKTRONENSPEKTROSKOPIE
AN
REGULAEREN
SCHICHTEN
.
52
4.1.1.2
PHOTOELEKTRONENSPEKTROSKOPIE
AN
RAUEN
SCHICHTEN
.
59
4.113
MIKROSKOPIE
UND
SPEKTROMIKROSKOPIE
.
64
4.1.2
OXIDATION
MIT
N?
.
70
4.1.3
OXIDATION
MIT
O2
.
76
4
1.3.1
PRAEPARATION
RAUER
SCHICHTEN
MIT
O
2
.
76
4
13
2
PRAEPARATION
REGULAERER
SCHICHTEN
MIT
O
2
.
84
4.1.3.3
ATZEN
MIT
O
2
.
87
4.2
V
ERGLEICHSOXIDE
.
89
4.2.1
SPEKTREN
DER
7*7-REKONSTRUIERTEN
SI(L
1
1)-0HERFLAECHE
.
89
4.2.2
TECHNISCH
HERGESTELLTE
OXIDE
.
91
4
2.2.1
NATUERLICHES
OXID
.
91
4.2
2
2
RAPID-THERMAL-PROCESSMG-OXIDE
IN
SAUERSTOFF
(RTP-OXIDE)
.
92
4
2.23
RAPID-THERMAL-PROCESSING-OXIDE
IN
N
2
O
(RTP-OXIDE)
.
94
4
2.2.4
RAPID-THERMAL-PROCESSING-OXIDE
IN
NH
3
(RTP-OXIDE)
.
96
4.2.3
ELEKTROCHEMISCHE
OXIDE
.
98
4.2
3
1
WASSERSTOFF-TERMINIERTES
SILIZIUM
.
98
4
2.3
2
ANFANGSZUSTAND
DES
ANODISCHEN
OXIDS
.
100
4
2
3.3
ANODISCHES
OXID
.
102
4.3
Z
USAMMENFASSUNG
DER
E
RGEBNISSE
.
104
5
DISKUSSION
.
105
5.1
C
HEMISCHE
A
NALYSE
DER
P
HOTOELEKTRONENSPEKTREN
.
106
5.1.1
NIS
.
106
5.1.2
SI2P
.
112
5.1.3
OLS
.
128
5.1.4
FIS
.
130
5.1.5
FEHLERABSCHAETZUNG
DER
BINDUNGSENERGIEBESTIMMUNG
.
131
5.2
Q
UANTITATIVE
D
ISKUSSION
DER
PES
.
132
5.2.1
BERECHNUNG
DER
OXIDSCHICHTDICKE
.
133
5.2.2
DAS
NLS-MODELL
.
138
5.2.3
DAS
SUBOXIDE-MODELL.
142
5
2
3.1
DAS
SUBOXIDE-MODELL
FUER
DIE
SI-SIO
2
-GRENZFLAECHE
.
143
5
2
3
2
DAS
SUBOXIDE-MODELL
FILR
DIE
STICKSTOFF-HALTIGE
GRENZFLAECHE
. .
145
5.2.4
DAS
OLS-MODELL.
.
146
5.2.5
VERGLEICH
DER
VERSCHIEDENEN
MODELLE
.
148
5.3
RAUE
UND
REGULAERE
S
CHICHTEN
.
151
5.3.1
PRAEPARATIONSBEDINGUNGEN
FUER
RAUE
UND
REGULAERE
SCHICHTEN
.
152
5.3.2
EINFLUSS
DES
SAUERSTOFFS
AUF
DIE
PRAEPARATION
.
154
5
3
2
1
SPEKTROMIKROSKOPIE
IM
UBERGANGSBEREICH
VON
REGULAER
NACH
RAU
.
.
.
155
5.3.3
ELEKTRISCHE
EIGENSCHAFTEN
DER
RAUEN
SCHICHTEN
.
157
5.4
I
ST
DAS
S
CHICHTMODELL
UEBERHAUPT
GUELTIG
?
.
158
5.5
Z
USAMMENFASSUNG
DER
O
XYNITRID
-S
CHICHTBILDUNG
.
163
5.5.7
ROLLE
DES
SAUERSTOFFS
BEI
DER
N
2
-NITRIDIERUNG
.
163
6
ZUSAMMENFASSUNG
UND
AUSBLICK
.
166
7
LISTE
DER
VERWENDETEN
ABKUERZUNGEN
.
170
8
LITERATUR
.
171
8.1
EIGENE
V
EROEFFENTLICHUNGEN
.
171
8.2
Z
ITATE
ANDERER
A
UTOREN
.
172
9
LEBENSLAUF
.
177
10
DANKSAGUNG
.179 |
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