Angeregtes GaAs: Indizien für Effekte der Blochoszillation in einem natürlichen Halbleiter
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I
INHALTSVERZEICHNIS
1 EINLEITUNG 1
2 GA AS IM GRUNDZUSTAND UND ANGEREGTES GA AS (GAAS') 5
3 GAAS IM GRUNDZUSTAND 9
3.1 DIE BANDSTRUKTUR VON GAAS. 9
3.2 ELEKTRISCHER TRANSPORT IM GAAS - GRUNDZUSTAND. 10
3.3 ZENER-TUNNELN UND STOSSIONISATION. 13
4 ANGEREGTES GAAS 17
4.1 WAS IST YYANGEREGTES GAAS" (GAAS*). 17
4.2 ERZEUGUNG VON GAAS* . 18
4.3 DYNAMIK VON LADUNGSTRAEGERN IN GAAS*. 21
4.4 ELEKTRISCHER TRANSPORT IN GAAS* . 23
5 BLOCHOSZILLATION IN GAAS? 29
6 EINFLUSS EINES THZ-WECHSELFELDES AUF DEN TRANSPORT IN GAAS* UND GAAS 33
6.1 ANGEREGTER ZUSTAND. 33
6.2 GRUNDZUSTAND. 36
7 EXPERIMENTELLER AUFBAU UND MESSTECHNIK 41
7.1 GAAS-PROBEN. 41
7.2 KENNLINIENMESSUNG. 42
7.3 MESSDATENERFASSUNG UND VERARBEITUNG . 43
BIBLIOGRAFISCHE INFORMATIONEN
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II
INHALTSVERZEICHNIS
7.4 LEITFAEHIGKEITSMESSUNG VON KRISTALLEN IM THZ-FELD. 47
7.5 TECHNISCHE DETAILS DER ANORDNUNG. 48
8 EXPERIMENTELLE ERGEBNISSE 53
8.1 KENNLINIEN. 53
8.2 STROMREDUKTION DURCH THZ-STRAHLUNG . 61
9 ANALYSE UND DISKUSSION DER ERGEBNISSE 71
9.1 KENNLINIEN. 71
9.2 THZ-FELD INDUZIERTE STROMAENDERUNG . 77
10 ZUSAMMENFASSUNG
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