Verfügbarkeit: Angeregtes GaAs

Angeregtes GaAs: Indizien für Effekte der Blochoszillation in einem natürlichen Halbleiter

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Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser:	Summer, Raimund Franz (VerfasserIn)
Format:	Abschlussarbeit Buch
Sprache:	German
Veröffentlicht:	Regensburg 2002
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adam_text	I INHALTSVERZEICHNIS 1 EINLEITUNG 1 2 GA AS IM GRUNDZUSTAND UND ANGEREGTES GA AS (GAAS') 5 3 GAAS IM GRUNDZUSTAND 9 3.1 DIE BANDSTRUKTUR VON GAAS. 9 3.2 ELEKTRISCHER TRANSPORT IM GAAS - GRUNDZUSTAND. 10 3.3 ZENER-TUNNELN UND STOSSIONISATION. 13 4 ANGEREGTES GAAS 17 4.1 WAS IST YYANGEREGTES GAAS" (GAAS). 17 4.2 ERZEUGUNG VON GAAS . 18 4.3 DYNAMIK VON LADUNGSTRAEGERN IN GAAS. 21 4.4 ELEKTRISCHER TRANSPORT IN GAAS . 23 5 BLOCHOSZILLATION IN GAAS? 29 6 EINFLUSS EINES THZ-WECHSELFELDES AUF DEN TRANSPORT IN GAAS* UND GAAS 33 6.1 ANGEREGTER ZUSTAND. 33 6.2 GRUNDZUSTAND. 36 7 EXPERIMENTELLER AUFBAU UND MESSTECHNIK 41 7.1 GAAS-PROBEN. 41 7.2 KENNLINIENMESSUNG. 42 7.3 MESSDATENERFASSUNG UND VERARBEITUNG . 43 BIBLIOGRAFISCHE INFORMATIONEN HTTP://D-NB.INFO/966525418 II INHALTSVERZEICHNIS 7.4 LEITFAEHIGKEITSMESSUNG VON KRISTALLEN IM THZ-FELD. 47 7.5 TECHNISCHE DETAILS DER ANORDNUNG. 48 8 EXPERIMENTELLE ERGEBNISSE 53 8.1 KENNLINIEN. 53 8.2 STROMREDUKTION DURCH THZ-STRAHLUNG . 61 9 ANALYSE UND DISKUSSION DER ERGEBNISSE 71 9.1 KENNLINIEN. 71 9.2 THZ-FELD INDUZIERTE STROMAENDERUNG . 77 10 ZUSAMMENFASSUNG 89
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