Transient temperature phenomena during sublimation growth of silicon carbide single crystals:
Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: Klein, Olaf 1966- (VerfasserIn), Philip, Peter 1971- (VerfasserIn)
Format: Buch
Sprache:English
Veröffentlicht: Berlin WIAS 2002
Schriftenreihe:Preprint / Weierstraß-Institut für Angewandte Analysis und Stochastik im Forschungsverbund Berlin e.V. 755
Beschreibung:Literaturverz. S. 11 - 14
Beschreibung:14 S. graph. Darst. : 30 cm

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