Spontane Selbstordnung in ternären und quaternären Mischhalbleitern: ein interessantes Phänomen mit Anwendungspotential
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| Published: |
Erlangen
Lehrstuhl für Mikrocharakterisierung, Friedrich Alexander-Univ.
2002
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| Series: | Physik mikrostrukturierter Halbleiter
25 |
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| Item Description: | Zugl.: Erlangen-Nürnberg, Univ., Diss., 2002 |
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INHALTSVERZEICHNIS
1
EINLEITUNG
1
1.1
III-V-MISCHHALBLEITER
.
1
1.2
BAUELEMENTANWENDUNGEN
.
2
1.3
SELBSTORDNUNG
.
3
1.4
INHALTE
DIESER
ARBEIT
.
3
2 SPONTANE
UEBERGITTERORDNUNG
UND
KOMPOSITIONSMODULATION
7
2.1
MATERIALSYSTEME
INGAAS(P)
UND
INALAS
.
7
2.2 SPINODALE
DEKOMPOSITION
.
8
2.3
LATERALE
KOMPOSITIONSMODULATION
.
13
2.4 SPONTANE
UEBERGITTERORDNUNG
.
18
3 THEORETISCHE
BETRACHTUNGEN
27
3.1
POLARISATIONSANISOTROPIE
-
EINFACHES
MODELL
.
27
3.2
UMFASSENDERE
BESCHREIBUNG
.
31
3.3
BANDSTRUKTUR
UND
POLARISATIONSANISOTROPIE
FUER
GEORDNETES
INGAAS(P)
.
45
4
SCHICHTWACHSTUM
UND
PROBENSTRUKTURIERUNG
59
4.1
METALLORGANISCHE
GASPHASENEPITAXIE
.
59
4.2
PROBENSTRUKTURIERUNG
.
64
4.3
PROBENUEBERSICHT
.
69
5 ELEKTRO-OPTISCHE
UNTERSUCHUNGEN
75
5.1
UNTERSUCHUNGSMETHODEN
UND
POLARISATIONSANISOTROPIEN
.
76
5.2 BANDLUECKENABSENKUNG
UND
VALENZBANDAUFSPALTUNG
.
99
5.3
SPIN-BAHN-ABSPALTUNG
.
104
5.4 BANDRUECKFALTUNG
UND
ORDNUNGSTYPEN
.
106
II
INHALTSVERZEICHNIS
5.5
KOPPLUNG
DER
ORDNUNG
MIT
VERSPANNUNG
UND
QUANTENSCHICHTEN
114
6
AUSBILDUNG
UND
MANIPULATION
DER
SPONTANEN
UEBERGITTERORDNUNG
121
6.1
ORDNUNGSMECHANISMEN
.
122
6.2
WACHSTUMSEINFLUESSE
.
128
6.3
GRUPPE-V-ORDNUNG
IN
QUATERNAEREM
INGAASP
.
136
6.4
RESUEMEE
.
147
7
KONZEPTE
FUER
POLARISATIONSSENSITIVE
BAUELEMENTE
FUER
DIE GLASFASER
TECHNIK
149
7.1
POLARISATIONSEMISSION
.
150
7.2
POLARISATIONSANISOTROPE
ABSORPTION
.
154
7.3
POLARISATIONSDETEKTOR
.
161
7.4
POLARISATIONSGRENZWERTSCHALTER
.
170
8
ZUSAMMENFASSUNG
179
A
MATERIALPARAMETER
INGAAS(P)/INP
185
B
RECHNUNGEN
189
B.L
BANDSTRUKTUR
UND
POLARISATIONSANISOTROPIE
VON
CM-INALAS
.
189
B.2
DUNKELFELDSPEKTROSKOPIE
.
194
C
LITHOGRAPHIEMASKEN
197
D
ZEICHENERKLAERUNG
203
LITERATURVERZEICHNIS
204 |
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