Physikalische Ursachen und Wirkung von Rauschquellen in Sperrschicht-Feldeffekttransistoren:
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2001
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INHALTSVERZEICHNIS
1 EINLEITUNG.1
2 THEORIE.3
2.1 RAUSCHQUELLEN IN EINEM HALBLEITER-DETEKTOR-VERSTAERKER-SYSTEM
(HDVS).4
2.2 RAUSCHQUELLEN IN HALBLEITERN.4
2.2.1 MATHEMATISCHE GRUNDLAGEN.7
2.2.1.1 DEFINITION DES RAUSCHSPEKTRUMS.7
2.2.1.2 PARSEVALSCHES THEOREM.8
2.2.1.3 WIENER-KHINTCHINE-THEOREM.9
2.2.2 THERMISCHES RAUSCHEN.!.13
2.2.2.1 THERMISCHES RAUSCHEN EINES WIDERSTANDES.13
2.2.2.2 THERMISCHES RAUSCHEN DES KANALS EINES JFETS.18
2.2.3 RAUSCHMECHANISMEN IN EINER RUECKWAERTS GEPOLTEN DIODE.22
2.2.3.1 DIFFUSIONSSTROM-RAUSCHEN.23
2.2.3.2 GENERATIONS-REKOMBINATIONS-RAUSCHEN.28
2.2.4 RTS-RAUSCHEN.31
2.3 ENERGIEAUFLOESUNG EINES HALBLEITER-DETEKTOR-VERSTAERKER-SYSTEMS.38
2.3.1 BERECHNUNG DER ENERGIEAUFLOESUNG EINES EINFACHEN HDV-SYSTEMS UNTER
BERUECKSICHTIGUNG DES ELEKTRONISCHEN RAUSCHENS.39
2.3.1.1 SIGNAL.41
2.3.1.2 RAUSCHEN.43
2.3.1.3 ENERGIEAUFLOESUNG (ENC).45
2.3.2 OPTIMALES FILTERN. 47
2.4 QUALITATIVE ANALYSE DES RTS-RAUSCHENS AM BEISPIEL EINES JFETS.49
2.5 QUANTITATIVE ANALYSE DES RTS-RAUSCHENS.51
2.5.1 WECHSELWIRKUNG DER STOERSTELLE NUR MIT ELEKTRONEN.54
2.5.1.1 ABHAENGIGKEIT VON DER ELEKTRONENKONZENTRATION.54
2.5.1.2 FREQUENZABHAENGIGKEIT.55
2.5.1.3 ABHAENGIGKEIT VOM WIRKUNGSQUERSCHNITT.57
2.5.2 WECHSELWIRKUNG MIT ELEKTRONEN UND LOECHERN. 58
2.5.3 SIMULATION DES RTS-RAUSCHENS.64
2.5.3.1 WIDERSTAND.68
BIBLIOGRAFISCHE INFORMATIONEN
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2.53.2 PJFET.74
2.6 ZUSAMMENFASSUNG DER ANALYSE DES RTS-RAUSCHENS.84
2.7 ZUSAMMENFASSUNG DES THEORETISCHEN TEILS.86
3 MESSUNGEN.89
3.1 MESSAUFBAU.89
3.2 VERGLEICH VERSCHIEDENER TRANSISTOREN.96
3.2.1 RAUSCHSPEKTREN.97
3.2.2 ENERGIEAUFLOESUNG. 101
3.2.2.1 METHODE.101
3.2.2.2 EXEMPLARISCHE RAUSCHSPEKTREN.107
3.2.2.3 VERGLEICH ZWISCHEN JFETS.121
3.3 IDENTIFIKATION VON STOERSTELLEN.129
3.4 MULTISTABILE DEFEKTE.140
4 ZUSAMMENFASSUNG UND AUSBLICK.143
LISTE VERWENDETER SYMBOLE.145
LITERATUR. 147
ABBILDUNGSVERZEICHNIS.149
DANKSAGUNG.157
LEBENSLAUF.158
PERSOENLICHE DATEN.158
*
AUSBILDUNG.158 |
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