Dioden- und Transistortechnik: ein Einblick in die Physik und Technik der Richthalbleiter mit speziellen Anwendungsmöglichkeiten
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| Sprache: | German |
| Veröffentlicht: |
Berlin
Verl. Technik
1958
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| adam_text | INHALTSVERZEICLINIS 1 PHYSIKALISCHE GRUNDLAGEN DER HALBLEITER 1.1 AUS
DER GESCHICHTE DER HALBLEITER ............................. 1.2 EINIGES
UEBER DIE PHYSIKALISCHEN PROBLEME ...................... 1.3 ~ A S
.......................................... BAENDERMODELL 1.31
GRUNDBEGRIFFE DER HALBLEITERPHYSIK ....................... 1.32
BAENDERMODELL DER HALBLEITER ............................. 1.33
BEWEGLICHKEIT DER LADUNGSTRAEGER ......................... 1.4
STOERSTELLEN UND STOERSTELLENREAKTIONEN .......................... 1.5
FUNKTION DER SPERRSCHICHTEN ................................. 1.6 DIE
WIRKUNGSWEISE DES TRANSISTORS ............................ 1.61
SCHLUSSBEMERKUNGEN .................................... 2 TEOHNOLOGISEHE
PROBLEME DER HALBLEITERTECHNIK 2.1 HERSTELLUNG DER HALBLEITERKRISTALLE
............................ 2.11 CHEMISCHE AUFBEREITUNG DES GERMANIUMS
UND SILIZIUMS ..... 2.12 REINIGUNGSVERFAHREN UND
EINKRISTALLZIICHTUNGSVERFAHREN ..... 2.2 PHYSIKALISCHE MESSVERFAHREN AN
HALBLEITERKRISTALLEN .............. 2.21 MESSUNG DES SPEZIFISCHEN
WIDERSTANDES .................... 2.22 MESSUNG DER BEWEGLICHKEIT DER
LADUNGSTRAEGER ............. 2.23 MESSUNG DER VERSETZUNGSLINIENDICHTE UND
DER LEBENSDAUER . . 2.3 DIFFUSIONS- UND LEGIERUNGAVERFAHREN
........................... 2.4 AETZVERFAHREN AN HALBLEITERKRISTALLEN
........................... 2.5 BAUELEMENTEHERSTELLUNG UND
AUSFIIHRUNGSFORMEN .............. 2.51 SPITZENDIODEN
.......................................... 2.52 SPITZENTRANSISTOREN
..................................... 2.53 FLAECHENGLEICHRICHTER
.................................... 2.54 FLAECHENTRANSISTORERI
..................................... 2.6 PROBLEME DER FERTIGUNG VON
LCIUTUIIGSTRANSISTOREN ............. . 2.61 EINLEITUNG
............................................. 2.62 PHYSIKALISCHE
PROBLEME AN DER KOLLEKTOR-BLOCK-SCHICHT ..... 2.63 PHYSIKALISCHE
PROBLE~NE AN DER EMITTER-BLOCK-SRHICHT ...... 3 EIGENSCHAFTEN UND
ANWENDUNGEN VON BIEHTHALBLEITERN 3.1 DAS WICHTIGSTE UEBER DIODEN
.................................. 3.11 EIGENSCHAFTEN VON DIODEN IN
BEZUG AUF IHREN ANWENDUNGS- ZWECK
................................................. 3.12
BEGRIFFSBESTIMMUNGEN ................................... 7 4 3.13
VERGLEICH ZWISCHEN ROEHREN- UND GERMANIUMDIODE .......... 75 3.14 DAS
VERHALTEN VON GERMANIUMDIODEN GEGENUEBER KURZEN IM- PULSEN
................................................ 77 3.15 DAS VERHALTEN
VON GERMANIUMDIODEN IN GLEICHRICHTERSCHAL- TUNGEN
................................................ 78 3.16 ANWENDUNG VON
GERMANIUMDIODEN ....................... 80 3.17 PRUEFEN UND XESSEN VON
GERMANIUMDIODCN ................ 82 3.2 VIERPOLPARAMETER UND KENNGROESSEN
VON SPITZENTRANSISTOREN ...... 83 3.2I BERECHNUNGSUNTERLAGEII
.................................. 86 3.22 DAS RAUSCHEN VON TRANSISTOREN
.......................... 91 3.23 MESSVERFAHREN FUER VIERPOLGROESSEN
.......................... 93 3.24 MESSEN DER GRENZFREQUENZ
............................... 96 3.25 RAUSCHMESSUNG AN TRANSISTOREN
.......................... 96 3.3 VIERPOLPARARNETER UND KENNGROESSEN VON
FLAECHENTRANSISTOREN ...... 97 3.31 DEFINITIONEN UND ERSATZSCHALTBILDER
....................... 97 3.32 GRUNDSCHALTUNGEN DES TRANSISTORS
........................ 99 3.33 NAEHERUNGSFORMELN FUER DIE PRAKTISCHE
ANWENDUNG .......... 101 3.34 BERECHNUNGSUNTERLAGEN FUER
TRANSISTORSCHALTUNGEN .......... 102 3.4 EINIGES UEBER DIE ANWENDUNG VON
TRANSISTOREN IN DER HOCHFREQUENZ- TECHNIK
.................................................... 105 3.42 PRAKTISCHE
BEISPIELE FUER TRANSISTOROSZILLATORE~~ ............. 109 3.5 DIE
RAUSCHARME TRANSISTORVERSTAERKERSTUFE ...................... 113 3.6
TRANSIST~ORVORVERSTAERKER FUER TAUCHSPULENMIKROPHON ............. 115 3.7
EIN TRANSISTORERNPFAENGER ..................................... 116 3.8
EINKREISEMPFAENGER MIT SPITZENTRANSISTOREN ..................... 118 3.9
DER TRANSVERTER ALS ANODENSPANNUNGSQUELLE FUER KOMBINIERTE ROEHREN-
TRANSISTOR-EMPFAENGER ....................................... 122 4 STAND
UND WEITERE ENFWIEKLUNG DER HALBFEITERFEEHNIK 126
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