Verstärkungsgekoppelte InGaAsP-InP-DFB-Halbleiterlaserdioden basierend auf Gitterstrukturierung durch fokussierte Ionenstrahllithographie:
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Aachen
Shaker
2002
|
| Series: | Berichte aus der Physik
|
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INHALTSVERZEICHNIS
1
EINLEITUNG
1
2
GRUNDLAGEN
VON
HALBLEITERLASEM
6
2.1
LASERBEDINGUNG
.
6
2.2
AUFBAU
VON
LASERDIODEN
.
8
2.3
LASERKENNDATEN
.
10
2.4
DYNAMISCHE
EIGENSCHAFTEN
.
12
2.4.1
KLEINSIGNALMODULATION
.
12
2.4.2
RAUSCHVERHALTEN
.
14
2.5
DFB-LASER
.
15
3
TECHNOLOGIE
UND
CHARAKTERISIERUNG
22
3.1
TECHNOLOGIE
DER
LONENSTRAHLLITHOGRAPHIE
.
22
3.1.1
FOKUSSIERTE
LONENSTRAHLANLAGE
EIKO
E100
.
22
3.1.2
IONENIMPLANTATION
.
23
3.1.3
IMPLANTATIONSINDUZIERTE
DURCHMISCHUNG
VON
QUANTENFILMEN
.
25
3.1.4
IMPLANTATIONSINDUZIERTES
AETZEN
VON
INP
.
27
3.1.5
HERSTELLUNG
VON
KOMPLEXEN
DFB-GITTERSTRUKTUREN
.
32
3.2
HERSTELLUNG
DER
DFB-LASER
.
36
3.3
LASER-CHARAKTERISIERUNG
.
41
3.3.1
GEPULSTER
UND
DAUERSTRICH-MESSPLATZ
.
41
3.3.2
HOCHFREQUENZMESSPLATZ
.
43
4
VERSTAERKUNGSGEKOPPELTE
DFB-LASER
45
4.1
EMISSIONSSPEKTREN
.
45
4.2
RUECKKOPPLUNGSMECHANISMUS
.
46
4.3
TEMPERATURABHAENGIGKEIT
DER
DFB-EMISSION
.
48
4.4
ABSTIMMUNG
DER
WELLENLAENGE
.
50
4.5
KENNLINIEN
DER
LASERDIODEN
.
52
4.6
LAENGENABHAENGIGKEIT
.
54
5
KOMPLEX
GEKOPPELTE
DFB-LASER
58
5.1
EMISSIONSSPEKTRUM
.
58
5.2
KOPPLUNGSSTAERKE
.
60
5.3
STRUKTURGROESSENABHAENGIGKEITEN
.
62
INHALTSVERZEICHNIS
5.3.1
VARIATION
DER
RIPPENWELLENLEITERBREITE
.
62
5.3.2
RESONATORLAENGENABHAENGIGKEIT
.
64
5.4
KENNLINIEN
.
66
5.4.1
LICHTLEISTUNG
UND
SEITENMODENUNTERDRUECKUNG
.
66
5.4.2
AR-BESCHICHTUNG
.
68
5.4.3
DIODENKENNLINIE
.
70
5.5
TEMPERATURABHAENGIGKEIT
.
71
5.6
EINSTELLUNG
DER
EMISSIONSWELLENLAENGE
.
77
5.7
LEBENSDAUERUNTERSUCHUNGEN
.
81
5.8
DYNAMISCHE
EIGENSCHAFTEN
.
84
5.8.1
LINIENBREITE
.
84
5.8.2
RELATIVES
INTENSITAETSRAUSCHEN
.
85
5.8.3
KLEINSIGNALVERHALTEN
.
89
A
SCHICHTAUFBAU
DER
LASERSTRUKTUREN
94
B
ABKUERZUNGEN
UND
SYMBOLE
96
LITERATURVERZEICHNIS
98
II |
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