Verfügbarkeit: Approximate solution methods in engineering mechanics

Approximate solution methods in engineering mechanics:

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	Boresi, Arthur P. (VerfasserIn), Chong, Ken P. (VerfasserIn), Saigal, Sunil (VerfasserIn)
Format:	Buch
Sprache:	English
Veröffentlicht:	Hoboken, NJ Wiley 2003
Ausgabe:	2. ed.
Schlagworte:	Mühendislik matematiği - Bilgi işlem Sayısal analiz - Bilgi işlem Yaklaşırma teorisi - Bilgi işlem Datenverarbeitung Approximation theory > Data processing Engineering mathematics > Data processing Numerical analysis > Data processing Technische Mechanik Differenzenverfahren Numerisches Verfahren
Online-Zugang:	Table of contents Inhaltsverzeichnis
Beschreibung:	Includes bibliographical references and index
Beschreibung:	x, 270 p. ill. : 25 cm
ISBN:	0471402427

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MARC


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Datensatz im Suchindex

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adam_text	INHALTSVERZEICHNIS HALBLEITERGRUNDLAGEN UND GESCHICHTLICHER UEBERBLICK ............................. 14 EINFUEHRUNG .................................................................................................... 14 GESCHICHTLICHER UEBERBLICK ...................................................................... 14 HALBLEITERDIODEN ............................................................................................ 14 BIPOLARE TRANSISTOREN ................................................................................... 15 DER SIEGESZUG DES SILIZIUMS ......................................................................... 15 ANDERE HALBEITERWERKSTOFFE UND BAUELEMENTE ............................................ 17 FELDEFFEKT-TRANSISTOREN ............................................................................... 17 INTEGRIERTE HALBLEITERSCHALTKREISE .................................................................. 18 EINTEILUNG VON HALBLEITERBAUELEMENTEN ........................................................ 23 AUFBAU UND FUNKTIONSWEISE VON INTEGRIERTEN SCHALTKREISEN ......................... 23 BIPOLARE INTEGRIERTE SCHALTUNGEN ................................................................. 24 INTEGRIERTE MOS-SCHALTUNGEN .................................................................... 31 SONSTIGE HALBLEITERBAUELEMENTE .................................................................... 39 HALBLEITERBAUTEILE OHNE SPEZIELLE STRUKTUR .................................................... 39 HALBLEITERDIODEN ............................................................................................ 40 TRANSISTOREN ................................................................................................... 43 SONSTIGE INTEGRIERTE HALBLEITER ................................................................. 45 DIODEN UND TRANSISTOREN ............................................................................ 46 HOCHFREQUENZ-DIODEN ................................................................................... 46 LADUNGSTRAEGER-LEBENSDAUER UND SERIENWIDER- STAND VON HOCHFREQUENZ-PIN-DIODEN .......................................................... 47 WIE LASSEN SICH DIE ELEKTRISCHEN PARAMETER EINER PIN-DIODE MESSEN? ........ 49 DEFINITION DER KAPAZITAETEN BEI BIPOLARTRANSISTOREN ....................................... 5 0 WIE WERDEN CCB. CCE UND CEBGEMESSEN? ..................................................... 51 DEFINITION EINES KLEINSIGNAL-HF-TRANSISTORS DURCH DAS MESSEN VON DREI PARAMETERN .............................................................................. ............... 51 MESSUNG DER S-PARAMETER ............................................................................. 52 MESSANORDNUNG ZUR BESTIMMUNG DER RAUSCHZAHL EINES TRANSISTORS ............ 53 MESSANORDNUNG ZUR BESTIMMUNG DER RAUSCHZAHL EINES MISCHERS ............... 54 MESSUNG DES IP3-WERTES (INTERCEPT-PUNKT 3.0RDNUNG) ................................ 54 BIPOLARE HF-TRANSISTOREN ....................................................................... 55 SIEGET: VOM KOPF AUF DIE FUESSE GESTELLT ..................................................... 56 ANWENDUNGEN .............................................................................. ................. 59 SIGE-TRANSISTOREN ...................................................................................... 59 SILIZIUM-MMICS ERLEICHTERN DIE HF ENTWICKLUNG ....................................... 60 DREI APPLIKATIONSSCHALTUNGEN ....................................................................... 64 NICHT NUR IM HANDY EINSETZBAR ..................................................................... 65 STROM STABILISIEREN MIT DEM ARBEITSPUNKTSTABILISATOR BCR 400 ................... 66 ARBEITSWEISE .................................................................................................. 66 2.7.2 4 4.1 4.1.1 INHALTSVERZEICHNIS REGELVERHALTEN ........................................................................................... 67 LEISTUNGSHALBLEITER ..................................................................................... 69 KLASSIFIZIERUNG .............................................................................................. 69 EINTEILUNG DER LEISTUNGSHALBLEITER NACH PARAMETERN .................................... 71 PRODUKTENTWICKLUNG ...................................................................................... 72 UNTERSCHIEDE WAEHREND DER PRODUKTENTWICKLUNG ........................................... 73 DIE PRODUKTGRUPPEN ...................................................................................... 7 4 WAFER-TECHNOLOGIEN (FRONTEND) ................................................................... 75 GRUNDPROZESSE ............................................................................................... 75 POWER-MOSFET .............................................................................. ............. 77 SMART-FETS ................................................................................................. 78 SMART-POWER-ICS .................................................................................... 81 AUSBLICK UND TRENDS .............................................................................. .. 85 GEHAEUSE-TECHNOLOGIEN (BACKEND) ................................................................ 86 EINTEILUNG DER LEISTUNGSHALBLEITERGEHAEUSE ................................................... 87 STATISCHE EIGENSCHAFTEN VON LEISTUNGSGEHAUSEN .......................................... 88 DYNAMISCHE EIGENSCHAFTEN VON LEISTUNGSGEHAEUSEN (DYNAMIC PROPERTIES) . 90 ANALYSE VON LEISTUNGSHALBLEITERGEHAEUSENMIT DER FINITE-ELEMENTE- METHODE ................................................................................................... 95 DAS DATENBLATT *THERMAL AND PACKAGC INFORMATION ................................... 98 DIE PRODUKTSPEZIFISCHEN EIGENSCHAFTEN VON LEISTUNGSHALBLEITCR- GEHAEUSEN FUER AUTOMOBILANWENDUNGEN ......................................................... 98 MULTICHIP-PACKAGES UND TRENDS ............................................................. 103 AUTOMOBILANWENDUNGEN ............................................................................. 104 MOSFET UND IGBT ................................................................................... 1 (W SMART-FET UND SMART-IGBT ...................................................................... 107 MULTICHANNEL SWITCHES .......................................................................... 113 BRUECKENSCHALTUNGEN .............................................................................. 115 TRANSCEIVER .................................................................................................. 125 SMART-POWER-SYSTEM-ICS ............................................................................ 129 TRENDS FUER AUTOMOBILANWENDUNGEN ............................................................ 133 STROMVERSORGUNGS- UND ANTNEBSANWENDUNGEN .......................................... 134 SCHALTNETZTEILE -TOPOLOGIEN UND PRODUKTE ................................................ 135 SCHALTNETZTEILTOPOLOGIEN ............................................................................ 137 AUSWAHLKRITERIEN FUER SCHALTNETZTEILC ......................................................... 141 INTEGRIERTE SCHALTUNGEN FUER SCHALTNETZTEILE ................................................ 146 LEISTUNGSFAKTORKORRCKTUR ............................................................................. 147 ANTRIEBE . DRCHZAHLREGELUNG UND LEISTUNPSCLEKTRONIK .............................. 153 NIEDERVOLT-LEISTUNGSTRANSISTOREN: OPTIMOS1 F .......................................... 156 HOCHVOLTTRANSISTOREN: COOLMOSNL ............................................................. 163 SILIZIUMKARBID . BASIS FUER HOHE LEISTUNGSDICHTEN ..................................... 170 HOCHVOLT-LEISTUNGS-IGBTS ......................................................................... 180 OPTOHALBTEITER .......................................................................................... 187 PHYSIK DER OPTISCHEN STRAHLUNG ............................................................. 187 GRUNDLAGEN UND BEGRIFFE ............................................................................. 187 INHALTSVERZEICHNIS 4.1.2 FOTODIODEN ................................................................................................ 190 4.1.3 SILIZIUM-FOTODIODEN ................................................................................... 190 4.1.4 FOTOTRANSISTOREN ........................................................................................... 191 4.1.5 LUMINESZENZDIODEN .............................................................................. ...... 192 4.2 HALBLEITERLASER ........................................................................................... 196 4.2.1 GRUNDLAGEN DER HALBLEITERLASER ................................................................... 196 4.2.2 AUFBAU EINES OXIDSTREIFENLASERS .............................................................. 197 4.2.3 LASERARRAYS .................................................................................................. 199 4.2.4 WEITERE ANWENDUNGEN VON HALBLEITERLASERN ............................................... 202 4.3 OPTOKOPPLER UND SOLID STATE RELAYS ........................................................... 202 4.3.1 AUFBAU ....................................................................................................... 202 4.3.2 ANWENDUNGEN ............................................................................................ 203 4.3.3 PARAMETER ................................................................................................... 203 4.3.4 WESENTLICHE OPTOKOPPLER-EIGENSCHAFTEN .................................................... 204 LICHTWELLENLEITER ........................................................................................ 205 OPTISCHE FASERN ALS UEBERTRAGUNGSMEDIUM ................................................ 205 SENDE- UND EMPFANGSMODULE FUER LWL-ANWENDUNGEN .............................. 207 TRANSPONDER FUER LWL-ANWENDUNGEN ....................................................... 209 VERBINDUNGEN VON GLASFASERN ..................................................................... 210 KOPPLUNGSELEMENTE FUER PLASTIKFASERN ......................................................... 21 1 ANWENDUNGSBEISPIELE FUER PLASTIKFASEM ...................................................... 212 EINSATZ OPTISCHER UEBERTRAGUNGSTECHNIK MIT PLASTIKFASEM IM KFZ .............. 212 4.5 KDA . DATENUEBERTRAGUNG MIT INFRAROTER STRAHLUNG .................................... 217 4.5.1 IRDA - EIN WELTSTANDARD FUER ALLE GERAETE ..................................................... 217 4.5.2 VOLLER KDA-STAND~D .............................................................................. .... 218 5 SENSOREN ................................................................................................... 220 5.1 UEBERBLICK .............................................................................. .................... 220 5.2 MAGNETFELDSENSOREN .................................................................................... 220 5.2.1 DISKRETE HALL-EFFEKT-SENSOREN .............................................................. 220 5.2.2 INTEGRIERTE HALLSENSOR-ASICS ...................................................................... 224 5.2.3 GMRS .......................................................................................................... 228 5.3 DNICKSENSOREN ............................................................................................. 235 5.3.1 OBERFLACHENMIKROMECHANIK, DRUCKSENSOR MIT DIGITALEM AUSGANG (KP100) .................................................................................... 235 5.3.2 DNICKSENSOREN MIT ANALOGEM AUSGANG (KP120) ........................................ 238 5.3.3 PIEZORESISTIVER DRUCKSENSOR IN SMD-GEHAEUSE (KP200) ............................ 241 6 SPEICHER ...................................................................................................... 244 6.1 SPEICHERTYPEN ............................................................................................. 244 6.1 . 1 MECHANISCHE SPEICHER ................................................................................ 244 6.1.2 MAGNETISCHE SPEICHER .............................................................................. 244 6.1.3 OPTISCHE SPEICHER ....................................................................................... 244 6.1.4 HALBLEITERSPEICHER ....................................................................................... 245 6.2 GRUNDLAGEN UND EINSATZGEBIET DER DRAMS ............................................... 245 6.2. I WAS SIND SRAMS UND DRAMS? ............................................................ 245 6.2.2 DRAM-TYPEN .............................................................................. ............ 247 INHALTSVERZEICHNIS DIE SPEZIFIKATION ..................................................................................... 248 MECHANISCHER AUFBAU DES DRAM .............................................................. 248 FUNKTIONEN EINES DRAM ARN BEISPIEL DES SDR SDRAM .......................... 249 TECHNOLOGIE ............................................................................................ 251 INTERNER AUFBAU UND PRINZIPIELLE FUNKTION EINES DRAM ........................... 255 ENTWICKLUNG UND FERTIGUNG EINES DRAM ................................................. 263 QUALITAETSSICHEMNG .................................................................................. 265 WIE DRAMS SCHNELLER WURDEN .................................................................. 267 EDO-DRAMS BESCHLEUNIGEN SPEICHERZUGRIFF ............................................ 268 SYNCHRON SCHNELLER ...................................................................................... 268 VERDOPPELTE DATENRATE ............................................................................ 269 MODULE VEREINFACHEN SPEICHERAUFRUESTUNG ................................................. 270 EINFUEHRUNG ............................................................................................... 272 8-BIT-MIKROCONTROLLER ............................................................................... 272 EINFUEHRUNG ............................................................................................. 272 SPEICHERORGANISATION ................................................................................... 272 ZUSATZFUNKTIONSREGISTERBEREICH ................................................................. 275 CPU-ARCHITEKTUR .................................................................................. 276 GRUNDLEGENDE INTERRUPTVERARBEITUNG ........................................................... 279 E/A-PORTSTRUKTUREN .............................................................................. ........ 281 CPU-TAKTEINTEILUNG .................................................................................... 283 ZUGRIFF AUF DEN EXTERNEN SPEICHER ........................................................... 284 UEBERBLICK UEBER DEN BEFEHLSSATZ .................................................................. 287 BLOCKSCHALTBILDER VON C500-MIKROCONTROLLERN ........................................... 292 16-BIT-MIKROCONTROLLER ............................................................................. 296 EINFUEHRUNG ................................................................................................. 296 DIE MITGLIEDER DER 16-BIT-MIKROCONTROLLER-FAMILIE ................................... 296 ARCHITEKTURUEBERSICHT CL66-FAMILIE ............................................................ 298 SPEICHERORGANISATION ............................................................................. 298 GRUNDLEGENDE CPU-KONZEPTE UND -0PTIMIEMNGEN ................................... 298 DIE ON-CHIP-SYSTEMRESSOURCEN ................................................................. 304 EXTERNE BUSSCHNITTSTELLE .......................................................................... 305 DIE ON-CHIP-PENPHENEBLOECKE ................................................................... 306 ENERGIEUEBERWACHUNGSMERKMALE ................................................................. 313 BESONDERE MERKMALE DER XC 166-FAMILIE .................................................. 314 ZUSAMMENFASSUNG DES BEFEHLSSATZES ......................................................... 315 BLOCKDIAGRAMME DER 16-BIT-MIKROCONTROLLCT ............................................ 317 32-BIT-TNCORE-ARCHITEKTUR ..................................................................... 322 DIE LEISTUNGSMERKMALE DER TNCORE-ARCHITEKTUR IN DER UEBERSICHT ............ 323 PROGRAMM-ZUSTANDSREGISTER ........................................................................ 323 DATENTYPEN .................................................................................................. 324 ADRESSIERUNGSARTEN ...................................................................................... 324 BEFEHLSFORMATE ............................................................................................ 325 TASKS UND KONTEXTE ..................................................................................... 325 UNTERBRECHUNGSSYSTEM ............................................................................ 326 TRAP-SYSTEM ........................................................................................... 326 SCHUTZSYSTEM ............................................................................................... 327 RESET-SYSTEM ............................................................................................... 327 INHALTSVERZEICHNIS FEHLERSUCH-SYSTEM ...................................................................................... 328 PROGRAMMIERMODELL .................................................................................... 328 SPEICHERMODELL ........................................................................................... 329 ADRESSIERUNGSMODELL ................................................................................... 331 KERNREGISTER .............................................................................................. 333 UNIVERSAIREGISTER (GPRS) ............................................................................ 33 4 BLOCKDIAGRAMME VON 32-BIT MIKROCONTROLLERN .......................................... 338 CHIPKARTEN ................................................................................................. 340 UEBERSICHT .............................................................................. ................ 340 EINFUEHRUNG .................................................................................................. 340 MARKT ...................................................................................................... 340 ANWENDUNGEN .............................................................................. ............... 341 GESCHAEFTLICHES BEZIEHUNGSGEFLECHT ............................................................ 344 PRODUKTE ................................................................................................... 344 KRYPTO-EXPERTISE ......................................................................................... 346 CHIPS FUER MULTIFUNKTIONALE KARTEN ............................................................. 347 .,H UMAN INTERFACES . EINE NEUE PERIPHERIE ................................................ 348 TECHNOLOGIE UND FERTIGUNG ....................................................................... 349 SICHERHEIT ............................................................................................... 351 AUSBLICK ...................................................................................................... 352 AUTOMOTIVE SILICON SOLUTIONS ............................................................. 354 ELEKTRONIK IM AUTOMOBIL ............................................................................ 354 KAROSSERIE- UND KOMFORT-ELEKTRONIK .......................................................... 355 BORDNETZSTEUERGERAETE UND LICHTMODULE ...................................................... 355 TUERSTEUERGERAETE ........................................................................................ 359 KLIMAANLAGEN .............................................................................................. 362 SAFETY-ELEKTRONIK ........................................................................................ 365 AKTIVE SICHERHEITS-SYSTEME .................................................................. 367 PASSIVE SICHERHEITS-SYSTEME ....................................................................... 372 AUTOMOBILE ANTRIEBE ................................................................................... 382 HALBLEITERTECHNOLOGIEN FUER DEN POWERTRAIN-REGELKREIS ............................... 382 POWERTRAIN-APPLIKATIONEN - SYSTEMUEBERBLICK ............................................ 383 DIE KUENFTIGE AUFTEILUNG VON ANTRIEBSSTRANG-APPLIKATIONEN ....................... 389 INFOTAINMENT-ELEKTRONIK ......................................................................... 390 DASHBOARDLINSTRUMENTEN-CLUSTER ................................................................ 390 CAR AUDIO .................................................................................................. 390 TELEMATIKSYSTEME ...................................................................................... 391 NAI~ATIONSSYSTEME .............................................................................. . 392 MULTIMEDIA-SYSTEME ................................................................................... 392 APPLIKATIONSUEBERGREIFENDETECHNOLOGIEN ................................................... 392 NEUES 42 V-BORDNETZ ............................................................................. 395 BEGRIFFSDEFINITION12V UND 42 V ................................................................ 395 DAS 42 V POWERNET FUER NEUE LOESUNGSANSAETZE ............................................ 396 42 V UND DESSEN EINFLUSS AUF LEISTUNGSHALBLEITER ....................................... 398 INHALTSVERZEICHNIS HERAUSFORDERUNGEN UND CHANCEN VON X-BY-WIRE ...................................... 405 SYSTEM UND DESIGN-ANFORDEMNGEN .......................................................... 406 MOEGLICHKEITEN DURCH X-BY-WIRE ................................................................ 406 HALBLEITERKONZEPTE FUER X-BY-WIRE SYSTEME ............................................... 408 DIE ZUKUNFT DER AUTOMOBILELEKTRONIK ....................................................... 410 UNTERHALTUNGSELEKTRONIK ....................................................................... 412 ABHEBEN IN DIE BREITBANDKOMMUNIKATION .................................................. 412 DIGITALISIEMNG DES KABELFERNSEHENS ........................................................... 413 DER DIGITALE TERRESTRISCHE RUNDFUNK HEBT AB .............................................. 414 VERBESSERTE RUECKKOPPLUNG FUER DEN DIGITALEN SATELLITENNINDFUNK ............... 417 MULTIMEDIACARD . IDEALER MASSENSPEICHER FUER MOBILE ENDGERAETE ............. 418 VIELFALTIGE ANWENDUNGEN ........................................................................... 418 STANDARDISIERUNG ANGELAUFEN ................................................................. 420 FLEXIBLE SCHNITTSTELLE ................................................................................. 420 128 MBYTE IM JAHRE 2001 ........................................................................... 420 KOMMUNIKATIONSBAUSTEINE ....................................................................... 424 UEBERBLICK UND TRENDS ............................................................................. 424 STRATEGISCHE ZIELE ........................................................................................ 424 HOHE LNNOVATIONSRATEN ................................................................................ 425 SWITCHING-ICS .......................................................................................... 425 NCTWORK 1CS .............................................................................................. 425 COMMUNICATION TERMINAL (CS .................................................................. 426 ISDN: VON DER VERMITTLUNG BIS ZUM TEILNEHMER ........................................ 427 FUNKTIONSBLOECKE IM ISDN .......................................................................... 427 DIGITAL-LINECARD .......................................................................................... 430 EXTENDED-LINECARD-CONTROLLER(ELIC) ...................................................... 430 ISDN-D-CHANNEL-EXCHANGE-CONTROLLER(IDEC) ........................................ 430 U-TRANSCEIVER FUER DAS ANALOG-FRONTEND ..................................................... 431 ISDN-HIGH-VOLTAGE-POWER-CONTROLLER (IHPC) ........................................... 431 NETWORK-TERMINATION .................................................................................. 432 INTELLIGENT-NETWORK-TERMINATION-CONTROLLER(INTC) ................................. 432 ISDN-DC-DC-WANDLER (IDDC) ................................................................. 433 ISDN-S-INTERFACE-FEEDER-CIRCUIT (ISFC) ................................................... 433 DUAL-SIGNAL-PROCESSJNG-CODEC-FILTER ......................................................... 435 ISDN-ENDGERAETE: DIE TCILNCHMERSEITE ....................................................... 435 TELEFON .............................................................................. .......................... 435 PC-EINSTECKKARTE ......................................................................................... 439 TCRMINALADAPTER (TA) UND USB-SO-ADAPTER .............................................. 437 KOMBINATION NT1 UND TA ......................................................................... 438 HIGH-END-TELEFON MIT USB-SO-ADAPTER UND TA-FUNKTION ........................ 438 REFERENZ-DESIGNS FUER ISDN .................................................................... 439 KOMPLETTE LOESUNGEN FUEHREN ZUR SCHNELLEREN VERMARKTUNG ......................... 439 HARDWARE ..................................................................................................... 440 SOFTWARE .................................................................................................... 440 ISDN-ZUGANG ......................................................................................... 440 ISDN-TELEFON .............................................................................................. 44 1 QUALITAETSANALYSE IM TELEFONNETZ ................................................................. 441 INHALTSVERZEICHNIS TIQUS FUER JEDES TELEFONNETZ ...................................................................... 442 BEI ANRUF TEST: DIE PROBEVERBINDUNG ......................................................... 442 ISDN-ZUGANGSTECHNOLOGIE VON INFINEON ................................................... 443 FLEXIBLES CHIPKONZEPT SENKT KOSTEN BEI NEBENSTELLENANLAGEN ................... 444 KOSTENGUENSTIGE SYSTEMLOESUNGEN ............................................................. 444 TREND ZUR VERKLEINERUNG ........................................................................... 444 AUF DIGITALE PBX ZUGESCHNITTENE ICS ......................................................... 444 PCM-SWITCHING-LOESUNGEN ......................................................................... 445 VERWENDEN VON SWITI ZUM ANSCHLIESSEN AN H.LOO/H.LLO.BUSSE ............. 447 NAECHSTE ARCHITEKTUR-GENERATION VON MOBIL-ENDGERAETEN . GOLDIGE ZUKUNFT FUER GSM .............................................................................. ......... 44 8 E-GOLD . ERWEITERUNG DES GOLD-STANDARDS .......................................... 449 ANWENDUNGSUNTERSTUETZUNG .......................................................................... 449 DIE ZUKUNFT HAT BEREITS BEGONNEN ............................................................... 450 GSM-MODUL ............................................................................................... 450 DIGITALE ANRUFBEANTWORTER ......................................................................... 450 DSP REDUZIERT DATEN .............................................................................. ..... 451 EINKANALIGER CODEC GENUEGT ......................................................................... 452 SAM BIETET KOSTENOPTIMIERUNG .................................................................. 453 ENTWICKLUNG LEICHT GEMACHT ..................................................................... 456 FREISPRECHALGORITHMEN ................................................................................ 457 FREISPRECHSYSTEME ....................................................................................... 457 VOLLDUPLEX-SYSTEME .................................................................................... 45 7 HALBDUPLEX-SYSTEME ................................................................................... 457 ECHOKOMPENSATION (VOLLDUPLEX-SYSTEME) ................................................. 458 ITU-T-EMPFEHLUNGEN .................................................................................. 461 DSL-ARCHITEKTUREN ..................................................................................... 462 GRUNDLEGENDE DSL-KONZEPTE .................................................................... 462 NUTZUNG DER UMGEBUNG DURCH ASYMMETRIE ............................................. 464 VDSL UEBERTRAEGT VIDEODATEN UND GROESSERE BANDBREITE ................................. 469 KUNDENSPEZ%SCHE INTEGRIERTE SCHALTUNGEN ............................................ 471 SEMICUSTOM IC ........................................................................................ 471 GATEARRAYS ................................................................................................... 472 ZELLDESIGN .................................................................................................... 472 GATEARRAY ODER ZELLDESIGN? ......................................................................... 472 TECHNOLOGIEN ............................................................................................ 473 BIPOLARE SEMICUSTOM ICS ........................................................................... 473 CMOS SEMICUSTOM ICS .............................................................................. 473 BIPOLARE GATEARRAYS .................................................................................... 474 BIPOLARE TRANSISTORARRAYS (LINEARARRAYS) ................................................... 475 GEHAUSEVARIANTEN ........................................................................................ 476 ZUSAMMENARBEIT KUNDE - IC HERSTELLER ................................................... 476 13 ELEKTROMAGNETISCHE VERTRAEGIICHKEIT . EMV ........................................... 478 13.1 GRUNDLAGEN .................................................................................................. 478 13.1.1 EMV-PHAENOMENE ........................................................................................ 478 13.1.2 EMV: NORMEN UND VORSCHRIFTEN ................................................................. 48 1 INHALTSVERZEICHNIS EMV-MESSMETHODEN FUER INTEGRIERTE SCHALTUNGEN (ICS) .............................. 482 MODELLE ZUR BESTIMMUNG DER ESD-FESTIGKEIT VON BAUELEMENTEN ............. 490 ELEKTROMAGNETISCHE VERTRAEGLICHKEIT VON AUTOMOTIVE POWER ICS ................ 493 POWER-SCHALTER-ICS .................................................................................... 493 STOEREMISSION VON DC-DC-WANDLERN ........................................................... 497 STOEREMISSION VON KOMMUNIKATIONS-ICS . CAN ......................................... 499 STOERFESTIGKEIT VON AUTOMOTIVE-POWER-SCHALTER-ICS .................................... 500 STOERFESTIGKEIT VON KOMMUNIKATIONS-ICS . CAN ....................................... 502 EMV-MASSNAHMEN IN APPLIKATIONSSCHALTUNGEN . EXTERNE BAUELEMENTE ..... 503 ELEKTROMAGNETISCHE VERTRAEGLICHKEIT VON MIKROCONTROLLEM ........................ 503 AUTOMOBILE MIKROCONTROLLER-SYSTEME UND TECHNOLOGIE-TRENDS ................ 503 EMV-OPTIMIERTER LEITERPLATTEN-ENTWURF .................................................... 505 MESSUNG DER STOEREMISSION VON MIKROCONTROLLERN ....................................... 509 STOERFESTIGKEIT VON MIKROCONTROLLERN ............................................................ 514 EMV-ZIELE BEI DER DRAHTGEBUNDENEN KOMMUNIKATION .............................. 515 SYSTEM. KOMPONENTEN UND GRUNDLAGEN .................................................... 516 HIGH-SPEED-PCB-DESIGN . SIGNALINTEGRITAET (SI) ........................................ 517 13.5 ESD-SCHUTZMASSNAHMEN BEIM HANDLING .................................................... 525 13.5.1 SCHUTZMASSNAHMEN GEGEN AUFGELADENE OBJEKTE (MENSCH/MASCHINE) ......... 526 13.5.2 SCHUTZMASSNAHMEN GEGEN AUFGELADENE BAUSTEINE ....................................... 526 14 GEHAEUSE ...................................................................................................... 528 14.1 VON DER PHYSIK ZUR INNOVATION -DIE WACHSENDE BEDEUTUNG DER GEHAEUSEENTWICKLUNG ................................................................................... 528 14.2 GEHAEUSE FUER HALBLEITERCHIPS -EINE UBERSICHT ............................................ 529 14.3 TREIBENDE KRAEFTE DER GEHAEUSEENTWICKLUNG ................................................. 531 14.4 GEHAEUSEENTWICKLUNG WELTWEIT .................................................................. 532 14.4.1 STANDARDISIERUNG ......................................................................................... 532 14.4.2 TRENDS WELTWEIT: SEICHERGEHAUSE ............................................................. 532 14.4.3 TRENDS WELTWEIT: IC-GEHAEUSE ...................................................................... 533 14.4.4 TRENDS WELTWEIT: PASSIVE BAUELEMENTE .................................................... 536 14.5 VERARBEITBARKEIT BEIM KUNDEN: FINE PITCH UND ALTERNATIVEN ..................... 536 14.6 IC PACKAGING ROAD MAP -WOHIN GEHT DIE REISE? ..................................... 537 14.7 MATERIALASPEKTE ........................................................................................... 539 14.7.1 BLEIFREIE. HALOGENFREIE GEHAEUSE ................................................................ 539 14.7.2 LNHALTSSTOFFE IN BAUTCILEN UND WERKSTOFFEN ............................................... 539 14.7.3 SOFT ERRORS DURCH RADIOAKTIVE VERUNREINIGUNGEN IM GEHAEU EMATCRIAL ...... 540 15 QUALITAET ...................................................................................................... 547 15.1 ELEMENTE DER QUALITAET ............................................................................ 542 15.2 QUALITAETSMASSNAHMEN IN GESCHAEFTSPROZESSEN .............................................. 543 15.3 VERARBEITBARKEIT BEIM KUNDEN .................................................................. 544 16 GLOSSAR .............................................................................. .................... 55 1
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