Untersuchungen zur Integration von MOCVD-Titannitridbarriere- und Kupferschichten in Leitbahnsysteme der Mikroelektronik:
Gespeichert in:
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| Format: | Abschlussarbeit Buch |
| Sprache: | German |
| Veröffentlicht: |
Aachen
Shaker
2002
|
| Schriftenreihe: | Berichte aus der Halbleitertechnik
|
| Schlagworte: | |
| Online-Zugang: | Inhaltsverzeichnis |
| Beschreibung: | 169 S. Ill., graph. Darst. : 21 cm |
| ISBN: | 3832201866 |
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INHALTSVERZEICHNIS
VERZEICHNIS
DER
ABKUERZUNGEN
UND
FORMELZEICHEN
9
1
EINLEITUNG
15
2
KUPFER-CVD
21
2.1
AUSGANGSSUBSTANZ
-
PRECURSOREN
FUER
DIE
CU-CVD
.
21
2.1.1
UEBERBLICK
UEBER
MOEGLICHE
PRECURSOREN
.
21
2.1.2
KUPFERHEXAFLUOROACETYLACETONATTRIMETHYLVINYLSILAN
.
24
2.2
EXPERIMENTELLES
ZUR
KUPFERABSCHEIDUNG
.
27
2.2.1
PRECURSORDOSIER
UND
ZULEITUNGSSYSTEM
.
27
2.2.2
EXPERIMENTELLER
ABLAUF
DER
KUPFERABSCHEIDUNG
.
29
2.3
UNTERSUCHUNG
DES
ABSCHEIDEPROZESSES
.
31
2.3.1
NUKLEATIONSPHASE
DER
REAKTION
.
31
2.3.2
ABSCHEIDERATE
NACH
UEBERWINDUNG
DER
STARTPHASE
.
36
2.3.3
EINFLUSS
EINES
STATISCHEN
ELEKTRISCHEN
FELDES
.
39
2.4
SCHICHTEIGENSCHAFTEN
KUPFER
.
41
2.4.1
SPEZIFISCHER
ELEKTRISCHER
WIDERSTAND
.
41
2.4.2
KORNSTRUKTUR
DES
CVD-KUPFERS
.
46
2.4.3
WEITERE
SCHICHTEIGENSCHAFTEN
.
48
3
TITANNITRID-CVD
55
3.1
PRECURSOREN
FUER
DIE
TIN-CVD
.
55
3.2
EXPERIMENTELLES
ZUR
TIN-CVD
.
59
3.2.1
PRECURSORDOSIER
UND
ZULEITUNGSSYSTEM
.
59
3.2.2
EXPERIMENTELLER
ABLAUF
DER
TIN-ABSCHEIDUNG
.
60
3.3
UNTERSUCHUNG
DER
ABSCHEIDERATE
.
63
3.3.1
TEMPERATURABHAENGIGKEIT
.
63
3.3.2
ABHAENGIGKEIT
PRECURSORFLUSS
BZW.
-PARTIALDRUCK
.
63
3.3.3
EINFLUSS
DER
KAMMERRUECKSEITENSPUELUNG
.
65
3.4
PLASMAUNTERSTUETZTE
ABSCHEIDUNG
VON
TIN
.
65
3.4.1
MOTIVATION
.
65
6
INHALTSVERZEICHNIS
3.4.2
ERGEBNISSE
FUER
VARIABLE
GASZUSAMMENSETZUNG
.
65
3.4.3
PLASMAUNTERSTUETZUNG
BEI
NIEDRIGER
ABSCHEIDETEMPERATUR
67
3.5
PLASMABEHANDLUNG
.
68
3.5.1
ZIEL
DES
PROZESSSCHRITTES
.
68
3.5.2
PARAMETER
BEI
DER
PLASMABEHANDLUNG
.
68
3.5.3
EIGENSCHAFTEN
DER
PLASMAANORDNUNG
.
68
3.6
SCHICHTEIGENSCHAFTEN
DES
TIN
.
73
3.6.1
ELEKTRISCHE
EIGENSCHAFTEN
.
74
3.6.2
SCHICHTZUSAMMENSETZUNG
.
80
3.6.3
STRUKTUR
UND
DICHTE
DES
TIN
.
82
4
INTEGRATION
89
4.1
REALISIERUNG
VON
METALLISIERUNGSSYSTEMEN
.
89
4.1.1
SUBTRAKTIVE
ARCHITEKTUR
.
89
4.1.2
DAMASCENE-ARCHITEKTUR
.
91
4.2
BEISPIEL
SINGLE
DAMASCENE-STRUKTUREN
.
93
4.2.1
VARIANTE
1
.
93
4.2.2
VARIANTE
2
.
97
4.3
BEISPIEL
INTERCHIP-VIA
.
100
4.3.1
KONZEPT
VERTIKALE
INTEGRATION
UND
INTERCHIP-VIA
.
100
4.3.2
PROZESSFLUSS
.
100
4.3.3
KANTENBEDECKUNG
CVD-TIN
.
102
4.3.4
FUELLEIGENSCHAFTEN
CVD-CU
.
104
4.3.5
STRUKTUR
DES
KUPFERS
IN
DEN
VIAS
.
104
4.3.6
VERRINGERUNG
DER
TEMPERATUR
DER
TEMPERUNG
NACH
DER
KUPFER-CVD
.
104
4.4
HAFTFESTIGKEIT
DES
CVD-CU
AUF
DER
BARRIERESCHICHT
.
106
4.4.1
EINFLUESSE
AUF
DIE
HAFTFESTIGKEIT
.
107
4.4.2
LOESUNGSANSAETZE
.
109
4.4.3
HAFTVERMITTLERSCHICHTEN
.
111
4.5
CVD-TIN
ALS
DIFFUSIONSBARRIERE
GEGEN
KUPFER
.
116
4.5.1
TESTMETHODEN
FUER
DIE
BEURTEILUNG
DER
BARRIEREEIGENSCHAF
TEN
.
116
4.5.2
ELEKTRISCHE
BARRIERECHARAKTERISIERUNG
MITTELS
PN-DIODE
.
117
4.5.3
ZUSAMMENHANG
ZWISCHEN
PROZESSFUEHRUNG
BEI
DER
BARRIE
REABSCHEIDUNG
UND
DEREN
QUALITAET
ALS
DIFFUSIONSBARRIERE
119
4.5.4
URSACHE
FUER
DEN
ANSTIEG
DES
SPERRSTROMS
.
124
4.6
OPTIMALE
PROZESSPARAMETER
.
125
4.6.1
MOCVD-TIN-BARRIERESCHICHT
.
125
4.6.2
PECVD-HAFTVERMITTLERSCHICHT
.
127
4.6.3
KUPFER-CVD
.
127
4.6.4
TEMPERUNG
ZUR
HAFTFESTIGKEITSVERBESSERUNG
.
129
7
5
ZUSAMMENFASSUNG
131
ANHANG
135
A
ANLAGENBESCHREIBUNG
135
B
DOSIERUNG
FLUESSIGER
AUSGANGSSUBSTANZEN
139
C
SPICE
-
SIMULATION
141
D
TAPETEST
143
LITERATURVERZEICHNIS
145
ABBILDUNGSVERZEICHNIS
153
TABELLENVERZEICHNIS
158
SELBSTAENDIGKEITSERKLAERUNG
161
THESEN
163
LEBENSLAUF
167
DANKSAGUNG
169 |
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| spelling | Riedel, Stephan 1971- Verfasser (DE-588)123885256 aut Untersuchungen zur Integration von MOCVD-Titannitridbarriere- und Kupferschichten in Leitbahnsysteme der Mikroelektronik Stephan Riedel Aachen Shaker 2002 169 S. Ill., graph. Darst. : 21 cm txt rdacontent n rdamedia nc rdacarrier Berichte aus der Halbleitertechnik Zugl.: Chemnitz, Techn. Univ., Diss., 2002 MOCVD-Verfahren (DE-588)4314628-4 gnd rswk-swf Dünne Schicht (DE-588)4136925-7 gnd rswk-swf Integrierte Schaltung (DE-588)4027242-4 gnd rswk-swf PECVD-Verfahren (DE-588)4267316-1 gnd rswk-swf Kupfer (DE-588)4033734-0 gnd rswk-swf Titannitrid (DE-588)4185564-4 gnd rswk-swf (DE-588)4113937-9 Hochschulschrift gnd-content Integrierte Schaltung (DE-588)4027242-4 s Titannitrid (DE-588)4185564-4 s Dünne Schicht (DE-588)4136925-7 s MOCVD-Verfahren (DE-588)4314628-4 s PECVD-Verfahren (DE-588)4267316-1 s DE-604 Kupfer (DE-588)4033734-0 s DNB Datenaustausch application/pdf http://bvbr.bib-bvb.de:8991/F?func=service&doc_library=BVB01&local_base=BVB01&doc_number=009800577&sequence=000001&line_number=0001&func_code=DB_RECORDS&service_type=MEDIA Inhaltsverzeichnis |
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