Implantationsfreie Dotierung des Basisanschlusses von Si-, SiGe-Heterobipolartransistoren in Einfach-Polysilizium-Technologie:
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| Format: | Abschlussarbeit Buch |
| Sprache: | German |
| Veröffentlicht: |
Göttingen
Cuvillier
2001
|
| Ausgabe: | 1. Aufl. |
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| Beschreibung: | VI, 108 S. Ill., graph. Darst. |
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INHALTSVERZEICHNIS
VERZEICHNIS
DER
VERWENDETEN
ABKUERZUNGEN
UND
SYMBOLE
.
III
1
EINLEITUNG
.
1
2
FUNKTIONSWEISE
VON
SI/SIGE-HBTS
.
8
3
GRUNDZUEGE
DER
SI/SIGE-HBT-TECHNOLOGIE
DES
IHP
.
19
4
BORAUSDIFFUSION
AUS
DER
SIGE-SCHICHT
-
EIN
ZENTRALES
PROBLEM
DER
SI/SIGE-HBT-TECHNOLOGIE
.
23
4.1
URSACHEN
BESCHLEUNIGTER
BORDIFFUSION
IM
TECHNOLOGISCHEN
PROZESS
.
23
4.2
AUSWIRKUNGEN
EINER
BORAUSDIFFUSION
AUS
DER
SIGE-SCHICHT
AUF
DIE
TRANSISTORPARAMETER
.
26
4.3
EINFLUSS
VON
TED
IN
DER
SI/SIGE-HBT-TECHNOLOGIE
DES
IHP
.
33
4.4
MODELLSCHICHTEXPERIMENTE
ZUR
BESCHLEUNIGTEN
BORDIFFUSION
.
36
4.5
TECHNOLOGISCHE
MASSNAHMEN
ZUR
REDUZIERUNG
BZW.
VERMEIDUNG
DER
PERIPHEREN
BORAUSDIFFUSION
.
43
5
DIFFUSIONSVERFAHREN
ZUR
DOTIERUNG
DES
BASISANSCHLUSSGEBIETES
.
47
5.1
ANFORDERUNGEN
AN
DAS
DOTIERVERFAHREN
.
47
5.2
GETESTETE
DIFFUSIONSVERFAHREN
.
52
5.3
BBR
3
-VORBELEGUNG
.
56
5.3.1
KONVENTIONELLE
NUTZUNG
DER
BBR
3
-VORBELEGUNG
.
56
5.3.2
NUTZUNG
DER
BBR
3
-VORBELEGUNG
ALS
DOTIERVERFAHREN
FUER
DAS
BASISANSCHLUSSGEBIET
VON
SI/SIGE-HBTS
.
57
5.3.3
ERGEBNISSE
ZUR
BOREINDIFFUSION
MITTELS
BBR
3
-VORBELEGUNG
.
59
5.3.4
EINFLUSS
DER
BBR
3
-VORBELEGUNG
AUF
DIE
BORDIFFUSION
IN
SIGE-SCHICHTEN
.
65
5.3.5
INTEGRATION
DER
BBR
3
-VORBELEGUNG
IN
DEN
HBT-PROZESS
.
67
6
VERGLEICH
ELEKTRISCHER
MESSERGEBNISSE
VON
HBTS
MIT
EINDIFFUNDIERTEM
UND
IMPLANTIERTEM
BASISANSCHLUSS
.
72
6.1
KOLLEKTORSTROM
UND
BASISSTROM
.
73
6.2
IDEALITAETSFAKTOR
UND
EARLY-SPANNUNG
.
81
6.3
HF-PARAMETER:/YUND/
MTW
.
91
6.4
SPERRVERHALTEN
DER
BASISANSCHLUSS-KOLLEKTOR-DIODE
.
96
7
ZUSAMMENFASSUNG
.
98
QUELLEN
VERZEICHNIS
.
101
II |
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