Epitaxie von AlGaAs-Schichten auf vorstrukturierten Substraten:
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| Language: | German |
| Published: |
Berlin
dissertation.de
2002
|
| Edition: | Als Ms. gedr. |
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| Online Access: | Inhaltsverzeichnis |
| Item Description: | Zugl.: Ulm, Univ., Diss., 2001 |
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INHALT
I
INHALTSVERZEICHNIS
1.
EINLEITUNG
.
1
2.
GRUNDLAGEN
.
7
2.1
MATERIALSYSTEM
.
7
2
1.1
KRISTALLSTRUKTUR
.
7
2.1.2
HOEHERINDIZIERTE
SUBSTRATE
.
8
2.1.3
AMPHOTERER
DOTIERSTOFF
SILIZIUM
.
10
2.2
HERSTELLUNG
DER
STRUKTURIERTEN
SUBSTRATE
.
12
2.2.1
NASSCHEMISCHE
AETZUNG
.
13
2.2.2
TROCKENAETZUNG
.
16
2.3
EPITAXIE
AUF
VORSTRUKTURIERTEN
SUBSTRATEN
.
17
2.3.1
WACHSTUMSPROZESS
.
17
2.3.2
KONSTRUKTION
DER
GLEICHGEWICHTSKRISTALLFORM
.
23
2.3.2.1
WULFF-KONSTRUKTION
.
24
2.3.2.2
BORGSTROM
KONSTRUKTION
.
26
2.3.2.3
MODELL
NACH
BIASIOL
.
27
2.3.3
ANLAGENBESCHREIBUNG
.
30
3.
ANALYTIK
.
35
3.1
RAMANSPEKTROSKOPIE
.
35
3.1.1
THEORETISCHE
BETRACHTUNGEN
.
36
3.1.1.1
NULLSTELLEN
DER
DIELEKTRISCHEN
FUNKTION
.
36
3.1.1.2
PHONONEN
IN
BINAEREN
HALBLEITERN
.
37
3.1.1.3
GEKOPPELTE
PLP-MODEN
IN
BINAEREN
HALBLEITERN
.
39
3.1.1.4
GEKOPPELTE
PLP-MODEN
IN
TERNAEREN
HALBLEITERN
.
42
3.1.2
EXPERIMENTELLE
BESTIMMUNG
DER
FREIEN
LADUNGSTRAEGERDICHTE
.
43
3.1.2.1
BESTIMMUNG
DER
LADUNGSTRAEGERKONZENTRATION
BEI
GAASISI
.
43
3.1.2.2
BESTIMMUNG
DER
LADUNGSTRAEGERKONZENTRATION
BEI
ALGAASISI
.
45
3.1.3
EXPERIMENTE
.
47
3.2
PHOTOLUMINESZENZSPEKTROSKOPIE
.
49
3.2.1
BESTIMMUNG
DES
AL-GEHALTES
BEI
T
=
300
K
.
49
3.2.1
BESTIMMUNG
DES
AI-GEHALTES
BEI
T
=
20
K
.
52
3.2.3
DURCHFUEHRUNG
DER
MESSUNG
.
53
3.3
MIKROSKOPIE
.
54
3.3.1
RASTERELEKTRONENMIKROSKOPIE
(REM)
.
54
3.3.2
RASTERKRAFTMIKROSKOPIE
(AFM)
.
55
4.
AUSWERTUNG
.
57
4.1
(1
00)/(M
11
)A/(
100)
FACETTENUEBERGANG
.
57
4.1.1
AIGAAS
SCHICHTEN
HERGESTELLT
MITTELS
MBE
.
57
4.1.2
ALGAASISI
SCHICHTEN
HERGESTELLT
MITTELS
MBE
.
64
4.1.3
GAASISI
SCHICHTEN
HERGESTELLT
MITTELS
MOVPE
.
68
4.1.4
AIGAAS-SCHICHTEN
HERGESTELLT
MITTELS
MOVPE
.
70
II
INHALTSVERZEICHNIS
4.2
(100)/(M11)B/(1OO)-FACETTENUEBERGANG
.
73
4.2.1
ALGAAS-SCHICHTEN
HERGESTELLT
MITTELS
MBE
.
73
4.2.2
ALGAAS
SCHICHTEN
HERGESTELLT
MITTELS
MOVPE
.
79
4.3
(1
00)/(0
1
0)/(
100)
FACETTENUEBERGANG
.
83
4.3.1
ALGAAS-SCHICHTEN
HERGESTELLT
MITTELS
MBE
.
83
4.3.2
ALGAAS
SCHICHTEN
HEREESTELLT
MITTELS
MOVPE
.
87
4.4
BARRENSTRUKTUREN
.
91
4.4.1
FACETTENUEBERGAENGE
IN
[0111
RICHTUNG
.
91
4.4.2
FACETTENUEBERGAENGE
IN
[0101
RICHTUNG
.
101
4.4.3
DOTIERUNG
DER
BARRENSTRUKTUREN
.
104
4.5
WUERFELSTRUKTUREN
.
108
4.5.1
MBE-STRUKTUREN
.
108
4.5.2
MOVPE-STRUKTUREN
.
114
4.6
INAS
EPITAXIE
AUF
GAAS
.
116
4.6.1
(41
L)ZL/(100
)/(411)/1
-
FACETTENUEBERGANG
.
116
4.6.2
(31
1)/1/
(31
IM
FACETTENUEBERGANG
.
118
4.7
KOMPLEXE
STRUKTUREN
.
121
4.7.1
LOKALE
VERKLEINERUNG
DER
BANDLUECKE
.
121
4.7.2
LOKALE
VERKLEINERUNG
DER
LADUNGSTRAEGERKONZENTRATION
.
125
4.7.3
LOKALE
VERGROESSERUNG
DER
BANDLUECKE
.
128
5.
SIMULATION
.
133
5.1
MODELLENTWICKLUNG
.
133
5.1.1
GRUNDGLEICHUNGEN
.
133
5.1.2
KONVEXE
UND
KONKAVE
UEBERGAENGE
.
138
5.1.3
EPITAXIE
VON
ALGAAS
.
139
5.2
SIMULATION
EINES
KONVEXEN
FACETTENUEBERGANGS
IN
[0111
RICHTUNG
.
140
5.2.1
ANPASSUNG
DER
PARAMETER
.
140
5.2.2
KONVEXER
(41
L)J/
(100)/(41
L)J
-
FACETTENUEBERGANG
.
146
5.2.3
AUSBILDUNG
DES
GALLIUMDREIECKS
.
148
5.3
BEWERTUNG
DES
MODELLS
.
150
6.
AUSBLICK
.
153
7.
ZUSAMMENFASSUNG
.
159
8.
ANHANG
.
165
A)
STANDARDEPITAXIE
.
165
B)
PROGRAMMABLAUF
DER
SIMULATION
.
167
LITERATURVERZEICHNIS
.
169 |
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