AlGaN-GaN-Feldeffekttransistoren: prozeßtechnologische Ansätze zur Optimierung von DC- und HF-Eigenschaften
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Göttingen
Cuvillier
2001
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INHALTSVERZEICHNIS
ABSTRACT
1
ZUSAMMENFASSUNG
7
VEROEFFENTLICHUNGEN
11
1
EINLEITUNG
UND
MOTIVATION
15
2
GRUPPE-III-NITRIDHALBLEITER
25
2.1
MATERIALEIGENSCHAFTEN
.
25
2.1.1
POLARISATION
.
28
2.2
WACHSTUM
VON
GRUPPE-III-NITRIDEN
.
32
2.2.1
EINFUEHRUNG
.
32
2.2.2
MOVPE
.
34
2.2.3
MBE
.
39
3
GRUNDLAGEN
DES
FELDEFFEKTTRANSISTORS
43
3.1
TRANSISTOREN
AUF
DER
BASIS
VON
GAN
.
43
3.2
MODFET
.
46
3.3
HEMT
.
48
3.4
KLEINSIGNALERSATZSCHALTBILD
.
52
4
PROZESSTECHNOLOGIE
55
4.1
EINFUEHRUNG
.
55
II
INHALTSVERZEICHNIS
4.2
PROZESSUEBERBLICK
.
56
4.3
OPTISCHE
LITHOGRAPHIE
.
61
4.4
MESAISOLIERUNG
.
62
4.5
SCHOTTKY-KONTAKTEBENE
.
63
4.6
OHMSCHE
KONTAKTEBENE
.
64
5
UNTERSUCHUNGEN
ZU
AETZDEFEKTEN
69
5.1
EINFUEHRUNG
.
69
5.2
IBE
.
70
5.3
RIBE
.
73
5.4
AETZSCHAEDEN
.
73
5.4.1
CHANNELING
.
77
5.4.2
MINIMIERUNG
DES
LECKSTROMS
.
85
5.5
ALTERNATIVE
TROCKENAETZMETHODEN
.
97
6
BAUELEMENTPHYSIK
VON
ALGAN/GAN-FETS
101
6.1
CHARAKTERISIERUNGSMETHODEN
.
101
6.1.1
DC-CHARAKTERISIERUNG
.
101
6.1.2
HOCHFREQUENZMESSUNG
.
103
6.1.3
LECKSTROM
.
105
6.2
EIGENSCHAFTEN
VON
ALGAN/GAN-FETS
.
107
6.2.1
GLEICHSTROMVERHALTEN
.
107
6.2.2
TEMPERATURABHAENGIGKEIT
.
117
7
TRANSISTOREN
MIT
GATE-RECESS
121
7.1
EINFUEHRUNG
.
121
7.2
DC-CHARAKTERISIERUNG
.
124
7.3
HF-CHARAKTERISIERUNG
.
127
8
KURZKANALTRANSISTOREN
129
8.1
EINFUEHRUNG
.
129
8.2
HERSTELLUNG
VON
KURZKANALTRANSISTOREN
.
131
8.2.1
GRUNDLEGENDES
KONZEPT
ZUR
REALISIERUNG
.
.
131
8.2.2
REALISIERUNG
VON
NIEDEROHMIGEN
T-GATES
.
.
132
INHALTSVERZEICHNIS
III
8.3
CHARAKTERISIERUNG
DER
KURZKANALTRANSISTOREN
.
.
.
137
8.3.1
GLEICHSTROMVERHALTEN
.
137
8.3.2
DURCHBRUCHVERHALTEN
.
140
8.3.3
HOCHFREQUENZVERHALTEN
.
146
8.3.4
INTERNATIONALER
VERGLEICH
.
147
A
LAYOUT
150
B
MESAISOLIERUNG
DURCH
IONENIMPLANTATION
152
LITERATURVERZEICHNIS
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