Entwicklung und Charakterisierung eines Plasmaätzverfahrens zur Strukturierung von Kupferleitbahnsystemen:
Gespeichert in:
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| Format: | Buch |
| Sprache: | German |
| Veröffentlicht: |
2000
|
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| Online-Zugang: | Inhaltsverzeichnis |
| Beschreibung: | Chemnitz, Techn. Univ., Diss., 2001 |
| Beschreibung: | 190 S. Ill., graph. Darst. : 21 cm |
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INHALTSVERZEICHNIS
1
EINLEITUNG
13
2
STRUKTURIERUNG
VON
KUPFER
20
2.1
PROZESSABLAEUFE
/
KONZEPTE
.
20
2.1.1
SUBTRAKTIVE
STRUKTURIERUNG
.
20
2.1.2
SINGLE
UND
DUAL
DAMASCENE
.
21
2.1.3
VERGLEICH
DER
PROZESSVARIANTEN
.
23
2.2
KUPFER-STRUKTURIERUNGSVERFAHREN
.
25
2.2.1
NASSCHEMISCHE
ATZVERFAHREN
.
25
2.2.2
CHEMISCH-MECHANISCHES
POLIEREN
(CMP)
.
26
2.2.3
CHEMISCHE
TROCKENAETZPROZESSE
.
29
2.2.4
LONENSTRAHLAETZEN
/
SPUTTERAETZEN
.
30
2.2.5
REAKTIVES
LONENAETZEN
VON
KUPFERSCHICHTEN
.
32
3
EXPERIMENTELLES
36
3.1
MESSVERFAHREN
UND
MESSTECHNIK
.
36
3.2
PROBENPRAEPARATION/ANLAGENTECHNIK
.
36
3.3
WAFERTEMPERATURMESSUNGEN
.
41
3.3.1
MESSVERFAHREN
ZUR
WAFERTEMPERATURMESSUNG
.
41
3.3.2
WAFERTEMPERATUR
BEI
VERWENDUNG
VON
ARGON
.
45
3.3.3
WAFERTEMPERATUR
BEI
GASGEMISCHEN
.
45
3.3.4
WAFERTEMPERATUR
UNTER
PLASMAEINWIRKUNG
.
46
3.4
MASSENSPEKTROSKOPIE-UNTERSUCHUNGEN
.
47
3.4.1
QMS-MESSAUFBAU
.
47
3.4.2
REAKTIONSPRODUKTE
/
ISOTOPE
.
49
6
INHALTSVERZEICHNIS
4
UNTERSUCHUNGEN
ZUM
AETZMECHANISMUS
VON
KUPFER
50
4.1
ALLGEMEINE
BETRACHTUNGEN
ZUM
TROCKENAETZEN
VON
KUPFERSCHICHTEN
.
50
4.1.1
REAKTIONSABLAUF
/
REAKTIONSPRODUKTE
.
52
4.1.2
ADSORPTION/CHLORIERUNG/DESORPTION
.
53
4.2
UNTERSUCHUNGEN
ZU
VERSCHIEDENEN
AETZVERFAHREN
.
59
4.2.1
REIN
CHEMISCHES
TROCKENAETZEN
/
CHLORIERUNG
.
59
4.2.2
PHYSIKALISCHES
SPUTTERAETZEN
.
61
4.3
MASKIERUNGSSCHICHTEN
FUER
DIE
KUPFERSTRUKTURIERUNG
.
63
4.3.1
ORGANISCHE
MASKIERUNGSSCHICHTEN
.
64
4.3.2
ANORGANISCHE
MASKIERUNGSSCHICHTEN
.
67
4.3.2.1
AETZRATEN/SELEKTIVITAETEN
.
67
4.3.2.2
HAFTUNGSUNTERSUCHUNGEN
.
69
4.4
EINFLUSS
DES
CHLORPARTIALDRUCKES
.
73
4.5
EINFLUSS
UNTERSCHIEDLICHER
PROZESSPARAMETER
.
76
4.5.1
EINFLUSS
DER
ENTLADUNGSLEISTUNG
.
76
4.5.2
EINFLUSS
VON
GASZUSAETZEN
(CF4
UND
CH4)
.
76
4.5.3
EINFLUSS
DER
WAFERTEMPERATUR
.
79
4.6
REAKTIONSPRODUKTE
IN
EINER
CL/F-HALTIGEN
GLIMMENTLADUNG
.
85
4.6.1
VORUEBERLEGUNGEN
MASSENSPEKTROMETER-UNTERSUCHUNGEN
.
86
4.6.2
REAKTIONSPRODUKTE
VON
CHLOR
UND
KUPFER
.
87
4.6.3
REAKTIONSPRODUKTE
BEI
ZUGABE
VON
F-HALTIGEN
GASEN
.
89
4.7
ORIENTIERUNGSABHAENGIGE
KUPFERAETZRATE
.
92
4.7.1
EINFLUSS
DER
KUPFERTEXTUR
AUF
DAS
AETZERGEBNIS
.
95
4.7.2
UNTERSUCHUNGEN
AN
EINKRISTALLINEN
KUPFERPROBEN
.
98
4.7.3
TEXTURMESSUNGEN
AN
ANGEAETZTEN
KUPFERSCHICHTEN
.
102
5
EINFLUSS
DER
ENTLADUNGSART
106
5.1
PARALLEL-PLATTEN-REAKTOR
.
106
5.2
PARALLEL-PLATTEN-REAKTOR
MIT
MIKROWELLE
.
107
5.3
ICP-QUELLE
.
108
5.3.1
CHARAKTERISIERUNG
DER
DPS-QUELLE
.
109
5.3.2
AETZERGEBNISSE
MIT
EINER
ICP-QUELLE
.
110
INHALTSVERZEICHNIS
7
6
KORROSIONSUNTERSUCHUNGEN
124
6.1
VORUEBERLEGUNGEN
.
124
6.2
TEMPERUNG
IN
EINER
H2
ODER
^-ATMOSPHAERE
.
128
6.3
TEMPERUNG
IN
EINER
HAO-ATMOSPHAERE
.
130
7
ELEKTRISCHE
EIGENSCHAFTEN
DER
KUPFERLEITBAHNEN
133
7.1
WIDERSTANDSMESSUNGEN
.
134
7.1.1
MESSGERAET,
MESSERGEBNISSE
.
136
7.1.2
VERGLEICH
MIT
ALSI-LEITBAHNEN
.
138
7.1.3
AUSLAGERUNGSUNTERSUCHUNGEN
.
140
7.2
ELEKTROMIGRATIONSMESSUNGEN
.
141
7.2.1
MESSVERFAHREN
.
141
7.2.2
MESSERGEBNISSE
.
142
8
ZUSAMMENFASSUNG
146
ANHANG
A
TESTFELDBESCHREIBUNG
CUCVD
149
ANHANG
B
TESTFELDBESCHREIBUNG
WCVD
159
ANHANG
C
MASSENZAHLEN
VON
REAKTIONSPRODUKTEN
161 |
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